Le SQ2364EES-T1_GE3 de Vishay est un MOSFET à canal N conçu pour les applications automobiles, encapsulé dans un boîtier compact SOT-23. Ce composant se caractérise par sa capacité à fonctionner à des températures élevées allant jusqu'à 175 °C, ce qui le rend adapté aux environnements exigeants. Il est qualifié AEC-Q101, garantissant une fiabilité et des performances de qualité automobile. Le MOSFET intègre la technologie TrenchFET®, offrant une efficacité améliorée et une résistance à l'état passant réduite.
Les attributs clés incluent une tension drain-source (VDS) de 60 V et un courant de drain continu (ID) de 2 A à 25 °C, avec la capacité de gérer des courants de drain pulsés jusqu'à 8 A. Il offre également une protection ESD robuste jusqu'à 800 V. La faible résistance à l'état passant (RDS(on)) du dispositif à diverses tensions grille-source souligne son efficacité dans la conduction du courant. De plus, il est testé à 100% Rg et UIS, garantissant des performances constantes sur toutes les unités.
MOSFET
Les MOSFET (Transistors à effet de champ à grille métal-oxyde) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont largement utilisés dans les appareils électroniques en raison de leur haute efficacité, de leur fiabilité et de leur capacité à gérer des niveaux de puissance importants. Les MOSFET à canal N, en particulier, sont préférés pour leur mobilité électronique élevée et leur facilité d'intégration dans divers circuits.
Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, plusieurs facteurs doivent être pris en compte, notamment la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain continu (ID) et la résistance à l'état passant (RDS(on)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance requis et son efficacité dans le circuit. Le type de boîtier joue également un rôle crucial dans la gestion thermique du dispositif.
Les MOSFET sont intégraux dans les systèmes de conversion et de gestion de puissance, offrant des solutions pour une distribution efficace de l'énergie. Ils sont particulièrement précieux dans les applications nécessitant une commutation à haute vitesse, une faible consommation d'énergie et une taille compacte. Les applications automobiles exigent souvent des MOSFET capables de fonctionner de manière fiable dans des conditions difficiles, y compris des températures et des tensions élevées.
Le MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 de Vishay, avec sa tolérance aux hautes températures et sa qualification automobile, illustre les avancées de la technologie MOSFET, répondant aux exigences rigoureuses de l'électronique automobile et des systèmes de gestion de l'énergie.