Le Nexperia PMV55ENEA est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N de 60 V utilisant la technologie Trench MOSFET. Conditionné dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (CMS), il est conçu pour les applications PCB haute densité. Ce MOSFET se distingue par sa compatibilité avec les niveaux logiques, ce qui lui permet d'être piloté directement par des circuits logiques sans avoir besoin de pilotes de grille supplémentaires.
Doté de capacités de commutation très rapides, le PMV55ENEA est idéal pour les applications de commutation à grande vitesse. Il comprend également une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM, améliorant sa robustesse dans les environnements sensibles. De plus, il est qualifié AEC-Q101, ce qui le rend adapté aux applications automobiles où la fiabilité est primordiale.
MOSFET
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification de signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes source et drain. Le canal N fait référence au type de porteur de charge (électrons) qui circule à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les considérations clés incluent la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de tension et de courant, ainsi que son efficacité et sa vitesse dans les applications de commutation.
Les MOSFETs sont des composants essentiels dans une large gamme d'applications, de la gestion et conversion de puissance au traitement du signal. Le choix de la technologie MOSFET, telle que le MOSFET Trench, influence les caractéristiques de performance du dispositif, y compris la vitesse de commutation, la résistance à l'état passant et la robustesse contre les surtensions.
Pour les ingénieurs, comprendre les exigences spécifiques de leur application est crucial pour sélectionner le MOSFET approprié. Cela inclut la prise en compte de l'environnement de fonctionnement, tel que les plages de température et la présence de décharges électrostatiques potentielles, qui pourraient avoir un impact sur les performances et la fiabilité du MOSFET.