2N7002: MOSFET Canal N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

Le 2N7002 est un petit signal MOSFET à canal N conçu et fabriqué par onsemi. Utilisant la technologie DMOS à haute densité de cellules d'onsemi, ce MOSFET est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation et une fiabilité élevées. Il est particulièrement adapté aux applications basse tension et faible courant, offrant une solution efficace pour le pilotage de grille de MOSFET de puissance et d'autres opérations de commutation.

Le composant est encapsulé dans un boîtier SOT-23, offrant une empreinte compacte adaptée à diverses conceptions électroniques. Sa conception cible les applications nécessitant une gestion et un contrôle efficaces de l'énergie, comme le contrôle de servomoteurs, où ses capacités de commutation rapide et sa robustesse sont bénéfiques. Le dispositif est également noté pour sa capacité de courant de saturation élevée, améliorant encore ses performances dans les applications exigeantes.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension Drain-Source (VDSS) : 60V
  • Tension Grille-Source (VGSS) : ±20V
  • Courant de Drain Continu (ID) : 200mA
  • Courant de Drain Pulsé (IDM) : 500mA
  • Dissipation de Puissance (PD) : 400mW
  • Résistance Thermique, Jonction à Ambiant (RθJA) : 625°C/W
  • Tension de Seuil de Grille (VGS(th)) : 1 à 2,5V
  • Résistance Statique Drain-Source à l'état passant (RDS(on)) : 1,2 à 7,5Ω
  • Plage de Température de Fonctionnement et de Stockage : -55 à 150°C

Fiche technique 2N7002

Fiche technique 2N7002 (PDF)

Substituts pour 2N7002
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 2N7002, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Gestion de l'alimentation basse tension
  • Contrôle de servomoteur
  • Pilotage de grille de MOSFET de puissance
  • Applications de commutation à usage général

Catégorie

Transistor

Informations générales

Les MOSFET à canal N sont des composants fondamentaux dans la conception électronique, servant de commutateurs ou d'amplificateurs efficaces dans les circuits. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un « canal », dans ce cas, un matériau semi-conducteur de type N, permettant ou empêchant le flux de courant entre les bornes de drain et de source. La borne de grille reçoit la tension de commande.

Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, plusieurs facteurs sont importants : la tension drain-source maximale (VDSS), qui indique la tension maximale que le MOSFET peut bloquer ; le courant de drain (ID), qui est le courant maximal que le dispositif peut conduire ; et la tension grille-source (VGSS), qui est la plage de tension que la grille peut supporter en toute sécurité. De plus, la résistance à l'état passant (RDS(on)) est cruciale car elle affecte la perte de puissance et l'efficacité du MOSFET dans son état conducteur.

Les applications des MOSFET à canal N sont vastes, allant de la gestion et de la conversion de puissance au contrôle de moteurs et à l'amplification de signaux. Leur capacité à commuter rapidement et avec une grande efficacité les rend adaptés aux circuits analogiques et numériques. Les ingénieurs doivent tenir compte des exigences spécifiques de leur application, notamment la gestion du courant nécessaire, les niveaux de tension et la vitesse de commutation, pour sélectionner le MOSFET approprié.

De plus, la gestion thermique est une considération importante en raison de la chaleur générée pendant le fonctionnement. La résistance thermique et la température de jonction maximale sont des spécifications clés qui aident à garantir que le MOSFET fonctionne dans des limites de température sûres, préservant sa fiabilité et sa longévité.

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