Le T2N7002BK de Toshiba est un transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) à canal N en silicium conçu pour les applications de commutation à grande vitesse. Il est encapsulé dans un boîtier compact SOT23, ce qui le rend adapté aux applications à espace restreint. Ce MOSFET présente de faibles valeurs de résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)), avec des valeurs typiques de 1,05 Ω à VGS = 10 V, 1,15 Ω à VGS = 5,0 V et 1,2 Ω à VGS = 4,5 V, offrant un fonctionnement efficace et minimisant les pertes de puissance pendant le fonctionnement.
Le T2N7002BK prend en charge une tension drain-source (VDSS) allant jusqu'à 60 V et peut gérer des courants de drain continus (ID) jusqu'à 400 mA, avec des courants de drain pulsés (IDP) jusqu'à 1200 mA. Sa conception robuste comprend des fonctionnalités pour assurer la fiabilité et la durabilité dans diverses conditions de fonctionnement, y compris une plage de température de canal jusqu'à 150°C. Le dispositif offre également des temps de commutation rapides et une faible charge de grille, ce qui le rend bien adapté aux applications haute fréquence. Il est important de noter que, comme tous les MOSFET, le T2N7002BK est sensible aux décharges électrostatiques et doit être manipulé avec les précautions appropriées.
MOSFET
Les MOSFET (Transistors à Effet de Champ à Oxyde Métallique) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont un composant essentiel dans une large gamme d'appareils électroniques en raison de leur haute efficacité et de leurs capacités de commutation rapide. Les MOSFET à canal N, tels que le T2N7002BK, sont généralement utilisés dans des applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie et une commutation à haute vitesse.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, plusieurs paramètres clés doivent être pris en compte, notamment la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la dissipation de puissance (PD) et la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)). La tension de seuil de grille (Vth) et la charge de grille sont également des facteurs importants qui affectent les performances de commutation et l'efficacité du MOSFET.
Les MOSFET sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance, y compris les convertisseurs DC-DC, les alimentations et les circuits de commande de moteur. Leur capacité à commuter efficacement à des vitesses élevées les rend adaptés aux applications haute fréquence. Cependant, il est important de prendre en compte la gestion thermique et la sensibilité aux décharges électrostatiques (ESD) des MOSFET lors de la conception et de la manipulation.
Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET doit être basée sur une compréhension approfondie des exigences de l'application et un examen attentif des spécifications du composant. Cela garantit des performances et une fiabilité optimales dans la conception électronique finale.