Le BSS138BK de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) en mode d'amélioration N-channel qui utilise la technologie MOSFET à tranchée pour fournir une haute efficacité et performance dans un petit boîtier plastique de dispositif monté en surface (SMD) SOT23 (TO-236AB). Ce composant est conçu pour une compatibilité de niveau logique, offrant des capacités de commutation très rapides et une protection contre les décharges électrostatiques (DES) jusqu'à 1.5 kV, le rendant adapté à une large gamme d'applications de commutation à haute vitesse.
Les caractéristiques clés incluent une tension drain-source (VDS) de 60V, une tension grille-source (VGS) de ±20V et un courant de drain (ID) de jusqu'à 360mA à une température ambiante de 25°C. Le BSS138BK présente également une faible résistance drain-source à l'état passant (RDSon) de 1 à 1.6Ω à VGS = 10V et ID = 350mA, assurant un fonctionnement efficace. Ses caractéristiques thermiques et sa conception robuste le rendent fiable pour une utilisation dans diverses applications, y compris les pilotes de relais, les interrupteurs de charge côté bas, les pilotes de ligne à haute vitesse et les circuits de commutation.
Transistor
Les MOSFET N-canal sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour commuter et amplifier les signaux. Ils fonctionnent en utilisant une tension d'entrée pour contrôler le flux de courant à travers un canal. La désignation N-canal fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui se déplacent à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les ingénieurs considèrent des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent la capacité du dispositif à gérer la tension, le courant et les niveaux de puissance de manière efficace.
Les MOSFETs à canal N sont privilégiés pour leur haute efficacité, leurs vitesses de commutation rapides et leur capacité à conduire des courants importants. Ils trouvent des applications dans une variété de circuits, y compris les alimentations, les contrôleurs de moteurs et les interrupteurs électroniques. Les considérations clés lors du choix d'un MOSFET à canal N incluent les exigences spécifiques de l'application, la gestion thermique et le besoin de fonctionnalités de protection comme la résistance à l'ESD.
Le BSS138BK illustre l'utilisation de la technologie MOSFET à tranchée, qui améliore les performances en réduisant la résistance à l'état passant et en améliorant les vitesses de commutation. Cela le rend adapté aux applications nécessitant une gestion efficace de la puissance et des capacités de commutation rapides.