Le PMV164ENEAR est un transistor à effet de champ (FET) N-channel en mode d'amélioration qui utilise la technologie MOSFET à tranchée. Il est encapsulé dans un boîtier plastique de dispositif monté en surface (SMD) SOT23 (TO-236AB) compact, le rendant adapté à une large gamme d'applications où l'espace est limité. Ce composant est conçu pour fonctionner à des niveaux logiques, le rendant compatible avec les interfaces de microcontrôleur modernes.
Les caractéristiques clés du PMV164ENEAR incluent une plage de température de fonctionnement étendue jusqu'à 175°C et une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM (classe H2). Il est également qualifié AEC-Q101, indiquant son aptitude à être utilisé dans des applications automobiles. Ces attributs, combinés à la faible résistance à l'état passant du dispositif, en font un choix efficace pour les tâches de gestion de puissance.
Transistor
Les MOSFETs à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour des fonctions de commutation et d'amplification. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source. La désignation à canal N se réfère au type de porteurs de charge (électrons) qui se déplacent à travers le canal formé entre la source et le drain.
Lors de la sélection d'un MOSFET N-canal, les considérations importantes incluent la tension maximale drain-source (VDS), le courant maximal qu'il peut gérer (ID), la tension de grille-source (VGS) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent l'adéquation du dispositif pour des applications spécifiques, y compris son efficacité et ses capacités de gestion de puissance.
Les MOSFETs sont intégraux à l'électronique moderne, trouvant des applications dans la conversion de puissance, le contrôle de moteur et comme composants clés dans divers types d'interrupteurs électroniques. Leur capacité à commuter rapidement et avec une haute efficacité les rend particulièrement précieux dans la gestion de la puissance et les circuits numériques.
Pour les ingénieurs, choisir le bon MOSFET implique de comprendre les exigences spécifiques de leur application, y compris l'environnement opérationnel, les niveaux de puissance et les vitesses de commutation. L'emballage du dispositif, les caractéristiques thermiques et toute fonctionnalité supplémentaire telle que les mécanismes de protection intégrés peuvent également influencer le processus de sélection.