T2N7002BK dari Toshiba adalah Transistor Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida (MOSFET) Saluran-N silikon yang dirancang untuk aplikasi switching kecepatan tinggi. Ini dikemas dalam paket SOT23 yang ringkas, membuatnya cocok untuk aplikasi dengan ruang terbatas. MOSFET ini memiliki nilai resistansi on drain-source (RDS(ON)) yang rendah, dengan nilai tipikal 1.05 Ω pada VGS = 10 V, 1.15 Ω pada VGS = 5.0 V, dan 1.2 Ω pada VGS = 4.5 V, memberikan operasi yang efisien dan meminimalkan kehilangan daya selama operasi.
T2N7002BK mendukung tegangan drain-source (VDSS) hingga 60 V dan dapat menangani arus drain kontinu (ID) hingga 400 mA, dengan arus drain berdenyut (IDP) hingga 1200 mA. Desainnya yang kokoh mencakup fitur-fitur untuk memastikan keandalan dan daya tahan dalam berbagai kondisi operasi, termasuk rentang suhu saluran hingga 150°C. Perangkat ini juga menawarkan waktu switching yang cepat dan muatan gate yang rendah, membuatnya sangat cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi. Penting untuk dicatat bahwa, seperti semua MOSFET, T2N7002BK sensitif terhadap pelepasan muatan listrik statis (ESD) dan harus ditangani dengan tindakan pencegahan yang tepat.
MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka adalah komponen penting dalam berbagai perangkat elektronik karena efisiensi tinggi dan kemampuan switching yang cepat. MOSFET N-Channel, seperti T2N7002BK, biasanya digunakan dalam aplikasi yang membutuhkan manajemen daya yang efisien dan switching berkecepatan tinggi.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa parameter utama harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), disipasi daya (PD), dan resistansi on drain-source (RDS(ON)). Tegangan ambang gerbang (Vth) dan muatan gerbang juga merupakan faktor penting yang memengaruhi kinerja switching dan efisiensi MOSFET.
MOSFET banyak digunakan dalam aplikasi konversi dan manajemen daya, termasuk konverter DC-DC, catu daya, dan sirkuit kontrol motor. Kemampuannya untuk beralih secara efisien pada kecepatan tinggi membuatnya cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi. Namun, penting untuk mempertimbangkan manajemen termal dan sensitivitas pelepasan muatan listrik statis (ESD) MOSFET selama desain dan penanganan.
Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET harus didasarkan pada pemahaman menyeluruh tentang persyaratan aplikasi dan tinjauan cermat terhadap spesifikasi komponen. Ini memastikan kinerja dan keandalan optimal dalam desain elektronik akhir.