2N7002MTF: MOSFET à canal N, 60V, 5.0Ω, 115mA, SOT-23
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Le 2N7002MTF est un MOSFET de canal N conçu pour des applications de petits signaux, encapsulé dans un boîtier compact SOT-23. Ce composant est caractérisé par sa tension drain-source (BVDSS) de 60V, sa résistance à l'état passant (RDS(on)) de 5.0Ω et un courant de drain continu (ID) de 115mA à 25°C. Son design se concentre sur l'amélioration des performances grâce à une RDS(on) plus faible, une robustesse inductive améliorée, des temps de commutation rapides et une capacité d'entrée réduite.

Les caractéristiques clés incluent une zone de fonctionnement sûre étendue et une fiabilité à haute température améliorée, le rendant adapté à une large gamme d'applications. Le dispositif offre également des capacités de commutation rapides et une faible dissipation de puissance, qui contribuent à son efficacité dans diverses configurations de circuits. La conception robuste et les caractéristiques électriques du MOSFET 2N7002MTF en font un choix idéal pour les ingénieurs cherchant à optimiser leurs applications de commutation de petits signaux.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension Drain-Source (BVDSS) : 60V
  • Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 5.0Ω
  • Courant de Drain Continu (ID) à 25°C : 115mA
  • Tension Grille-Source (VGS) : ±20V
  • Dissipation Totale de Puissance à 25°C : 0.2W
  • Plage de Température de Fonctionnement et de Stockage : -55 à +150°C
  • Résistance Thermique, Jonction-Ambiant : 625℃/W

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Applications

  • Applications de commutation
  • Gestion de l'énergie
  • Traitement du signal

Catégorie

MOSFET

Informations générales

Les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ils sont des composants clés dans une large gamme de dispositifs électroniques en raison de leur haute efficacité et de leurs capacités de commutation rapides. Les MOSFET N-canal, en particulier, sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance en raison de leur capacité à gérer efficacement de forts courants et tensions.

Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les ingénieurs doivent considérer des facteurs tels que la tension drain-source (BVDSS), la résistance à l'état passant (RDS(on)), et le courant de drain continu (ID). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à conduire l'électricité et son efficacité dans un circuit. De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont importants pour assurer que le composant puisse fonctionner de manière fiable dans différentes conditions environnementales.

Les MOSFETs sont essentiels dans la conception d'alimentations électriques efficaces, de contrôles de moteurs, et de circuits d'onduleurs. Leurs temps de commutation rapides et leur faible dissipation de puissance les rendent adaptés pour les applications à haute fréquence. Cependant, une gestion thermique appropriée et une conception de circuit de commande sont cruciales pour prévenir les dommages et assurer la longévité.

En général, le choix d'un MOSFET doit être aligné avec les besoins en tension, courant et performances thermiques de l'application. Comprendre les spécifications clés et leur impact sur les performances aidera à sélectionner le composant le plus approprié pour un design donné.

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