Le 2N7002K-T1-GE3 est un MOSFET N-Canal de Vishay Siliconix, conçu pour des applications de commutation rapide. Il fonctionne à une tension drain-source (VDS) de 60V, avec un courant de drain maximal (ID) de 0,3A. Le dispositif présente une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) de 2 Ohm lorsque VGS est de 10V, contribuant à son efficacité dans le fonctionnement du circuit. De plus, il se vante d'une faible tension de seuil de 2V (typique) et d'une vitesse de commutation rapide de 25ns, améliorant sa performance dans les circuits à haute vitesse.
Ce MOSFET est encapsulé dans un boîtier compact SOT-23 (TO-236), le rendant adapté aux applications à espace restreint. Il offre également une faible fuite en entrée et en sortie, une faible capacité d'entrée de 25pF et est équipé d'une protection ESD de 2000V, assurant la fiabilité dans diverses conditions de fonctionnement. Le 2N7002K-T1-GE3 est conçu pour les applications nécessitant une commutation à haute vitesse et un fonctionnement à basse tension, le rendant un choix idéal pour les interfaces de niveau logique direct, les pilotes, les systèmes alimentés par batterie et les relais à semi-conducteurs.
MOSFET
Les MOSFET N-Canal sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification des signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un canal dans un matériau semi-conducteur. Les MOSFET N-Canal sont particulièrement remarqués pour leur haute efficacité et leurs capacités de commutation rapide.
Lors de la sélection d'un MOSFET N-Canal, plusieurs paramètres clés doivent être considérés, y compris la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain continu (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du dispositif à gérer la tension et le courant dans des applications spécifiques. De plus, la vitesse de commutation, représentée par les temps de mise en marche et d'arrêt, est critique pour les applications nécessitant une commutation rapide.
La tension de seuil (VGS(th)) est un autre facteur important, indiquant la tension de grille-source minimale requise pour activer le dispositif. Des tensions de seuil plus basses peuvent être avantageuses dans les applications basse tension. Les capacitances d'entrée et de sortie affectent la vitesse de commutation et la consommation d'énergie pendant les événements de commutation.
Les MOSFET N-Canal sont utilisés dans une large gamme d'applications, allant de la gestion et la conversion de l'énergie au traitement de signal et aux circuits de commutation à haute vitesse. Leur polyvalence et leur efficacité en font des composants essentiels dans la conception électronique moderne.