Le BSS138BKVL de NXP Semiconductors est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement canal N utilisant la technologie Trench MOSFET. Il est encapsulé dans un petit boîtier plastique CMS (Composant Monté en Surface) SOT23 (TO-236AB), qui offre une empreinte compacte pour les conceptions où l'espace est limité. Ce composant est conçu pour être compatible avec les niveaux logiques, permettant une intégration facile dans les circuits numériques.
Les principales caractéristiques du BSS138BKVL incluent des capacités de commutation très rapides et une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu'à 1,5 kV, protégeant le dispositif pendant la manipulation et le fonctionnement. La technologie Trench MOSFET utilisée dans ce composant offre des caractéristiques de performance améliorées par rapport aux MOSFET traditionnels, telles qu'une résistance à l'état passant plus faible et une charge de grille réduite, ce qui contribue à une efficacité plus élevée dans les applications.
MOSFET
Les MOSFET à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques à des fins de commutation et d'amplification. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source. Le canal N fait référence au type de porteur de charge (électrons) qui circule à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N pour une application spécifique, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source, la tension grille-source, le courant de drain, la résistance à l'état passant et la dissipation de puissance. Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de tension et de courant requis, ainsi que son efficacité et ses performances thermiques.
Les MOSFET à canal N sont couramment utilisés dans les applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie, telles que les alimentations, les contrôleurs de moteur et les circuits de commutation. Leur capacité à basculer rapidement entre les états marche et arrêt avec une perte de puissance minimale les rend idéaux pour les applications à haute vitesse et à haute efficacité. De plus, l'intégration de fonctionnalités telles que la protection ESD et la compatibilité avec les niveaux logiques peut simplifier la conception du circuit et améliorer la fiabilité.