Le BSS138BK de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N qui utilise la technologie Trench MOSFET pour fournir une efficacité et des performances élevées dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (SMD). Ce composant est conçu pour une compatibilité de niveau logique, offrant des capacités de commutation très rapides et une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu'à 1,5 kV, ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications de commutation à grande vitesse.
Les caractéristiques clés incluent une tension drain-source (VDS) de 60V, une tension grille-source (VGS) de ±20V et un courant de drain (ID) allant jusqu'à 360mA à une température ambiante de 25°C. Le BSS138BK présente également une faible résistance drain-source à l'état passant (RDSon) de 1 à 1,6Ω à VGS = 10V et ID = 350mA, assurant un fonctionnement efficace. Ses caractéristiques thermiques et sa conception robuste le rendent fiable pour une utilisation dans diverses applications, y compris les pilotes de relais, les commutateurs de charge côté bas, les pilotes de ligne à haute vitesse et les circuits de commutation.
Transistor
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification des signaux. Ils fonctionnent en utilisant une tension d'entrée pour contrôler le flux de courant à travers un canal. La désignation canal N fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui se déplacent à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs prennent en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent la capacité du dispositif à gérer efficacement les niveaux de tension, de courant et de puissance.
Les MOSFET à canal N sont privilégiés pour leur haute efficacité, leurs vitesses de commutation rapides et leur capacité à piloter des courants importants. Ils trouvent des applications dans une variété de circuits, y compris les alimentations, les contrôleurs de moteur et les commutateurs électroniques. Les considérations clés lors du choix d'un MOSFET à canal N incluent les exigences spécifiques de l'application, la gestion thermique et le besoin de fonctionnalités de protection comme la résistance ESD.
Le BSS138BK illustre l'utilisation de la technologie Trench MOSFET, qui améliore les performances en réduisant la résistance à l'état passant et en améliorant les vitesses de commutation. Cela le rend adapté aux applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie et des capacités de commutation rapides.