Le BSS138BKVL par NXP Semiconductors est un transistor à effet de champ (FET) à canal N en mode d'amélioration utilisant la technologie MOSFET à tranchée. Il est encapsulé dans un petit boîtier plastique SMD (Surface-Mounted Device) SOT23 (TO-236AB), qui offre une empreinte compacte pour les conceptions où l'espace est limité. Ce composant est conçu pour être compatible au niveau logique, permettant une intégration facile dans les circuits numériques.
Les caractéristiques clés du BSS138BKVL incluent des capacités de commutation très rapides et une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (ESD) jusqu'à 1.5 kV, protégeant le dispositif pendant la manipulation et l'opération. La technologie MOSFET à tranchée employée dans ce composant offre des caractéristiques de performance améliorées par rapport aux MOSFETs traditionnels, telles qu'une résistance à l'état passant plus faible et une charge de grille réduite, qui contribuent à une plus grande efficacité dans les applications.
MOSFET
Les MOSFET N-Canal sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour des fins de commutation et d'amplification. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source. N-Canal fait référence au type de porteur de charge (électrons) qui circule à travers le dispositif.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N pour une application spécifique, les ingénieurs doivent considérer des paramètres tels que la tension drain-source, la tension grille-source, le courant de drain, la résistance à l'état passant, et la dissipation de puissance. Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de tension et de courant requis, ainsi que son efficacité et sa performance thermique.
Les MOSFETs de type N sont couramment utilisés dans les applications nécessitant une gestion efficace de la puissance, telles que les alimentations, les contrôleurs de moteur et les circuits de commutation. Leur capacité à commuter rapidement entre les états ouvert et fermé avec une perte de puissance minimale les rend idéaux pour les applications à haute vitesse et à haute efficacité. De plus, l'intégration de fonctionnalités telles que la protection ESD et la compatibilité au niveau logique peut simplifier la conception des circuits et améliorer la fiabilité.