Le 2N7002LT1G de onsemi est un MOSFET canal N conçu pour des applications de commutation de petits signaux. Logé dans un boîtier compact SOT-23, ce MOSFET supporte une tension drain-source (VDSS) allant jusqu'à 60V et un courant de drain continu (ID) de 115mA à 25°C. Il présente une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) de 7,5 Ohms à VGS = 10V, améliorant son efficacité dans le fonctionnement du circuit.
Le dispositif offre également une performance thermique robuste avec une résistance thermique maximale jonction-ambiance (RθJA) de 556 °C/W sur une carte FR-5. Pour les applications nécessitant une efficacité thermique supérieure, la performance du dispositif sur un substrat d'alumine montre une RθJA améliorée de 417 °C/W. Le 2N7002LT1G est conçu pour gérer des courants de drain pulsés (IDM) jusqu'à 800mA, offrant une flexibilité pour une gamme de besoins de conception. Ses caractéristiques dynamiques incluent des capacitances d'entrée, de sortie et de transfert inverse, facilitant la modélisation précise dans les applications de commutation.
MOSFET
Les MOSFETs (Transistors à Effet de Champ Métal-Oxyde-Semiconducteur) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont largement utilisés dans les dispositifs électroniques en raison de leur haute impédance d'entrée, qui minimise le courant tiré de la source d'entrée, et leur capacité à fonctionner à haute vitesse. Les MOSFETs N-Canal, comme le 2N7002LT1G, conduisent lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source, les rendant adaptés à une variété d'applications, y compris la gestion de l'alimentation, la commutation de charge et l'amplification de signal.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les paramètres importants à considérer incluent la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la résistance à l'état passant (RDS(on)) et les caractéristiques thermiques. La notation VDSS indique la tension maximale que le MOSFET peut bloquer lorsqu'il est éteint, tandis que la notation ID fournit le courant maximal qu'il peut conduire lorsqu'il est allumé. La valeur RDS(on) est cruciale pour l'efficacité énergétique, car des valeurs plus faibles entraînent moins de dissipation de puissance. Les caractéristiques thermiques, telles que la résistance thermique jonction-ambiance (RθJA), sont également importantes pour assurer que le dispositif fonctionne dans des limites de température sûres.
En plus de ces paramètres, les caractéristiques de commutation du MOSFET, telles que les temps d'activation et de désactivation, sont cruciales pour les applications nécessitant des vitesses de commutation rapides. Les caractéristiques de la diode de corps, qui décrivent le comportement de la diode intrinsèque entre le drain et la source, sont pertinentes pour les applications impliquant un flux de courant inverse. Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET doit être basée sur une évaluation complète de sa performance électrique et thermique pour répondre aux exigences spécifiques de l'application prévue.