Le 2N7002H6327XTSA2 d'Infineon est un MOSFET à canal N à enrichissement conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Ce composant fonctionne avec une tension drain-source maximale (VDS) de 60 V et peut gérer des courants de drain continus (ID) jusqu'à 0,3 A à 25 °C. Avec une résistance à l'état passant maximale (RDS(on)) de 3 Ω à VGS=10 V, il offre une capacité de gestion de puissance efficace pour sa taille. Le dispositif présente également une compatibilité de niveau logique, lui permettant d'être piloté directement par des signaux logiques basse tension.
Ce MOSFET est classé avalanche, indiquant sa robustesse dans la gestion des pics d'énergie pendant le fonctionnement. Ses caractéristiques de commutation rapide le rendent adapté aux applications haute fréquence. Le 2N7002H6327XTSA2 est emballé dans un boîtier compact PG-SOT23, ce qui le rend idéal pour les applications à espace restreint. Il est également conforme RoHS et sans halogène, respectant les normes environnementales actuelles.
Transistor
Les MOSFET (Transistors à Effet de Champ à Métal-Oxyde-Semiconducteur) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont des composants fondamentaux dans les dispositifs électroniques modernes, servant une large gamme d'applications allant de la gestion de l'alimentation au traitement du signal. Les MOSFET canal N, tels que le 2N7002H6327XTSA2, sont conçus pour conduire entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application particulière, des paramètres clés tels que la tension drain-source (VDS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)) sont importants à prendre en compte. Ces paramètres déterminent les capacités de gestion de tension et de courant du dispositif, ainsi que son efficacité. La compatibilité du niveau logique est un autre facteur important, en particulier dans les applications basse tension où le MOSFET doit être piloté directement par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique.
La vitesse à laquelle un MOSFET peut s'allumer et s'éteindre est critique dans les applications haute fréquence. Une commutation rapide réduit les pertes de puissance et améliore l'efficacité. De plus, les dispositifs classés pour l'avalanche offrent une fiabilité accrue dans des conditions où des pics de tension peuvent se produire. Le conditionnement est également une considération, avec des boîtiers compacts tels que le PG-SOT23 permettant des conceptions économes en espace.
En résumé, la sélection d'un MOSFET implique une évaluation minutieuse de ses caractéristiques électriques, de sa compatibilité avec le signal de commande, de ses performances de commutation et de sa taille physique. Comprendre ces aspects garantira des performances optimales dans l'application prévue.