Le 2N7002K est un MOSFET à mode d'enrichissement canal N de 60V conçu pour les applications de commutation haute performance. Il dispose d'une technologie de processus de tranchée avancée qui permet une résistance à l'état passant ultra-faible et un courant de fuite très faible à l'état bloqué, ce qui le rend très efficace pour les tâches de gestion de l'alimentation. Le MOSFET est protégé contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu'à 2KV HBM, assurant sa robustesse dans les environnements sensibles.
Ce composant est spécialement conçu pour les systèmes fonctionnant sur batterie et est idéal pour piloter des relais statiques, des affichages et des modules de mémoire. Son boîtier compact SOT-23 permet des conceptions peu encombrantes, tandis que la conception de cellules à haute densité contribue à sa faible résistance à l'état passant. Avec une tension drain-source maximale de 60V et une capacité de courant de drain continu de 300mA, ce MOSFET est polyvalent pour une large gamme d'applications.
MOSFET
Les MOSFET à canal N sont un composant critique dans les circuits électroniques, fonctionnant comme des commutateurs ou des amplificateurs pour les signaux électriques. Ils sont largement utilisés en raison de leur efficacité, de leur fiabilité et de leur capacité à gérer des niveaux de puissance importants. Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, des facteurs tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain continu (ID) et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)) sont primordiaux. Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à contrôler le flux de courant efficacement et sans génération de chaleur excessive.
Le MOSFET 2N7002K utilise une technologie de tranchée avancée pour une résistance à l'état passant ultra-faible, ce qui est crucial pour minimiser la perte de puissance et améliorer l'efficacité dans les applications de gestion de l'énergie. Sa fonction de protection ESD le rend adapté à une utilisation dans des environnements où les décharges électrostatiques pourraient présenter un risque pour le fonctionnement des appareils électroniques. De plus, son boîtier compact SOT-23 est bénéfique pour les conceptions où l'espace est limité.
Lors du choix d'un MOSFET pour une application spécifique, il est important de prendre en compte l'environnement de fonctionnement, y compris la température et l'exposition potentielle aux décharges électrostatiques. La conception à haute densité de cellules du 2N7002K et son très faible courant de fuite en font un excellent choix pour les systèmes fonctionnant sur batterie, où l'efficacité énergétique est critique. De plus, sa capacité à piloter des relais statiques et d'autres dispositifs à faible puissance en fait un composant polyvalent pour une large gamme de conceptions électroniques.
En résumé, le MOSFET Canal-N 2N7002K est un composant hautement efficace et protégé contre les ESD, adapté à une variété d'applications. Sa technologie avancée et son emballage compact offrent des avantages significatifs aux ingénieurs à la recherche de solutions fiables et économes en espace.