Le SSM3K2615R,LF de Toshiba est un MOSFET N-Channel conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans les circuits électroniques. Ce composant est logé dans un boîtier compact SOT-23F, le rendant adapté aux applications à espace restreint. Il est capable de gérer une tension drain-source jusqu'à 60V et un courant de drain continu de 2A, avec des capacités de courant de drain par impulsions jusqu'à 6A. Le MOSFET présente une faible résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)), avec des valeurs typiques allant de 230 mΩ à une tension de grille-source de 10V à 380 mΩ à 3,3V, améliorant son efficacité dans le fonctionnement du circuit.
Le SSM3K2615R,LF est qualifié AEC-Q101, indiquant son adéquation pour les applications automobiles. Il prend en charge une tension de commande de grille de 3.3-V, le rendant compatible avec les signaux logiques de basse tension. Ce composant est principalement utilisé dans les commutateurs de charge et les pilotes de moteur, démontrant sa polyvalence dans diverses applications. Son faible RDS(ON) assure une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement, contribuant à l'efficacité énergétique globale du système.
Transistor
Les MOSFETs à canal N sont des composants critiques dans les circuits électroniques, servant de commutateurs ou d'amplificateurs efficaces pour le courant électrique. Ils fonctionnent en permettant au courant de circuler entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille, contrôlant efficacement le flux de puissance électrique dans un circuit. Les MOSFETs à canal N sont préférés dans les applications où une commutation rapide, une haute efficacité et une fiabilité sont requises.
Lors de la sélection d'un MOSFET de canal N, il est important de considérer des paramètres tels que la tension drain-source, le courant de drain, la dissipation de puissance et la résistance à l'état passant drain-source. La tension et le courant de drain-source déterminent la tension et le courant maximum que le MOSFET peut gérer, tandis que la résistance à l'état passant affecte l'efficacité du dispositif en influençant la perte de puissance pendant le fonctionnement.
La gestion thermique est un autre aspect critique, car une chaleur excessive peut dégrader la performance et la fiabilité du MOSFET. Par conséquent, comprendre les caractéristiques thermiques et assurer une dissipation de chaleur adéquate est essentiel. De plus, le type et la taille du boîtier peuvent influencer le choix du MOSFET en fonction de l'espace disponible et des exigences thermiques de l'application.
Enfin, la tension de commande de grille est un paramètre clé, car elle détermine la compatibilité du MOSFET avec les signaux de commande dans un circuit. Sélectionner un MOSFET avec une tension de commande de grille appropriée garantit que le dispositif peut être contrôlé efficacement par les niveaux logiques du circuit.