Le 2N7002-7-F est un MOSFET à mode d'enrichissement à canal N conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Ce MOSFET présente une tension drain-source maximale (VDSS) de 60V, un courant de drain continu (ID) de 210mA et une RDS(ON) maximale de 7,5Ω à une tension grille-source (VGS) de 5V. Sa conception est optimisée pour une haute efficacité dans les applications de gestion de l'énergie, combinant une faible tension de seuil de grille, une faible capacité d'entrée et une vitesse de commutation rapide dans un petit boîtier SOT-23 à montage en surface.
Ce composant convient à une gamme d'applications, y compris le contrôle moteur et les fonctions de gestion de l'alimentation, où une gestion efficace de l'énergie et des performances fiables sont importantes. Le 2N7002-7-F est fabriqué par Diodes Inc. et est entièrement conforme aux normes RoHS, ce qui en fait un choix approprié pour les applications soucieuses de l'environnement.
Transistor
Les MOSFET à mode d'enrichissement à canal N sont largement utilisés dans les circuits électroniques pour leur efficacité et leur fiabilité dans les applications de commutation. Ces composants fonctionnent en permettant au courant de circuler entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension suffisante est appliquée à la borne de grille, agissant efficacement comme un interrupteur. La désignation Canal N fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui conduisent le courant à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs prennent en compte plusieurs paramètres clés, notamment la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID) et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les exigences de tension et de courant de l'application, ainsi que son efficacité. La tension grille-source (VGSS) est également importante, car elle affecte la tension requise pour allumer et éteindre le dispositif.
Dans les applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie et une commutation rapide, la faible RDS(ON) et la vitesse de commutation rapide du MOSFET sont particulièrement précieuses. La petite taille du boîtier, comme le SOT-23, est également avantageuse pour les conceptions à espace restreint. De plus, la conformité aux normes environnementales telles que RoHS est souvent une considération dans la sélection des composants.
Dans l'ensemble, les MOSFETs à canal N comme le 2N7002-7-F sont essentiels pour une large gamme d'applications, du contrôle moteur aux fonctions de gestion de l'alimentation, où une commutation de puissance efficace et fiable est requise.