Le Nexperia 2N7002P est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N qui utilise la technologie Trench MOSFET pour fournir une efficacité élevée et des capacités de commutation rapides. Conditionné dans un petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (CMS), il est conçu pour les applications à espace restreint. Ce composant est qualifié AEC-Q101, ce qui le rend adapté aux applications automobiles, et dispose d'une compatibilité de niveau logique pour une utilisation facile dans divers circuits.
Avec ses caractéristiques de commutation très rapides, le 2N7002P est idéal pour les applications nécessitant un fonctionnement à grande vitesse. La technologie Trench MOSFET employée dans ce composant assure une faible résistance à l'état passant, contribuant à son efficacité dans les tâches de gestion de l'énergie. Son boîtier compact SOT23 permet une utilisation efficace de l'espace PCB, ce qui en fait un choix polyvalent pour une large gamme de conceptions électroniques.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET) sont un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification. Les FET à canal N, tels que le 2N7002P, conduisent le courant le long d'un chemin semi-conducteur de type n lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille, contrôlant ainsi le flux entre les bornes de drain et de source.
Lors de la sélection d'un FET à canal N, les considérations importantes incluent la tension drain-source maximale (VDS), la tension grille-source (VGS) et le courant de drain (ID) que le dispositif peut gérer. La résistance à l'état passant (RDSon) est également cruciale, car elle affecte l'efficacité énergétique du dispositif. De plus, la taille du boîtier et les caractéristiques thermiques doivent correspondre aux exigences d'espace et de gestion thermique de l'application.
Les FET à canal N sont utilisés dans une variété d'applications, de la gestion de l'alimentation et de la commutation à l'amplification du signal. Leurs vitesses de commutation rapides et leur haute efficacité les rendent adaptés aux circuits numériques et analogiques. Les ingénieurs doivent tenir compte des exigences spécifiques de leur application, y compris la tension de fonctionnement, le courant, la vitesse de commutation et les considérations thermiques, lors de la sélection d'un FET à canal N.