2N7002-7-F: MOSFET N-Channel, 60V, 210mA, SOT-23, RDS(ON) 7.5Ω
Diodes Inc.

2N7002-7-F adalah MOSFET Mode Peningkatan Saluran-N yang dirancang untuk menawarkan resistansi on-state rendah (RDS(ON)) sambil mempertahankan kinerja switching yang unggul. MOSFET ini memiliki tegangan maksimum drain-source (VDSS) sebesar 60V, arus drain terus-menerus (ID) sebesar 210mA, dan RDS(ON) maksimum sebesar 7.5Ω pada tegangan gate-source (VGS) sebesar 5V. Desainnya dioptimalkan untuk efisiensi tinggi dalam aplikasi manajemen daya, menggabungkan tegangan ambang gerbang rendah, kapasitansi input rendah, dan kecepatan switching cepat dalam paket permukaan gunung SOT-23 yang kecil.

Komponen ini cocok untuk berbagai aplikasi, termasuk kontrol motor dan fungsi manajemen daya, di mana penanganan daya yang efisien dan kinerja yang andal penting. 2N7002-7-F diproduksi oleh Diodes Inc. dan sepenuhnya memenuhi standar RoHS, menjadikannya pilihan yang cocok untuk aplikasi yang sadar lingkungan.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 60V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 210mA
  • Resistansi On-Drain-Source Statis (RDS(ON)): 7.5Ω pada VGS=5V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V kontinu, ±40V terpulsasi
  • Disipasi Daya (PD): 370mW pada TA=25°C
  • Resistansi Termal, Junction ke Ambient (RθJA): 348°C/W
  • Paket: SOT-23

2N7002-7-F Lembar Data

2N7002-7-F datasheet (PDF)

2N7002-7-F Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002-7-F, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Kontrol Motor
  • Fungsi Manajemen Daya

Kategori

Transistor

Informasi Umum

MOSFET N-Channel Mode Penguatan banyak digunakan dalam rangkaian elektronik karena efisiensi dan keandalannya dalam aplikasi switching. Komponen ini beroperasi dengan memungkinkan arus mengalir antara terminal drain dan sumber ketika tegangan yang cukup diterapkan pada terminal gerbang, secara efektif bertindak sebagai saklar. Penunjukan N-Channel mengacu pada jenis pembawa muatan (elektron) yang menghantarkan arus melalui perangkat.

Ketika memilih MOSFET N-Channel, insinyur mempertimbangkan beberapa parameter kunci, termasuk tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), dan resistansi drain-source statis (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani persyaratan tegangan dan arus aplikasi, serta efisiensinya. Tegangan gate-source (VGSS) juga penting, karena mempengaruhi tegangan yang diperlukan untuk menghidupkan dan mematikan perangkat.

Dalam aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien dan switching cepat, RDS(ON) rendah dan kecepatan switching MOSFET sangat berharga. Ukuran paket kecil, seperti SOT-23, juga menguntungkan untuk desain yang terbatas ruang. Selain itu, kepatuhan terhadap standar lingkungan seperti RoHS sering menjadi pertimbangan dalam pemilihan komponen.

Secara keseluruhan, MOSFET Saluran-N seperti 2N7002-7-F sangat penting untuk berbagai aplikasi, dari kontrol motor hingga fungsi manajemen daya, di mana sakelar daya yang efisien dan andal diperlukan.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 5/10
  • Hobi: 5/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components