Le 2N7002KT1G d'onsemi est un MOSFET à canal N pour petits signaux conçu pour les applications à haute efficacité. Conditionné dans un format compact SOT-23, ce MOSFET prend en charge une tension drain-source (VDSS) allant jusqu'à 60V et un courant de drain maximal (ID) de 380mA. Il se caractérise par une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) qui varie entre 1,6Ω à 10V et 2,5Ω à 4,5V, améliorant l'efficacité globale du composant dans les conceptions de circuits.
Ce composant est conçu avec une protection contre les décharges électrostatiques (ESD), assurant fiabilité et durabilité dans les applications sensibles. Sa faible RDS(on) contribue à réduire la dissipation de puissance, ce qui le rend adapté aux applications où l'efficacité énergétique est critique. Le 2N7002KT1G est qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP, ce qui le rend adapté aux applications automobiles et autres scénarios nécessitant des normes de qualité et de fiabilité strictes.
MOSFET
Les MOSFET (Transistors à effet de champ à grille métal-oxyde) sont un composant fondamental des circuits électroniques, agissant comme des commutateurs ou des amplificateurs. Ils sont privilégiés pour leur haute efficacité, leurs vitesses de commutation rapides et leur facilité d'intégration dans diverses conceptions de circuits. Les MOSFET à canal N, en particulier, sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance en raison de leur capacité à gérer efficacement des niveaux de puissance importants.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les ingénieurs prennent en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)). Le paramètre VDSS indique la tension maximale que le MOSFET peut bloquer lorsqu'il est éteint, tandis que le paramètre ID spécifie le courant maximal qu'il peut gérer lorsqu'il est allumé. La valeur RDS(on) est critique pour évaluer les pertes de puissance pendant le fonctionnement, des valeurs plus faibles indiquant une efficacité plus élevée.
En plus de ces paramètres, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont également des considérations importantes, car ils affectent la capacité du MOSFET à dissiper la chaleur et à maintenir ses performances dans diverses conditions de fonctionnement. Les fonctions de protection comme la résistance aux ESD sont également cruciales pour assurer la fiabilité et la longévité du composant dans les applications sensibles.
Le MOSFET 2N7002KT1G d'onsemi illustre ces considérations, offrant un équilibre entre performance, efficacité et fiabilité pour une large gamme d'applications, y compris les dispositifs automobiles et portables.