2N7002: MOSFET N-canal, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Le 2N7002 est un petit signal MOSFET N-Canal conçu et fabriqué par onsemi. Utilisant la technologie DMOS à haute densité de cellules d'onsemi, ce MOSFET est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation élevées et une fiabilité. Il est particulièrement adapté pour les applications à faible tension, à faible courant, offrant une solution efficace pour la commande de grille de MOSFET de puissance et d'autres opérations de commutation.

Le composant est encapsulé dans un boîtier SOT-23, offrant une empreinte compacte adaptée à diverses conceptions électroniques. Sa conception cible les applications nécessitant une gestion et un contrôle efficaces de la puissance, comme le contrôle des moteurs servo, où ses capacités de commutation rapide et sa robustesse sont bénéfiques. L'appareil est également remarqué pour sa capacité de courant de saturation élevée, améliorant encore sa performance dans les applications exigeantes.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 60V
  • Tension Grille-Source (VGSS) : ±20V
  • Courant de Drain Continu (ID) : 200mA
  • Courant de Drain Pulsé (IDM) : 500mA
  • Dissipation de Puissance (PD) : 400mW
  • Résistance Thermique, Jonction à Ambiant (RθJA) : 625°C/W
  • Tension de Seuil de Grille (VGS(th)) : 1 à 2.5V
  • Résistance à l'état passant Drain-Source Statique (RDS(on)) : 1.2 à 7.5Ω
  • Plage de Température de Fonctionnement et de Stockage : -55 à 150°C

2N7002 Fiche technique

2N7002 fiche technique (PDF)

Substituts de 2N7002
Pièces de rechange équivalentes qui peuvent servir de substitut à 2N7002, les composants les plus populaires en premier

Applications

  • Gestion de l'alimentation basse tension
  • Contrôle de servo-moteur
  • Commande de grille de MOSFET de puissance
  • Applications de commutation à usage général

Catégorie

Transistor

Informations générales

Les MOSFET N-Channel sont des composants fondamentaux dans la conception électronique, servant de commutateurs ou d'amplificateurs efficaces dans les circuits. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un 'canal', dans ce cas, un matériau semi-conducteur de type N, permettant ou empêchant le flux de courant entre les bornes de drain et de source. La borne de grille reçoit la tension de contrôle.

Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, plusieurs facteurs sont importants : la tension maximale drain-source (VDSS), qui indique la tension maximale que le MOSFET peut bloquer ; le courant de drain (ID), qui est le courant maximal que le dispositif peut conduire ; et la tension grille-source (VGSS), qui est la plage de tension que la grille peut gérer en toute sécurité. De plus, la résistance à l'état passant (RDS(on)) est cruciale car elle affecte la perte de puissance et l'efficacité du MOSFET dans son état conducteur.

Les applications pour les MOSFET N-Canal sont vastes, allant de la gestion et la conversion de puissance au contrôle de moteur et à l'amplification de signal. Leur capacité à commuter rapidement et avec une haute efficacité les rend adaptés pour les circuits analogiques et numériques. Les ingénieurs doivent considérer les besoins spécifiques de leur application, y compris la gestion du courant nécessaire, les niveaux de tension et la vitesse de commutation, pour sélectionner le MOSFET approprié.

De plus, la gestion thermique est une considération significative en raison de la chaleur générée pendant le fonctionnement. La résistance thermique et la température maximale de jonction sont des spécifications clés qui aident à garantir que le MOSFET fonctionne dans des limites de température sûres, préservant sa fiabilité et sa longévité.

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