Le PMV164ENEAR est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N qui utilise la technologie MOSFET Trench. Il est encapsulé dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (CMS), ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications où l'espace est limité. Ce composant est conçu pour fonctionner à des niveaux logiques, ce qui le rend compatible avec les interfaces de microcontrôleurs modernes.
Les caractéristiques clés du PMV164ENEAR incluent une plage de température de fonctionnement étendue jusqu'à 175°C et une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM (classe H2). Il est également qualifié AEC-Q101, indiquant son adéquation pour une utilisation dans les applications automobiles. Ces attributs, combinés à la faible résistance à l'état passant du dispositif, en font un choix efficace pour les tâches de gestion de l'alimentation.
Transistor
Les MOSFETs à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques à des fins de commutation et d'amplification. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de drain et de source. La désignation canal N fait référence au type de porteurs de charge (électrons) qui se déplacent à travers le canal formé entre la source et le drain.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les considérations importantes incluent la tension drain-source maximale (VDS), le courant maximal qu'il peut supporter (ID), la tension grille-source (VGS) et la résistance drain-source à l'état passant (RDSon). Ces paramètres déterminent l'adéquation du dispositif à des applications spécifiques, y compris son efficacité et ses capacités de gestion de puissance.
Les MOSFET font partie intégrante de l'électronique moderne, trouvant des applications dans la conversion de puissance, le contrôle moteur et comme composants clés dans divers types de commutateurs électroniques. Leur capacité à commuter rapidement et avec une efficacité élevée les rend particulièrement précieux dans la gestion de l'alimentation et les circuits numériques.
Pour les ingénieurs, choisir le bon MOSFET implique de comprendre les exigences spécifiques de leur application, y compris l'environnement de fonctionnement, les niveaux de puissance et les vitesses de commutation. Le boîtier du dispositif, les caractéristiques thermiques et toute fonctionnalité supplémentaire telle que les mécanismes de protection intégrés peuvent également influencer le processus de sélection.