Le 2N7002-7-F est un MOSFET N-Canal en mode d'amélioration conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Ce MOSFET présente une tension maximale drain-source (VDSS) de 60V, un courant de drain continu (ID) de 210mA et un RDS(ON) maximal de 7.5Ω à une tension de grille-source (VGS) de 5V. Sa conception est optimisée pour une haute efficacité dans les applications de gestion de puissance, combinant une faible tension de seuil de grille, une faible capacité d'entrée et une vitesse de commutation rapide dans un petit boîtier de montage en surface SOT-23.
Ce composant est adapté à une gamme d'applications, incluant le contrôle de moteurs et les fonctions de gestion de puissance, où une gestion efficace de la puissance et une performance fiable sont importantes. Le 2N7002-7-F est fabriqué par Diodes Inc. et est entièrement conforme aux normes RoHS, le rendant un choix adapté pour les applications soucieuses de l'environnement.
Transistor
Les MOSFETs N-Canal en mode d'amélioration sont largement utilisés dans les circuits électroniques pour leur efficacité et leur fiabilité dans les applications de commutation. Ces composants fonctionnent en permettant le flux de courant entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension suffisante est appliquée à la borne de grille, agissant efficacement comme un interrupteur. La désignation N-Canal fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui conduisent le courant à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les ingénieurs considèrent plusieurs paramètres clés, y compris la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID) et la résistance statique drain-source (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les exigences de tension et de courant de l'application, ainsi que son efficacité. La tension de grille-source (VGSS) est également importante, car elle affecte la tension requise pour activer et désactiver le dispositif.
Dans les applications nécessitant une gestion de l'alimentation efficace et une commutation rapide, la faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) et la vitesse de commutation rapide du MOSFET sont particulièrement précieuses. La petite taille du boîtier, telle que le SOT-23, est également avantageuse pour les conceptions à espace limité. De plus, la conformité aux normes environnementales telles que RoHS est souvent une considération dans la sélection des composants.
Dans l'ensemble, les MOSFETs N-Canal comme le 2N7002-7-F sont essentiels pour une large gamme d'applications, allant du contrôle des moteurs aux fonctions de gestion de l'alimentation, où une commutation de puissance efficace et fiable est requise.