2N7002K: MOSFET à canal N, 60V, 380mA, SOT-23, Protégé ESD
onsemi

Le 2N7002K est un MOSFET N-Canal développé par onsemi, présentant une tension drain-source (VDSS) de 60V et un courant de drain maximal (ID) de 380mA. Ce composant est logé dans un boîtier SOT-23 compact, le rendant adapté pour les applications de technologie de montage en surface (SMT). L'une des caractéristiques clés de ce MOSFET est sa protection ESD, améliorant sa fiabilité dans les applications sensibles.

Conçu pour être utilisé dans une variété de circuits, le 2N7002K excelle dans des rôles tels que commutateur de charge côté bas, circuits de décalage de niveau et convertisseurs DC-DC. Il est également bien adapté pour les applications portables, y compris les appareils photo numériques, les PDA, les téléphones cellulaires, et plus encore. Le composant est qualifié AEC-Q101 et capable PPAP, indiquant son adéquation pour les applications automobiles et autres scénarios nécessitant des normes de qualité et de fiabilité strictes.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 60V
  • Courant de Drain Maximum (ID) : 380mA à 25°C
  • RDS(on) : 1,6Ω à 10V, 2,5Ω à 4,5V
  • Tension Grille-Source (VGS) : ±20V
  • Courant de Drain Pulsé (IDM) : 5,0A
  • Dissipation de Puissance : 420mW avec 1 sq in pad, 300mW avec pad minimum
  • Plage de Température de Jonction et de Stockage : de -55°C à +150°C
  • Protection ESD : 2000V

2N7002K Fiche technique

2N7002K fiche technique (PDF)

Substituts de 2N7002K
Pièces de rechange équivalentes qui peuvent servir de substitut à 2N7002K, les composants les plus populaires en premier

Applications

  • Interrupteur de charge côté bas
  • Circuits de décalage de niveau
  • Convertisseur DC-DC
  • Applications portables (par exemple, appareils photo numériques, PDA, téléphones portables)

Catégorie

Transistors

Informations générales

Les MOSFETs N-Canal sont un composant critique dans les circuits électroniques, agissant comme des interrupteurs ou des amplificateurs. Ils permettent de contrôler des circuits de haute puissance avec un signal de basse tension, les rendant indispensables dans la gestion de l'énergie, le traitement de signal et les applications de contrôle. Lors de la sélection d'un MOSFET N-Canal, les considérations importantes incluent la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), le RDS(on) et le type de boîtier.

Le MOSFET 2N7002K de onsemi est remarquable pour son boîtier compact SOT-23 et sa protection ESD, offrant un mélange de performance et de fiabilité. Son faible RDS(on) assure un fonctionnement efficace, tandis que la protection ESD améliore sa durabilité dans les environnements sensibles. Adapté à la fois pour les applications automobiles et les dispositifs portables, ce MOSFET est un choix polyvalent pour les ingénieurs.

Lors du choix d'un MOSFET, les ingénieurs doivent également considérer les caractéristiques thermiques et la dissipation de puissance pour assurer que le composant fonctionne dans sa zone de fonctionnement sûre (SOA). Les caractéristiques thermiques du 2N7002K le rendent adapté aux applications où l'espace est limité et la gestion de la chaleur est une préoccupation.

Dans l'ensemble, le 2N7002K représente une option fiable, efficace et polyvalente pour une large gamme d'applications, des systèmes automobiles aux appareils électroniques portables, le rendant un composant précieux dans la trousse à outils de l'ingénieur.

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