Le PMV37ENEA est un transistor à effet de champ (FET) N-channel à mode d'amélioration de 60 V qui utilise la technologie MOSFET à tranchée pour fournir une haute efficacité et performance. Emballé dans un boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (SMD), il est conçu pour une large gamme d'applications. Ce composant se caractérise par sa compatibilité avec les niveaux logiques, lui permettant d'être directement piloté par des circuits logiques sans circuits intégrés de pilotage supplémentaires. De plus, il prend en charge une plage de température étendue jusqu'à 175 °C, le rendant adapté pour des environnements à haute température.
Avec une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM (classe H2) et une qualification selon les normes AEC-Q101, le PMV37ENEA est conçu pour la fiabilité et la robustesse dans les applications automobiles et autres applications exigeantes. Sa faible résistance à l'état passant et son haute efficacité en font un excellent choix pour les tâches de gestion de l'énergie, y compris la commande de relais, la commande de ligne à haute vitesse, la commutation de charge côté bas, et divers circuits de commutation.
Transistor
Les MOSFETs N-channel sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour commuter et amplifier les signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source. N-channel fait référence au type de porteur de charge (électrons) qui conduit le courant dans le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent l'adéquation du MOSFET pour différentes applications, y compris la gestion de l'alimentation, le traitement des signaux et la commutation à haute fréquence.
La technologie MOSFET à tranchée offre des avantages en termes de résistance à l'état passant plus faible et d'efficacité plus élevée, la rendant adaptée aux applications nécessitant une densité de puissance élevée et une génération de chaleur minimale. La compatibilité de niveau logique permet une interfacing directe avec des microcontrôleurs ou des circuits logiques, simplifiant la conception.
En plus des spécifications électriques, des facteurs tels que le type de boîtier, les caractéristiques thermiques, et les fonctionnalités de protection (par exemple, protection ESD) sont également importants. Ces aspects influencent la performance du MOSFET dans des applications spécifiques et sa capacité à résister à des conditions de fonctionnement difficiles.