Le PMV37ENEA est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N de 60 V qui utilise la technologie Trench MOSFET pour offrir une efficacité et des performances élevées. Emballé dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (CMS), il est conçu pour une large gamme d'applications. Ce composant se caractérise par sa compatibilité avec les niveaux logiques, ce qui lui permet d'être directement piloté par des circuits logiques sans circuits intégrés de pilotage supplémentaires. De plus, il prend en charge une plage de température étendue jusqu'à 175 °C, ce qui le rend adapté aux environnements à haute température.
Avec une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM (classe H2) et une qualification selon les normes AEC-Q101, le PMV37ENEA est conçu pour la fiabilité et la robustesse dans l'automobile et d'autres applications exigeantes. Sa faible résistance à l'état passant et son rendement élevé en font un excellent choix pour les tâches de gestion de l'alimentation, y compris le pilotage de relais, le pilotage de ligne à grande vitesse, la commutation de charge côté bas et divers circuits de commutation.
Transistor
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification des signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source. Le canal N fait référence au type de porteur de charge (électrons) qui conduit le courant dans le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent l'adéquation du MOSFET pour différentes applications, y compris la gestion de l'alimentation, le traitement du signal et la commutation à haute fréquence.
La technologie Trench MOSFET offre des avantages en termes de résistance à l'état passant plus faible et d'efficacité plus élevée, ce qui la rend adaptée aux applications nécessitant une densité de puissance élevée et une génération de chaleur minimale. La compatibilité avec les niveaux logiques permet une interface directe avec des microcontrôleurs ou des circuits logiques, simplifiant ainsi la conception.
En plus des spécifications électriques, des facteurs tels que le type de boîtier, les caractéristiques thermiques et les fonctions de protection (par exemple, protection ESD) sont également importants. Ces aspects influencent les performances du MOSFET dans des applications spécifiques et sa capacité à résister à des conditions de fonctionnement difficiles.