Le 2N7002LT3G est un MOSFET canal N d'onsemi, conçu pour les applications de petits signaux et logé dans un boîtier compact SOT-23. Ce composant offre une tension drain-source (VDSS) de 60V et un courant de drain maximal (ID) de 115mA, ce qui le rend adapté à une variété d'applications à faible puissance. Il se caractérise par sa faible résistance à l'état passant et ses capacités de commutation à grande vitesse. Le dispositif est qualifié AEC-Q101, ce qui le rend adapté aux applications automobiles, et il est également sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme RoHS, reflétant l'engagement d'onsemi envers la durabilité environnementale.
Le MOSFET présente une RDS(on) maximale de 7,5Ω à 10V, indiquant son efficacité à conduire le courant avec une perte de puissance minimale. Il supporte également un courant de drain pulsé (IDM) allant jusqu'à 800mA, permettant des opérations transitoires à courant plus élevé. Les caractéristiques thermiques du dispositif assurent un fonctionnement fiable, avec une température de jonction maximale de 150°C. Ses caractéristiques dynamiques incluent une capacité d'entrée (Ciss) de 50pF, ce qui le rend réactif dans les applications de commutation à haute vitesse.
MOSFET
Les MOSFETs (Transistors à effet de champ à grille métal-oxyde) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont caractérisés par leurs bornes de grille, de drain et de source. Les MOSFETs à canal N, tels que le 2N7002LT3G, conduisent le courant lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source, ce qui les rend adaptés à une variété d'applications de commutation.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les ingénieurs prennent en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la tension grille-source (VGS) et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer la tension et le courant, son efficacité et son adéquation aux applications de commutation à grande vitesse. Les caractéristiques thermiques sont également importantes, car elles affectent la fiabilité et la longévité du dispositif dans différentes conditions de fonctionnement.
Les MOSFET sont largement utilisés dans les circuits de gestion de l'alimentation, les systèmes de commande de moteur et dans la commutation de charges dans divers appareils électroniques. Leur capacité à commuter rapidement et avec une grande efficacité les rend précieux pour réduire la consommation d'énergie et la génération de chaleur dans les systèmes électroniques. De plus, le choix entre les MOSFET canal N et canal P dépend des exigences spécifiques du circuit, y compris la direction du flux de courant et le type de charge pilotée.
Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET implique une analyse minutieuse de ses caractéristiques électriques, de ses performances thermiques et des exigences spécifiques de l'application. La fiabilité, l'efficacité et la conformité aux normes environnementales sont également des considérations clés dans le processus de sélection.