2N7002P,235: MOSFET N-channel 60 V, 360 mA, boîtier SOT23
Nexperia

Le 2N7002P,235 de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) en mode d'amélioration de canal N qui utilise la technologie MOSFET à tranchée. Emballé dans un petit boîtier en plastique de dispositif monté en surface (SMD) SOT23 (TO-236AB), il offre une solution compacte pour diverses applications. Ce composant est conçu pour fonctionner comme un pilote de ligne à haute vitesse, un pilote de relais, un interrupteur de charge côté bas et dans des circuits de commutation, entre autres applications.

Il présente une tension drain-source (VDS) de 60 V, une plage de tension grille-source (VGS) de -20 à 20 V, et un courant de drain continu (ID) de jusqu'à 360 mA à 25°C. Le dispositif se caractérise par ses capacités de commutation rapide et sa compatibilité de niveau logique, le rendant adapté à une large gamme de circuits électroniques. Le 2N7002P,235 est également qualifié AEC-Q101, indiquant sa fiabilité pour les applications automobiles.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (VDS) : 60 V
  • Tension Grille-Source (VGS) : -20 à 20 V
  • Courant de Drain (ID) : 360 mA à VGS = 10 V; Tamb = 25 °C
  • Résistance à l'état passant Drain-Source (RDSon) : 1 à 1.6 Ω à VGS = 10 V; ID = 500 mA
  • Dissipation de puissance totale (Ptot) : 350 mW à Tamb = 25 °C
  • Température de jonction (Tj) : -55 à 150 °C

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Applications

  • Pilotes de ligne à haute vitesse
  • Pilotes de relais
  • Interrupteurs de charge côté bas
  • Circuits de commutation

Catégorie

Transistor

Informations générales

Les MOSFETs à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour commuter et amplifier les signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source, modulé par la tension appliquée à la borne de grille. Canal N fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui conduisent le courant dans le dispositif.

Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, plusieurs paramètres clés doivent être pris en compte, y compris la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), et le courant de drain (ID). Ces paramètres déterminent la capacité de gestion de puissance et l'efficacité du MOSFET dans un circuit. La résistance à l'état passant (RDSon) est également un facteur important, car elle affecte la perte de puissance et la génération de chaleur lorsque le MOSFET est conducteur.

Les applications des MOSFET de canal N sont diverses, allant de la gestion de puissance dans les dispositifs portables à la commande de moteurs dans les applications industrielles. Leurs capacités de commutation rapide les rendent adaptés aux applications de commutation à haute vitesse, telles que dans les convertisseurs de puissance et les onduleurs.

Les ingénieurs doivent également considérer les caractéristiques thermiques du MOSFET, y compris la résistance thermique et la température maximale de jonction, pour assurer un fonctionnement fiable dans diverses conditions d'exploitation. Les options de conditionnement, telles que le boîtier SOT23, offrent une solution compacte pour les applications à espace limité.

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