Le PMV120ENEA est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N qui utilise la technologie MOSFET à tranchée, logé dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (SMD). Ce composant est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation au sein des circuits électroniques, offrant des capacités de commutation rapide et une compatibilité de niveau logique, ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications.
Les caractéristiques clés incluent une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV selon le modèle du corps humain (HBM), assurant robustesse et fiabilité dans les environnements difficiles. De plus, le PMV120ENEA est qualifié AEC-Q101, indiquant son adéquation pour les applications automobiles. Sa technologie Trench MOSFET permet des performances améliorées en termes d'efficacité énergétique et de gestion thermique par rapport aux MOSFET traditionnels.
MOSFET
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification de signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de source et de drain. La désignation canal N fait référence à l'utilisation d'électrons chargés négativement comme porteurs de charge.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, plusieurs paramètres clés doivent être pris en compte, notamment la tension drain-source, la tension grille-source, le courant de drain et la résistance à l'état passant. Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de tension et de courant, ainsi que son efficacité et ses performances thermiques.
Les MOSFET sont des composants essentiels dans la gestion de l'alimentation, le pilotage de charges et les applications de commutation de signaux. Leur vitesse de commutation rapide, leur rendement élevé et leur capacité à gérer des niveaux de puissance importants les rendent adaptés à une large gamme d'applications, de l'électronique grand public aux systèmes automobiles.
La technologie MOSFET à tranchée, telle qu'utilisée dans le PMV120ENEA, offre des performances améliorées en réduisant la résistance à l'état passant et en améliorant les caractéristiques thermiques, conduisant à une utilisation plus efficace de l'énergie et à une réduction de la génération de chaleur. Cette technologie est particulièrement bénéfique dans les applications nécessitant une densité de puissance et une efficacité élevées.