2N7002MTF: MOSFET canal N, 60V, 5.0Ω, 115mA, SOT-23
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Le 2N7002MTF est un MOSFET à canal N conçu pour les applications à petits signaux, encapsulé dans un boîtier compact SOT-23. Ce composant se caractérise par sa tension drain-source (BVDSS) de 60V, sa résistance à l'état passant (RDS(on)) de 5,0Ω et un courant de drain continu (ID) de 115mA à 25°C. Sa conception vise à améliorer les performances grâce à une RDS(on) plus faible, une robustesse inductive améliorée, des temps de commutation rapides et une capacité d'entrée réduite.

Les principales caractéristiques comprennent une zone de fonctionnement sûr étendue et une fiabilité améliorée à haute température, ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications. Le dispositif bénéficie également de capacités de commutation rapide et d'une faible dissipation de puissance, ce qui contribue à son efficacité dans diverses configurations de circuits. La conception robuste et les caractéristiques électriques du MOSFET 2N7002MTF en font un choix idéal pour les ingénieurs cherchant à optimiser leurs applications de commutation de petits signaux.

Spécifications et caractéristiques clés

  • Tension Drain-Source (BVDSS) : 60 V
  • Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 5,0 Ω
  • Courant de drain continu (ID) à 25 °C : 115 mA
  • Tension Grille-Source (VGS) : ±20 V
  • Dissipation totale de puissance à 25 °C : 0,2 W
  • Plage de température de jonction et de stockage : -55 à +150 °C
  • Résistance thermique, Jonction-Ambiant : 625 ℃/W

Substituts pour 2N7002MTF
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Applications

  • Applications de commutation
  • Gestion de l'alimentation
  • Traitement du signal

Catégorie

MOSFET

Informations générales

Les transistors à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET) sont un type de transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Ce sont des composants clés dans une large gamme d'appareils électroniques en raison de leur haute efficacité et de leurs capacités de commutation rapide. Les MOSFET à canal N, en particulier, sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance en raison de leur capacité à gérer efficacement des courants et des tensions élevés.

Lors de la sélection d'un MOSFET pour une application spécifique, les ingénieurs doivent prendre en compte des facteurs tels que la tension drain-source (BVDSS), la résistance à l'état passant (RDS(on)) et le courant de drain continu (ID). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à conduire l'électricité et son efficacité dans un circuit. De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont importants pour garantir que le composant peut fonctionner de manière fiable dans des conditions environnementales variables.

Les MOSFET sont essentiels dans la conception d'alimentations écoénergétiques, de commandes de moteurs et de circuits onduleurs. Leurs temps de commutation rapides et leur faible dissipation de puissance les rendent adaptés aux applications haute fréquence. Cependant, une gestion thermique appropriée et une conception de circuit de commande adéquate sont cruciales pour éviter les dommages et assurer la longévité.

Dans l'ensemble, le choix d'un MOSFET doit s'aligner sur les exigences de tension, de courant et thermiques de l'application. Comprendre les spécifications clés et comment elles affectent les performances aidera à sélectionner le composant le plus approprié pour une conception donnée.

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