Le 2N7002LT3G est un MOSFET N-Canal de onsemi, conçu pour des applications de petits signaux et logé dans un boîtier compact SOT-23. Ce composant offre une tension drain-source (VDSS) de 60V et un courant de drain maximal (ID) de 115mA, le rendant adapté à une variété d'applications à faible puissance. Il est caractérisé par sa faible résistance à l'état passant et ses capacités de commutation à haute vitesse. Le dispositif est qualifié AEC-Q101, le rendant adapté aux applications automobiles, et il est également sans plomb, exempt d'halogène/BFR et conforme à RoHS, reflétant l'engagement de onsemi envers la durabilité environnementale.
Le MOSFET présente un RDS(on) maximal de 7.5Ω à 10V, indiquant son efficacité à conduire le courant avec une perte de puissance minimale. Il prend également en charge un courant de drain pulsé (IDM) allant jusqu'à 800mA, permettant des opérations de courant supérieur transitoires. Les caractéristiques thermiques du dispositif assurent un fonctionnement fiable, avec une température de jonction maximale de 150°C. Ses caractéristiques dynamiques incluent une capacitance d'entrée (Ciss) de 50pF, le rendant réactif dans les applications de commutation à haute vitesse.
MOSFET
Les MOSFETs (transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont caractérisés par leurs bornes de grille, de drain et de source. Les MOSFETs à canal N, tels que le 2N7002LT3G, conduisent le courant lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source, les rendant adaptés à une variété d'applications de commutation.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les ingénieurs considèrent des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la tension grille-source (VGS) et la résistance à l'état passant drain-source statique (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer la tension et le courant, son efficacité et son aptitude aux applications de commutation à haute vitesse. Les caractéristiques thermiques sont également importantes, car elles affectent la fiabilité et la longévité du dispositif sous différentes conditions de fonctionnement.
Les MOSFETs sont largement utilisés dans les circuits de gestion de puissance, les systèmes de contrôle de moteurs et dans la commutation de charges dans divers dispositifs électroniques. Leur capacité à commuter rapidement et avec une haute efficacité les rend précieux pour réduire la consommation d'énergie et la génération de chaleur dans les systèmes électroniques. De plus, le choix entre les MOSFETs à canal N et à canal P dépend des exigences spécifiques du circuit, y compris la direction du flux de courant et le type de charge pilotée.
Globalement, la sélection d'un MOSFET implique une analyse minutieuse de ses caractéristiques électriques, de sa performance thermique et des exigences spécifiques de l'application. La fiabilité, l'efficacité et la conformité aux normes environnementales sont également des considérations clés dans le processus de sélection.