2N7002K: MOSFET Canal N, 60V, 380mA, SOT-23, Protégé ESD
onsemi

Le 2N7002K est un MOSFET canal N développé par onsemi, doté d'une tension drain-source (VDSS) de 60V et d'un courant de drain maximum (ID) de 380mA. Ce composant est logé dans un boîtier compact SOT-23, ce qui le rend adapté aux applications de technologie de montage en surface (SMT). L'une des caractéristiques clés de ce MOSFET est sa protection ESD, améliorant sa fiabilité dans les applications sensibles.

Conçu pour être utilisé dans une variété de circuits, le 2N7002K excelle dans des rôles tels que commutateur de charge côté bas, circuits de décalage de niveau et convertisseurs DC-DC. Il est également bien adapté aux applications portables, notamment les appareils photo numériques, les PDA, les téléphones portables, etc. Le composant est qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP, ce qui indique son adéquation aux applications automobiles et autres scénarios nécessitant des normes de qualité et de fiabilité strictes.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 60V
  • Courant de drain maximum (ID) : 380mA à 25°C
  • RDS(on) : 1.6Ω à 10V, 2.5Ω à 4.5V
  • Tension Grille-Source (VGS) : ±20V
  • Courant de drain pulsé (IDM) : 5.0A
  • Dissipation de puissance : 420mW avec pad de 1 pouce carré, 300mW avec pad minimum
  • Plage de température de jonction et de stockage : -55°C à +150°C
  • Protection ESD : 2000V

Fiche technique 2N7002K

Fiche technique 2N7002K (PDF)

Substituts pour 2N7002K
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 2N7002K, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Commutateur de charge côté bas (Low side load switch)
  • Circuits de décalage de niveau
  • Convertisseur CC-CC
  • Applications portables (par ex., appareils photo numériques, PDA, téléphones portables)

Catégorie

Transistors

Informations générales

Les MOSFET canal N sont un composant critique dans les circuits électroniques, agissant comme des commutateurs ou des amplificateurs. Ils permettent de contrôler des circuits de haute puissance avec un signal de basse tension, ce qui les rend indispensables dans la gestion de l'alimentation, le traitement du signal et les applications de contrôle. Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les considérations importantes incluent la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la RDS(on) et le type de boîtier.

Le MOSFET 2N7002K d'onsemi est remarquable pour son boîtier compact SOT-23 et sa protection ESD, offrant un mélange de performance et de fiabilité. Sa faible RDS(on) assure un fonctionnement efficace, tandis que la protection ESD améliore sa durabilité dans les environnements sensibles. Adapté aux applications automobiles et aux appareils portables, ce MOSFET est un choix polyvalent pour les ingénieurs.

En choisissant un MOSFET, les ingénieurs doivent également prendre en compte les caractéristiques thermiques et la dissipation de puissance pour s'assurer que le composant fonctionne dans sa zone de fonctionnement sûr (SOA). Les caractéristiques thermiques du 2N7002K le rendent adapté aux applications où l'espace est limité et où la gestion de la chaleur est une préoccupation.

Dans l'ensemble, le 2N7002K représente une option fiable, efficace et polyvalente pour un large éventail d'applications, des systèmes automobiles à l'électronique portable, ce qui en fait un composant précieux dans la boîte à outils de l'ingénieur.

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