Le 2N7002K-T1-GE3 est un MOSFET à canal N de Vishay Siliconix, conçu pour les applications de commutation rapide. Il fonctionne à une tension drain-source (VDS) de 60V, avec un courant de drain maximal (ID) de 0,3A. Le dispositif présente une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) de 2 Ohm lorsque VGS est de 10V, contribuant à son efficacité dans le fonctionnement du circuit. De plus, il bénéficie d'une faible tension de seuil de 2V (typique) et d'une vitesse de commutation rapide de 25ns, améliorant ses performances dans les circuits à haute vitesse.
Ce MOSFET est encapsulé dans un boîtier compact SOT-23 (TO-236), ce qui le rend adapté aux applications à espace restreint. Il offre également une faible fuite d'entrée et de sortie, une faible capacité d'entrée de 25pF, et est équipé d'une protection ESD de 2000V, assurant la fiabilité dans diverses conditions de fonctionnement. Le 2N7002K-T1-GE3 est conçu pour les applications nécessitant une commutation à grande vitesse et un fonctionnement à basse tension, ce qui en fait un choix idéal pour les interfaces de niveau logique direct, les pilotes, les systèmes fonctionnant sur batterie et les relais à semi-conducteurs.
MOSFET
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification des signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un canal dans un matériau semi-conducteur. Les MOSFET à canal N sont particulièrement réputés pour leur haute efficacité et leurs capacités de commutation rapide.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, plusieurs paramètres clés doivent être pris en compte, notamment la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain continu (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du dispositif à gérer la tension et le courant dans des applications spécifiques. De plus, la vitesse de commutation, représentée par les temps d'activation et de désactivation, est critique pour les applications nécessitant une commutation rapide.
La tension de seuil (VGS(th)) est un autre facteur important, indiquant la tension grille-source minimale requise pour activer le dispositif. Des tensions de seuil plus basses peuvent être avantageuses dans les applications basse tension. Les capacités d'entrée et de sortie affectent la vitesse de commutation et la consommation d'énergie lors des événements de commutation.
Les MOSFET à canal N sont utilisés dans une large gamme d'applications, de la gestion et de la conversion de puissance au traitement du signal et aux circuits de commutation à grande vitesse. Leur polyvalence et leur efficacité en font des composants essentiels dans la conception électronique moderne.