Le 2N7002BK de Nexperia est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'amélioration N-channel qui utilise la technologie MOSFET à tranchée. Il est emballé dans un boîtier plastique de dispositif monté en surface (SMD) SOT23 (TO-236AB) compact, conçu pour des applications de niveau logique avec des capacités de commutation très rapides. Le composant est équipé d'une protection ESD jusqu'à 2 kV, assurant une performance robuste dans diverses applications.
Ce MOSFET est caractérisé par une tension drain-source (VDS) de 60 V et un courant de drain (ID) de 350 mA à 25°C, avec une tension grille-source (VGS) de ±20 V. La résistance à l'état passant drain-source (RDSon) est spécifiée entre 1 et 1,6 Ω à une tension grille-source de 10 V et un courant de drain de 500 mA. Ses caractéristiques thermiques et paramètres dynamiques, y compris la charge totale de la grille et les capacitances d'entrée/sortie, sont optimisées pour des applications de commutation à haute vitesse.
MOSFET
Les MOSFET canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) principalement utilisés pour la commutation et l'amplification des signaux électroniques dans divers types de dispositifs électroniques. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de source et de drain. Canal N fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui circulent à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), le courant de drain (ID), la tension grille-source (VGS) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). D'autres facteurs importants incluent les capacités de dissipation de puissance du dispositif, la résistance thermique et toute caractéristique de protection telle que la protection ESD.
Les MOSFETs sont intégraux dans la conception des circuits d'alimentation, des circuits de contrôle de moteur et comme interrupteurs dans divers dispositifs électroniques. Leur capacité à commuter rapidement les rend appropriés pour des applications à haute vitesse et à haute fréquence. Le choix du boîtier (par exemple, SOT23) est également crucial, affectant la gestion thermique et l'empreinte globale du composant dans une conception de circuit.
Globalement, la sélection d'un MOSFET canal N doit être guidée par les exigences spécifiques de l'application, y compris les niveaux de tension et de courant de fonctionnement, la vitesse de commutation, les considérations thermiques et les contraintes de conditionnement.