Le 2N7002H6327XTSA2 d'Infineon est un MOSFET N-channel en mode d'amélioration conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Ce composant fonctionne avec une tension drain-source maximale (VDS) de 60V et peut gérer des courants de drain continus (ID) jusqu'à 0.3A à 25°C. Avec une résistance à l'état passant maximale (RDS(on)) de 3Ω à VGS=10V, il offre une capacité de gestion de puissance efficace pour sa taille. Le dispositif présente également une compatibilité de niveau logique, lui permettant d'être piloté directement par des signaux logiques de basse tension.
Ce MOSFET est évalué pour l'avalanche, indiquant sa robustesse dans la gestion des pics d'énergie pendant le fonctionnement. Ses caractéristiques de commutation rapide le rendent adapté aux applications à haute fréquence. Le 2N7002H6327XTSA2 est emballé dans un boîtier compact PG-SOT23, le rendant idéal pour les applications à contraintes d'espace. Il est également conforme RoHS et exempt d'halogènes, adhérant aux normes environnementales actuelles.
Transistor
Les MOSFETs (transistors à effet de champ à oxyde métallique-semiconducteur) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont des composants fondamentaux dans les appareils électroniques modernes, servant une large gamme d'applications allant de la gestion de l'alimentation au traitement du signal. Les MOSFETs à canal N, tels que le 2N7002H6327XTSA2, sont conçus pour conduire entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application particulière, des paramètres clés tels que la tension drain-source (VDS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)) sont importants à considérer. Ces paramètres déterminent les capacités de gestion de la tension et du courant du dispositif, ainsi que son efficacité. La compatibilité avec les niveaux logiques est un autre facteur important, en particulier dans les applications basse tension où le MOSFET doit être piloté directement par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique.
La vitesse à laquelle un MOSFET peut s'allumer et s'éteindre est critique dans les applications à haute fréquence. Une commutation rapide réduit les pertes de puissance et améliore l'efficacité. De plus, les dispositifs évalués pour l'avalanche offrent une fiabilité accrue dans les conditions où des pics de tension peuvent survenir. Le conditionnement est également une considération, avec des boîtiers compacts tels que le PG-SOT23 permettant des conceptions efficaces en espace.
En résumé, la sélection d'un MOSFET implique une évaluation minutieuse de ses caractéristiques électriques, de sa compatibilité avec le signal de commande, de sa performance de commutation et de sa taille physique. Comprendre ces aspects garantira une performance optimale dans l'application prévue.