2N7002ET7G: MOSFET canal N, 60V, 310mA, SOT-23, faible RDS(on)
onsemi

Le 2N7002ET7G est un MOSFET à canal N d'onsemi, conçu pour une gestion efficace de l'énergie et des applications de commutation. Il présente une tension drain-source (VDS) de 60V et un courant de drain continu maximal (ID) de 310mA, ce qui le rend adapté à une variété d'applications à faible puissance. Ce composant utilise la technologie trench pour atteindre de faibles valeurs de résistance à l'état passant (RDS(on)) de 2,5Ω à 10V et 3,0Ω à 4,5V, assurant un fonctionnement efficace et une dissipation de puissance réduite.

Son boîtier compact SOT-23 est optimisé pour la technologie de montage en surface, permettant des configurations de PCB à haute densité. Le 2N7002ET7G est qualifié AEC-Q101 et compatible PPAP, ce qui indique sa fiabilité et son adéquation aux applications automobiles. De plus, il est sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS, ce qui en fait un choix écologique pour les conceptions électroniques.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension Drain-Source (VDS) : 60V
  • Courant de Drain Continu (ID) : 310mA
  • Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 2,5Ω à 10V, 3,0Ω à 4,5V
  • Tension Grille-Source (VGS) : ±20V
  • Dissipation de Puissance : 300mW en régime permanent, 420mW pour <5s
  • Plage de Température de Jonction de Fonctionnement : -55°C à +150°C
  • Boîtier : SOT-23

Fiche technique 2N7002ET7G

Fiche technique 2N7002ET7G (PDF)

Substituts pour 2N7002ET7G
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour 2N7002ET7G, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Commutateur de charge côté bas
  • Circuits de décalage de niveau
  • Convertisseurs DC-DC
  • Applications portables (par ex., appareils photo numériques, PDA, téléphones portables)

Catégorie

MOSFET

Informations générales

Les MOSFET (transistors à effet de champ à grille métal-oxyde) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont un composant essentiel dans une large gamme d'appareils électroniques en raison de leur haute efficacité et de leurs capacités de commutation rapide. Les MOSFET à canal N, tels que le 2N7002ET7G, sont généralement utilisés dans des applications où les courants de charge doivent être contrôlés par une tension appliquée à la borne de grille.

Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application particulière, plusieurs paramètres sont importants à considérer, notamment la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain continu (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance requis et son efficacité dans le circuit.

Le type de boîtier joue également un rôle important dans les performances du composant, notamment en termes de gestion thermique et d'empreinte sur le PCB. Pour les applications nécessitant une haute fiabilité, telles que l'automobile ou l'industrie, il est également important de considérer la conformité du composant aux normes et qualifications de l'industrie.

Dans l'ensemble, le choix d'un MOSFET aura un impact significatif sur les performances, l'efficacité et la fiabilité de l'appareil électronique dans lequel il est utilisé. Par conséquent, une compréhension approfondie des spécifications du composant et de leur adéquation avec les exigences de l'application est cruciale pour une conception optimale.

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