T2N7002BK,LM(T: MOSFET à canal N, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω
Toshiba

Le T2N7002BK est un MOSFET N-Canal en silicium conçu pour des applications de commutation à haute vitesse. Il présente une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) de 1,05 Ω (typique) à VGS = 10V, le rendant adapté pour la gestion efficace de l'énergie dans divers circuits. Le composant est emballé dans un format SOT23 compact, facilitant son intégration dans des conceptions à espace limité.

Ce MOSFET supporte une tension drain-source (VDSS) jusqu'à 60V et peut gérer un courant de drain continu (ID) jusqu'à 400mA, avec une capacité de courant de drain pulsé jusqu'à 1200mA. Il intègre également une protection ESD avec un niveau HBM de 2 kV, améliorant sa fiabilité dans les environnements sensibles. Le T2N7002BK est optimisé pour la performance avec une gamme de tensions de grille-source, montrant une polyvalence dans différentes conditions de fonctionnement.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 60V
  • Tension Grille-Source (VGSS) : ±20V
  • Courant de Drain Continu (ID) : 400mA
  • Courant de Drain Pulsé (IDP) : 1200mA
  • Résistance à l'état passant Drain-Source (RDS(ON)) : 1.05 Ω (typ.) à VGS = 10V
  • Dissipation de Puissance (PD) : 320 mW à 1000 mW
  • Température du Canal (Tch) : 150°C
  • Protection ESD : niveau HBM 2 kV

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Applications

  • Applications à commutation haute vitesse

Catégorie

MOSFET

Informations générales

Les MOSFET (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) sont un composant fondamental dans la conception électronique, offrant une haute efficacité et fiabilité pour les tâches de commutation et d'amplification. Ils fonctionnent en contrôlant la conductivité entre les bornes de drain et de source par tension, les rendant essentiels pour la gestion de l'alimentation, le traitement du signal et plus encore.

Lors de la sélection d'un MOSFET, les paramètres clés incluent la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la tension grille-source (VGSS) et la résistance à l'état passant drain-source (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer des tensions et des courants élevés, ainsi que son efficacité. De plus, le conditionnement, la gestion thermique et le niveau de protection ESD sont des considérations importantes.

Pour les applications de commutation à haute vitesse, un MOSFET avec un faible RDS(ON) est préféré pour minimiser la perte de puissance et la génération de chaleur. Le choix de la plage de tension de grille-source (VGSS) affecte également la compatibilité avec les circuits de commande. De plus, comprendre les caractéristiques thermiques et assurer une dissipation de chaleur adéquate sont critiques pour un fonctionnement fiable.

En résumé, choisir le bon MOSFET implique une analyse minutieuse des caractéristiques électriques, des propriétés thermiques et des exigences d'application. Les MOSFETs comme le T2N7002BK, avec son faible RDS(ON) et ses caractéristiques de protection robustes, offrent une option convaincante pour les ingénieurs cherchant à optimiser leurs conceptions pour la performance et la fiabilité.

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