Le 2N7002LT1G d'onsemi est un MOSFET à canal N conçu pour les applications de commutation de petits signaux. Logé dans un boîtier compact SOT-23, ce MOSFET supporte une tension drain-source (VDSS) allant jusqu'à 60V et un courant de drain continu (ID) de 115mA à 25°C. Il présente une faible résistance à l'état passant (RDS(on)) de 7,5 Ohms à VGS = 10V, améliorant son efficacité dans le fonctionnement du circuit.
Le dispositif offre également des performances thermiques robustes avec une résistance thermique jonction-ambiante maximale (RθJA) de 556 °C/W sur une carte FR-5. Pour les applications nécessitant une efficacité thermique plus élevée, les performances du dispositif sur un substrat d'alumine montrent une RθJA améliorée de 417 °C/W. Le 2N7002LT1G est conçu pour gérer des courants de drain pulsés (IDM) jusqu'à 800 mA, offrant une flexibilité pour une gamme d'exigences de conception. Ses caractéristiques dynamiques incluent les capacités d'entrée, de sortie et de transfert inverse, facilitant une modélisation précise dans les applications de commutation.
MOSFET
Les MOSFET (transistors à effet de champ à grille métal-oxyde) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont largement utilisés dans les appareils électroniques en raison de leur impédance d'entrée élevée, qui minimise la consommation de courant de la source d'entrée, et de leur capacité à fonctionner à des vitesses élevées. Les MOSFET à canal N, comme le 2N7002LT1G, conduisent lorsqu'une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source, ce qui les rend adaptés à une variété d'applications, notamment la gestion de l'alimentation, la commutation de charge et l'amplification de signal.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les paramètres importants à prendre en compte incluent la tension drain-source (VDSS), le courant de drain (ID), la résistance à l'état passant (RDS(on)) et les caractéristiques thermiques. La valeur nominale VDSS indique la tension maximale que le MOSFET peut bloquer lorsqu'il est éteint, tandis que la valeur nominale ID fournit le courant maximal qu'il peut conduire lorsqu'il est allumé. La valeur RDS(on) est critique pour l'efficacité énergétique, car des valeurs plus faibles entraînent moins de dissipation de puissance. Les caractéristiques thermiques, telles que la résistance thermique jonction-ambiante (RθJA), sont également importantes pour garantir que le dispositif fonctionne dans des limites de température sûres.
En plus de ces paramètres, les caractéristiques de commutation du MOSFET, telles que les temps d'activation et de désactivation, sont cruciales pour les applications nécessitant des vitesses de commutation rapides. Les caractéristiques de la diode de corps, qui décrivent le comportement de la diode intrinsèque entre le drain et la source, sont pertinentes pour les applications impliquant un flux de courant inverse. Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET doit être basée sur une évaluation complète de ses performances électriques et thermiques pour répondre aux exigences spécifiques de l'application prévue.