2N7002-7-F: MOSFET Saluran-N, 60V, 210mA, SOT-23, RDS(ON) 7.5Ω
Diodes Inc.

2N7002-7-F adalah MOSFET Mode Peningkatan Saluran-N yang dirancang untuk menawarkan resistansi on-state rendah (RDS(ON)) sambil mempertahankan kinerja switching yang unggul. MOSFET ini memiliki tegangan drain-source maksimum (VDSS) sebesar 60V, arus drain kontinu (ID) sebesar 210mA, dan RDS(ON) maksimum sebesar 7.5Ω pada tegangan gate-source (VGS) sebesar 5V. Desainnya dioptimalkan untuk efisiensi tinggi dalam aplikasi manajemen daya, menggabungkan tegangan ambang gerbang rendah, kapasitansi input rendah, dan kecepatan switching cepat dalam paket SOT-23 pemasangan permukaan yang kecil.

Komponen ini cocok untuk berbagai aplikasi, termasuk kontrol motor dan fungsi manajemen daya, di mana penanganan daya yang efisien dan kinerja yang andal sangat penting. 2N7002-7-F diproduksi oleh Diodes Inc. dan sepenuhnya mematuhi standar RoHS, menjadikannya pilihan yang cocok untuk aplikasi yang sadar lingkungan.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 60V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 210mA
  • Resistansi On-Source Drain-Source Statis (RDS(ON)): 7.5Ω pada VGS=5V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V kontinu, ±40V berdenyut
  • Disipasi Daya (PD): 370mW pada TA=25°C
  • Resistansi Termal, Junction ke Ambient (RθJA): 348°C/W
  • Paket: SOT-23

Lembar Data 2N7002-7-F

2N7002-7-F lembar data (PDF)

2N7002-7-F Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002-7-F, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Kontrol Motor
  • Fungsi Manajemen Daya

Kategori

Transistor

Informasi umum

MOSFET Mode Peningkatan Kanal-N digunakan secara luas dalam sirkuit elektronik karena efisiensi dan keandalannya dalam aplikasi peralihan. Komponen ini beroperasi dengan membiarkan arus mengalir antara terminal drain dan source ketika tegangan yang cukup diterapkan ke terminal gate, secara efektif bertindak sebagai sakelar. Penunjukan Kanal-N mengacu pada jenis pembawa muatan (elektron) yang menghantarkan arus melalui perangkat.

Saat memilih MOSFET N-Channel, insinyur mempertimbangkan beberapa parameter utama, termasuk tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), dan resistansi on drain-source statis (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani persyaratan tegangan dan arus aplikasi, serta efisiensinya. Tegangan gate-source (VGSS) juga penting, karena memengaruhi tegangan yang diperlukan untuk menghidupkan dan mematikan perangkat.

Dalam aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien dan peralihan cepat, RDS(ON) rendah dan kecepatan peralihan cepat dari MOSFET sangat berharga. Ukuran kemasan yang kecil, seperti SOT-23, juga menguntungkan untuk desain dengan ruang terbatas. Selain itu, kepatuhan terhadap standar lingkungan seperti RoHS sering menjadi pertimbangan dalam pemilihan komponen.

Secara keseluruhan, MOSFET N-Channel seperti 2N7002-7-F sangat penting untuk berbagai aplikasi, mulai dari kontrol motor hingga fungsi manajemen daya, di mana switching daya yang efisien dan andal diperlukan.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 5/10
  • Hobi: 5/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components