BSS138BK: MOSFET à tranchée canal N 60 V, 360 mA, boîtier SOT23
Nexperia

Le Nexperia BSS138BK est un transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N qui utilise la technologie Trench MOSFET, conditionné dans un petit boîtier plastique CMS (Composant Monté en Surface) SOT23 (TO-236AB). Ce composant est conçu pour offrir un contrôle de puissance et des capacités de commutation efficaces avec une tension drain-source allant jusqu'à 60 V et un courant de drain continu allant jusqu'à 360 mA.

Les caractéristiques clés du BSS138BK incluent la compatibilité avec les niveaux logiques, offrant une facilité d'utilisation dans diverses conceptions de circuits, et une protection ESD jusqu'à 1,5 kV, assurant fiabilité et durabilité dans les applications sensibles. Sa capacité de commutation très rapide le rend adapté aux applications de commutation à haute vitesse. De plus, il est qualifié AEC-Q101, indiquant son adéquation pour les applications automobiles.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension Drain-Source (VDS) : 60 V
  • Tension Grille-Source (VGS) : ±20 V
  • Courant de Drain (ID) : 360 mA à VGS = 10 V, 25°C
  • Résistance Drain-Source à l'état passant (RDSon) : 1 à 1,6 Ω à VGS = 10 V, ID = 350 mA
  • Dissipation totale de puissance (Ptot) : 350 mW à 25°C
  • Température de jonction (Tj) : -55 à 150 °C
  • Protection ESD : Jusqu'à 1,5 kV

Fiche technique BSS138BK

Fiche technique BSS138BK (PDF)

Substituts pour BSS138BK
Composants alternatifs équivalents pouvant servir de substitut pour BSS138BK, composants les plus populaires en premier

Applications

  • Pilote de relais
  • Commutateur de charge côté bas
  • Pilote de ligne haute vitesse
  • Circuits de commutation

Catégorie

MOSFET

Informations générales

Les MOSFET (Transistors à Effet de Champ à Métal-Oxyde-Semiconducteur) sont un type de FET conçu pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont largement utilisés dans les dispositifs électroniques en raison de leur haute efficacité, de leur fiabilité et de leur capacité à gérer des niveaux de puissance importants. Les MOSFET à canal N, comme le BSS138BK, utilisent des électrons comme porteurs de charge et sont généralement utilisés pour des applications de commutation à haute vitesse.

Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application particulière, des paramètres clés tels que la tension drain-source, la tension grille-source, le courant de drain et la dissipation de puissance doivent être pris en compte pour garantir que le composant répond aux exigences du circuit. De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont des facteurs importants affectant les performances du MOSFET et son adéquation à l'application prévue.

Les MOSFET font partie intégrante de diverses applications, de la gestion de l'alimentation dans les appareils portables au contrôle des moteurs dans les systèmes automobiles. Leur capacité à commuter et à contrôler efficacement l'alimentation en fait des composants essentiels dans la conception électronique moderne. Comprendre les exigences spécifiques de votre application, y compris les niveaux de tension et de courant nécessaires, ainsi que la vitesse de commutation souhaitée, guidera la sélection du MOSFET approprié.

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