Le T2N7002BK de Toshiba est un transistor à effet de champ (MOSFET) en silicium N-Channel conçu pour des applications de commutation à haute vitesse. Il est encapsulé dans un boîtier SOT23 compact, le rendant adapté pour des applications à espace restreint. Ce MOSFET présente de faibles valeurs de résistance à l'état passant (RDS(ON)), avec des valeurs typiques de 1,05 Ω à VGS = 10 V, 1,15 Ω à VGS = 5,0 V et 1,2 Ω à VGS = 4,5 V, offrant un fonctionnement efficace et minimisant les pertes de puissance pendant le fonctionnement.
Le T2N7002BK prend en charge une tension drain-source (VDSS) jusqu'à 60 V et peut gérer des courants de drain continus (ID) jusqu'à 400 mA, avec des courants de drain pulsés (IDP) jusqu'à 1200 mA. Sa conception robuste comprend des caractéristiques pour assurer la fiabilité et la durabilité sous diverses conditions de fonctionnement, y compris une plage de température de canal jusqu'à 150°C. Le dispositif offre également des temps de commutation rapides et une faible charge de grille, le rendant bien adapté pour les applications à haute fréquence. Il est important de noter que, comme tous les MOSFET, le T2N7002BK est sensible aux décharges électrostatiques et doit être manipulé avec les précautions appropriées.
MOSFET
Les MOSFETs (transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont un composant essentiel dans une large gamme de dispositifs électroniques en raison de leur haute efficacité et de leurs capacités de commutation rapides. Les MOSFETs N-Canal, tels que le T2N7002BK, sont généralement utilisés dans des applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie et une commutation à haute vitesse.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, plusieurs paramètres clés doivent être considérés, y compris la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la dissipation de puissance (PD) et la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)). La tension de seuil de grille (Vth) et la charge de grille sont également des facteurs importants qui affectent la performance de commutation et l'efficacité du MOSFET.
Les MOSFET sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance, y compris les convertisseurs DC-DC, les alimentations et les circuits de contrôle de moteur. Leur capacité à commuter efficacement à haute vitesse les rend adaptés aux applications à haute fréquence. Cependant, il est important de considérer la gestion thermique et la sensibilité aux décharges électrostatiques (ESD) des MOSFET lors de la conception et de la manipulation.
En général, la sélection d'un MOSFET doit être basée sur une compréhension approfondie des exigences de l'application et un examen attentif des spécifications du composant. Cela assure une performance et une fiabilité optimales dans la conception électronique finale.