Le SSM3K2615R,LF de Toshiba est un MOSFET à canal N conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans les circuits électroniques. Ce composant est logé dans un boîtier compact SOT-23F, ce qui le rend adapté aux applications à espace restreint. Il est capable de gérer une tension drain-source allant jusqu'à 60 V et un courant de drain continu de 2 A, avec des capacités de courant de drain impulsionnel allant jusqu'à 6 A. Le MOSFET présente une faible résistance à l'état passant drain-source (RDS(ON)), avec des valeurs typiques allant de 230 mΩ à une tension grille-source de 10 V à 380 mΩ à 3,3 V, améliorant son efficacité dans le fonctionnement du circuit.
Le SSM3K2615R,LF est qualifié AEC-Q101, indiquant son adéquation pour les applications automobiles. Il prend en charge une tension de commande de grille de 3,3 V, ce qui le rend compatible avec les signaux logiques basse tension. Ce composant est principalement utilisé dans les commutateurs de charge et les pilotes de moteur, démontrant sa polyvalence dans diverses applications. Sa faible RDS(ON) assure une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement, contribuant à l'efficacité énergétique globale du système.
Transistor
Les MOSFET canal N sont des composants critiques dans les circuits électroniques, servant de commutateurs ou d'amplificateurs efficaces pour le courant électrique. Ils fonctionnent en permettant au courant de circuler entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille, contrôlant efficacement le flux d'énergie électrique dans un circuit. Les MOSFET canal N sont préférés dans les applications où une commutation rapide, une efficacité élevée et une fiabilité sont requises.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, il est important de prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source, le courant de drain, la dissipation de puissance et la résistance à l'état passant drain-source. Les valeurs nominales de tension et de courant drain-source déterminent la tension et le courant maximaux que le MOSFET peut gérer, tandis que la résistance à l'état passant affecte l'efficacité du dispositif en influençant la perte de puissance pendant le fonctionnement.
La gestion thermique est un autre aspect critique, car une chaleur excessive peut dégrader les performances et la fiabilité du MOSFET. Par conséquent, comprendre les caractéristiques thermiques et assurer une dissipation thermique adéquate est essentiel. De plus, le type et la taille du boîtier peuvent influencer le choix du MOSFET en fonction de l'espace disponible et des exigences thermiques de l'application.
Enfin, la tension de commande de grille est un paramètre clé, car elle détermine la compatibilité du MOSFET avec les signaux de commande dans un circuit. La sélection d'un MOSFET avec une tension de commande de grille appropriée garantit que le dispositif peut être contrôlé efficacement par les niveaux logiques du circuit.