Le PMV90ENE de Nexperia est un MOSFET Trench à canal N de 30 V, conçu pour être utilisé dans une variété d'applications nécessitant un contrôle et une conversion de puissance efficaces. Il est encapsulé dans un boîtier plastique compact SOT23 (TO-236AB) pour montage en surface (CMS), utilisant la technologie avancée Trench MOSFET pour atteindre des performances élevées dans un encombrement réduit.
Ce MOSFET se caractérise par sa compatibilité avec les niveaux logiques, ce qui lui permet d'être piloté directement par des circuits logiques sans avoir besoin de composants de pilotage supplémentaires. Il dispose également de capacités de commutation très rapides, améliorant son adéquation pour les applications à haute vitesse et haute fréquence. Le dispositif comprend une protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dépassant 2 kV HBM, le protégeant contre les dommages causés par les décharges statiques.
Transistor
Les MOSFETs Trench à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) qui utilisent une structure de grille en tranchée pour atteindre une densité et une efficacité plus élevées par rapport aux MOSFETs planaires traditionnels. Ces composants sont largement utilisés dans les applications de conversion et de gestion de l'énergie en raison de leur capacité à contrôler efficacement le flux de puissance dans les circuits.
Lors de la sélection d'un MOSFET Trench à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDS), la tension grille-source (VGS), le courant de drain (ID) et la résistance à l'état passant drain-source (RDSon). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les niveaux de puissance et les fréquences de commutation requis dans une application donnée.
De plus, le type de boîtier et les caractéristiques thermiques sont des considérations importantes. Le boîtier SOT23 est populaire pour sa taille compacte, ce qui le rend adapté aux applications à espace restreint. La gestion thermique est cruciale pour prévenir la surchauffe et assurer un fonctionnement fiable dans diverses conditions.
Enfin, des fonctionnalités telles que la compatibilité de niveau logique et la protection ESD sont bénéfiques pour simplifier la conception du circuit et améliorer la durabilité du composant.