2N7002K-7: MOSFET Mode Peningkatan N-Channel, 60V, 380mA, SOT23
Diodes Inc.

2N7002K-7 dari Diodes Inc. adalah MOSFET Mode Peningkatan N-Channel yang dirancang untuk aplikasi manajemen daya dan kontrol motor. Datang dalam paket SOT23 yang kompak, menjadikannya cocok untuk tata letak PCB berdensitas tinggi. MOSFET ini ditandai dengan resistansi on-state (RDS(ON)) yang rendah dan kemampuan saklar cepat, yang penting untuk meminimalkan kerugian daya dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.

Dengan tegangan maksimum drain-source (VDSS) 60V dan kemampuan arus drain kontinu (ID) hingga 380mA pada 25°C, 2N7002K-7 cocok untuk berbagai aplikasi. Juga menampilkan arus bocor input dan output yang rendah, memastikan pemborosan daya minimal saat dalam keadaan mati. Perangkat ini dilindungi ESD hingga 2kV, memberikan keandalan dan ketangguhan tambahan dalam lingkungan yang keras.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 60V
  • Arus Drain Berkelanjutan (ID): 380mA pada 25°C
  • Resistansi On-State Drain-Source Statis (RDS(ON)): 2Ω pada VGS = 10V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Disipasi Daya Maksimum (PD): 370mW
  • Rentang Suhu Operasi: -55 hingga +150°C
  • Paket: SOT23

2N7002K-7 Lembar Data

2N7002K-7 datasheet (PDF)

2N7002K-7 Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002K-7, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Kontrol Motor
  • Fungsi Manajemen Daya
  • Pencahayaan

Kategori

MOSFET

Informasi Umum

MOSFET Mode Penguatan N-Channel adalah perangkat semikonduktor yang banyak digunakan dalam rangkaian elektronik untuk tujuan pengalihan dan penguatan. Komponen ini beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas saluran dalam material semikonduktor, memungkinkan atau memblokir aliran arus.

Ketika memilih MOSFET N-Channel, insinyur harus mempertimbangkan beberapa parameter kunci seperti tegangan drain-source (VDSS), arus drain berkelanjutan (ID), dan resistansi drain-source statis (RDS(ON)). Parameter-parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat tegangan dan arus dalam aplikasi tertentu, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

Selain itu, kecepatan switching, kapasitansi masukan, dan kemasan juga merupakan faktor penting. Kecepatan switching yang cepat diinginkan untuk mengurangi kerugian switching, sementara kapasitansi masukan yang rendah membantu dalam mencapai frekuensi operasi yang lebih tinggi. Jenis paket mempengaruhi manajemen termal dan integrasi fisik MOSFET ke dalam sirkuit.

MOSFET N-Channel umum digunakan dalam sirkuit catu daya, aplikasi kontrol motor, dan sebagai elemen sakelar dalam berbagai perangkat elektronik. Kemampuannya untuk mengontrol arus dan tegangan tinggi secara efisien sambil meminimalkan kerugian daya menjadikannya komponen penting dalam desain elektronik modern.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 4/10
  • Hobi: 2/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components