Le 2N7002BK de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N qui utilise la technologie Trench MOSFET. Il est conditionné dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (CMS), conçu pour les applications de niveau logique avec des capacités de commutation très rapides. Le composant est équipé d'une protection ESD jusqu'à 2 kV, assurant des performances robustes dans diverses applications.
Ce MOSFET est caractérisé par une tension drain-source (VDS) de 60 V et un courant de drain (ID) de 350 mA à 25°C, avec une tension grille-source (VGS) de ±20 V. La résistance à l'état passant drain-source (RDSon) est spécifiée entre 1 et 1,6 Ω à une tension grille-source de 10 V et un courant de drain de 500 mA. Ses caractéristiques thermiques et ses paramètres dynamiques, y compris la charge totale de grille et la capacité d'entrée/sortie, sont optimisés pour les applications de commutation à grande vitesse.
MOSFET
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) qui sont principalement utilisés pour la commutation et l'amplification de signaux électroniques dans divers types d'appareils électroniques. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de source et de drain. Le canal N fait référence au type de porteur de charge (électrons) qui circule à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), le courant de drain (ID), la tension grille-source (VGS) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). D'autres facteurs importants incluent les capacités de dissipation de puissance du dispositif, la résistance thermique et toutes les caractéristiques de protection telles que la protection ESD.
Les MOSFET sont intégraux dans la conception des circuits d'alimentation, des circuits de commande de moteur et comme commutateurs dans divers appareils électroniques. Leur capacité à commuter rapidement les rend adaptés aux applications à grande vitesse et haute fréquence. Le choix du boîtier (par exemple, SOT23) est également crucial, affectant la gestion thermique et l'encombrement global du composant dans une conception de circuit.
Dans l'ensemble, la sélection d'un MOSFET à canal N doit être guidée par les exigences spécifiques de l'application, notamment la tension et les niveaux de courant de fonctionnement, la vitesse de commutation, les considérations thermiques et les contraintes de boîtier.