2N7002L: MOSFET N-canal, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Le 2N7002L est un MOSFET N-Canal produit en utilisant la technologie DMOS à haute densité de cellules d'onsemi. Ce composant est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en assurant une performance de commutation robuste, fiable et rapide. Il est particulièrement adapté pour les applications à basse tension, à faible courant, le rendant un choix polyvalent pour divers circuits électroniques.

Avec une conception de cellule à haute densité, le 2N7002L atteint un faible RDS(on), le rendant un choix efficace pour les tâches de gestion de puissance. Sa capacité à agir comme un interrupteur de petit signal commandé par tension ajoute à sa flexibilité dans la conception de circuits. La capacité de courant de saturation élevée et la robustesse du composant en font une option fiable pour les environnements exigeants.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 60 V
  • Tension Grille-Source (VGSS) : ±20 V, Non-Répétitive (tp < 50 ms) ±40 V
  • Courant de Drain Maximum (ID) : 200 mA Continu, 500 mA Pulsé
  • Puissance de Dissipation Maximum (PD) : 400 mW, Dérivée au-dessus de 25°C
  • Résistance Thermique, Jonction à Ambiant (RθJA) : 625 °C/W
  • Tension de Seuil de Grille (VGS(th)) : 1 à 2.5 V
  • Résistance à l'État Passant Statique (RDS(on)) : 1.2 à 7.5 Ω
  • Tension à l'État Passant Drain-Source (VDS(on)) : 0.6 à 3.75 V

2N7002L Fiche technique

2N7002L fiche technique (PDF)

Substituts de 2N7002L
Pièces de rechange équivalentes qui peuvent servir de substitut à 2N7002L, les composants les plus populaires en premier

Applications

  • Contrôle de petits moteurs servo
  • Pilotes de grille de MOSFET de puissance
  • Diverses applications de commutation

Catégorie

Transistor

Informations générales

Les MOSFETs N-Canal comme le 2N7002L sont des composants fondamentaux dans la conception électronique, offrant un moyen de contrôler efficacement la distribution de puissance dans les circuits. Ces transistors fonctionnent en permettant au courant de circuler entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille, les rendant idéaux pour la commutation et l'amplification des signaux.

Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les considérations importantes incluent la tension drain-source, la tension grille-source, le courant de drain maximal et les capacités de dissipation de puissance. Les caractéristiques thermiques sont également cruciales, car elles affectent la fiabilité et la performance du dispositif sous différentes conditions de fonctionnement.

La faible résistance à l'état passant du 2N7002L est bénéfique pour réduire la perte de puissance et améliorer l'efficacité dans les applications. Son boîtier compact SOT-23 est adapté aux conceptions à espace limité. Les ingénieurs doivent également prendre en compte la vitesse de commutation, la charge de grille et les caractéristiques de capacité pour assurer la compatibilité avec les exigences de leur circuit.

En résumé, le 2N7002L offre un équilibre entre performance, fiabilité et efficacité, le rendant adapté à une large gamme d'applications à faible tension et à faible courant. Comprendre ses spécifications et comment elles s'alignent avec les exigences de l'application prévue est clé pour faire une sélection éclairée.

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