Le 2N7002K-7 de Diodes Inc. est un MOSFET à canal N en mode enrichissement conçu pour une gestion efficace de l'énergie et des applications de contrôle moteur. Il est livré dans un boîtier compact SOT23, ce qui le rend adapté aux configurations de PCB à haute densité. Ce MOSFET se caractérise par sa faible résistance à l'état passant (RDS(ON)) et ses capacités de commutation rapide, qui sont cruciales pour minimiser les pertes de puissance et améliorer l'efficacité globale du système.
Avec une tension drain-source maximale (VDSS) de 60V et une capacité de courant de drain continu (ID) allant jusqu'à 380mA à 25°C, le 2N7002K-7 est bien adapté à une large gamme d'applications. Il présente également de faibles courants de fuite d'entrée et de sortie, garantissant un gaspillage d'énergie minimal lorsqu'il est à l'état bloqué. Le dispositif est protégé contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu'à 2kV, offrant une fiabilité et une robustesse supplémentaires dans les environnements difficiles.
MOSFET
Les MOSFETs à mode d'enrichissement à canal N sont des dispositifs semi-conducteurs largement utilisés dans les circuits électroniques à des fins de commutation et d'amplification. Ces composants fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler la conductivité d'un canal dans un matériau semi-conducteur, permettant ou bloquant le flux de courant.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte plusieurs paramètres clés tels que la tension drain-source (VDSS), le courant de drain continu (ID) et la résistance drain-source statique à l'état passant (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de tension et de courant dans une application donnée, ainsi que son efficacité et ses performances thermiques.
De plus, la vitesse de commutation, la capacité d'entrée et le boîtier sont également des facteurs importants. Des vitesses de commutation rapides sont souhaitables pour réduire les pertes de commutation, tandis qu'une faible capacité d'entrée aide à atteindre des fréquences de fonctionnement plus élevées. Le type de boîtier influence la gestion thermique et l'intégration physique du MOSFET dans le circuit.
Les MOSFET à canal N sont couramment utilisés dans les circuits d'alimentation, les applications de commande de moteur et comme éléments de commutation dans divers appareils électroniques. Leur capacité à contrôler efficacement des courants et des tensions élevés tout en minimisant les pertes de puissance en fait des composants essentiels dans la conception électronique moderne.