Le PMV90ENE de Nexperia est un MOSFET à tranchée N-channel de 30 V, conçu pour être utilisé dans une variété d'applications nécessitant un contrôle et une conversion de puissance efficaces. Il est encapsulé dans un petit boîtier en plastique pour dispositif monté en surface (SMD) SOT23 (TO-236AB), utilisant une technologie MOSFET à tranchée avancée pour atteindre des performances élevées dans un petit empreinte.
Ce MOSFET est caractérisé par sa compatibilité de niveau logique, lui permettant d'être directement piloté par des circuits logiques sans nécessité de composants de pilotage supplémentaires. Il présente également des capacités de commutation très rapides, améliorant son adéquation pour des applications à haute vitesse et haute fréquence. Le dispositif inclut une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM, le protégeant contre les dommages dus aux décharges statiques.
Transistor
Les MOSFETs à tranchée canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) qui utilise une structure de grille à tranchée pour atteindre une densité et une efficacité supérieures par rapport aux MOSFETs planaires traditionnels. Ces composants sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de puissance en raison de leur capacité à contrôler efficacement le flux de puissance dans les circuits.
Lors de la sélection d'un MOSFET à tranchée canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance et les fréquences de commutation requis dans une application donnée.
De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont des considérations importantes. Le boîtier SOT23 est populaire pour sa taille compacte, le rendant adapté aux applications à espace contraint. La gestion thermique est cruciale pour prévenir la surchauffe et assurer un fonctionnement fiable sous diverses conditions.
Enfin, des caractéristiques telles que la compatibilité de niveau logique et la protection ESD sont bénéfiques pour simplifier la conception de circuit et améliorer la durabilité du composant.