T2N7002BK dari Toshiba adalah Transistor Efek Medan Semikonduktor Oksida Logam N-Kanal Silikon (MOSFET) yang dirancang untuk aplikasi switching kecepatan tinggi. Ini dikemas dalam paket SOT23 yang kompak, menjadikannya cocok untuk aplikasi yang terbatas ruangnya. MOSFET ini menampilkan nilai resistansi sumber-tiriskan rendah (RDS(ON)), dengan nilai tipikal 1.05 Ω pada VGS = 10 V, 1.15 Ω pada VGS = 5.0 V, dan 1.2 Ω pada VGS = 4.5 V, menyediakan operasi yang efisien dan meminimalkan kerugian daya selama operasi.
T2N7002BK mendukung tegangan sumber-drain (VDSS) hingga 60 V dan dapat menangani arus drain terus-menerus (ID) hingga 400 mA, dengan arus drain terpulsa (IDP) hingga 1200 mA. Desainnya yang kuat mencakup fitur untuk memastikan keandalan dan daya tahan di bawah berbagai kondisi operasi, termasuk rentang suhu saluran hingga 150°C. Perangkat juga menawarkan waktu sakelar cepat dan muatan gerbang rendah, menjadikannya cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi. Penting untuk dicatat bahwa, seperti semua MOSFET, T2N7002BK sensitif terhadap pelepasan elektrostatik dan harus ditangani dengan tindakan pencegahan yang sesuai.
MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka adalah komponen penting dalam berbagai perangkat elektronik karena efisiensi tinggi dan kemampuan switching cepat mereka. MOSFET N-Channel, seperti T2N7002BK, biasanya digunakan dalam aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien dan switching kecepatan tinggi.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa parameter kunci harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), disipasi daya (PD), dan resistansi on-state drain-source (RDS(ON)). Tegangan ambang gerbang (Vth) dan muatan gerbang juga merupakan faktor penting yang mempengaruhi kinerja dan efisiensi switching MOSFET.
MOSFET banyak digunakan dalam aplikasi konversi dan manajemen daya, termasuk konverter DC-DC, catu daya, dan rangkaian kontrol motor. Kemampuan mereka untuk beralih secara efisien pada kecepatan tinggi membuat mereka cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi. Namun, penting untuk mempertimbangkan manajemen termal dan sensitivitas terhadap pelepasan elektrostatik (ESD) MOSFET selama desain dan penanganan.
Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET harus didasarkan pada pemahaman menyeluruh tentang kebutuhan aplikasi dan tinjauan cermat terhadap spesifikasi komponen. Ini memastikan kinerja dan keandalan optimal dalam desain elektronik akhir.