Le 2N7002KT1G d'onsemi est un MOSFET à petit signal à canal N conçu pour des applications à haute efficacité. Emballé dans un format compact SOT-23, ce MOSFET supporte une tension de drain à source (VDSS) allant jusqu'à 60V et un courant de drain maximal (ID) de 380mA. Il est caractérisé par une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) qui varie entre 1,6Ω à 10V et 2,5Ω à 4,5V, améliorant l'efficacité globale du composant dans les conceptions de circuits.
Ce composant est conçu avec une protection contre les décharges électrostatiques (ESD), assurant fiabilité et durabilité dans les applications sensibles. Son faible RDS(on) contribue à réduire la dissipation de puissance, le rendant adapté aux applications où l'efficacité énergétique est critique. Le 2N7002KT1G est qualifié AEC-Q101 et capable PPAP, le rendant adapté aux applications automobiles et autres scénarios exigeant des normes de qualité et de fiabilité strictes.
MOSFET
Les MOSFETs (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) sont un composant fondamental dans les circuits électroniques, agissant comme des interrupteurs ou des amplificateurs. Ils sont privilégiés pour leur haute efficacité, leurs vitesses de commutation rapides et leur facilité d'intégration dans diverses conceptions de circuits. Les MOSFETs à canal N, en particulier, sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance en raison de leur capacité à gérer efficacement des niveaux de puissance significatifs.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les ingénieurs considèrent des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)). Le paramètre VDSS indique la tension maximale que le MOSFET peut bloquer lorsqu'il est éteint, tandis que le paramètre ID spécifie le courant maximal qu'il peut gérer lorsqu'il est allumé. La valeur RDS(on) est critique pour évaluer les pertes de puissance pendant le fonctionnement, avec des valeurs plus faibles indiquant une efficacité supérieure.
En plus de ces paramètres, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont également des considérations importantes, car ils affectent la capacité du MOSFET à dissiper la chaleur et à maintenir la performance sous diverses conditions de fonctionnement. Les caractéristiques de protection comme la résistance à l'ESD sont également cruciales pour assurer la fiabilité et la longévité du composant dans les applications sensibles.
Le MOSFET 2N7002KT1G par onsemi illustre ces considérations, offrant un équilibre entre performance, efficacité et fiabilité pour une large gamme d'applications, y compris l'automobile et les dispositifs portables.