2N7002: MOSFET N-Channel, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

2N7002 adalah MOSFET N-Channel sinyal kecil yang dirancang dan diproduksi oleh onsemi. Menggunakan teknologi DMOS berdensitas sel tinggi onsemi, MOSFET ini dirancang untuk memberikan resistansi on-state rendah sambil mempertahankan kinerja dan keandalan switching yang tinggi. Sangat cocok untuk aplikasi tegangan rendah, arus rendah, menawarkan solusi efisien untuk penggerakan gerbang MOSFET daya dan operasi switching lainnya.

Komponen dikapsulkan dalam paket SOT-23, menyediakan jejak kaki yang kompak cocok untuk berbagai desain elektronik. Desainnya menargetkan aplikasi yang memerlukan manajemen dan kontrol daya yang efisien, seperti kontrol motor servo, di mana kemampuan sakelar cepat dan ketangguhannya bermanfaat. Perangkat juga dicatat untuk kemampuan arus saturasi tingginya, lebih meningkatkan kinerjanya dalam aplikasi yang menuntut.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-to-Source (VDSS): 60V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Arus Drain Berkelanjutan (ID): 200mA
  • Arus Drain Pulsed (IDM): 500mA
  • Disipasi Daya (PD): 400mW
  • Resistansi Termal, Junction ke Ambient (RθJA): 625°C/W
  • Tegangan Ambang Gerbang (VGS(th)): 1 hingga 2.5V
  • Resistansi On-State Drain-Source Statis (RDS(on)): 1.2 hingga 7.5Ω
  • Rentang Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55 hingga 150°C

2N7002 Lembar Data

2N7002 datasheet (PDF)

2N7002 Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Manajemen daya tegangan rendah
  • Kontrol motor servo
  • Penggerak gerbang MOSFET daya
  • Aplikasi sakelar umum

Kategori

Transistor

Informasi Umum

MOSFET N-Channel adalah komponen fundamental dalam desain elektronik, berfungsi sebagai saklar atau penguat yang efisien dalam sirkuit. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas 'saluran', dalam hal ini, material semikonduktor tipe N, memungkinkan atau mencegah aliran arus antara terminal drain dan sumber. Terminal gerbang menerima tegangan kontrol.

Saat memilih MOSFET Saluran-N, beberapa faktor penting: tegangan maksimum antara saluran-drain (VDSS), yang menunjukkan tegangan maksimum yang dapat diblokir MOSFET; arus saluran (ID), yang merupakan arus maksimum yang dapat dikonduksi perangkat; dan tegangan antara gerbang-sumber (VGSS), yang merupakan rentang tegangan yang dapat ditangani gerbang dengan aman. Selain itu, resistansi dalam keadaan nyala (RDS(on)) sangat penting karena mempengaruhi kehilangan daya dan efisiensi MOSFET dalam keadaan konduksi.

Aplikasi untuk MOSFET N-Channel sangat luas, mulai dari manajemen dan konversi daya hingga kontrol motor dan penguatan sinyal. Kemampuan mereka untuk beralih dengan cepat dan efisien membuat mereka cocok untuk sirkuit analog dan digital. Insinyur harus mempertimbangkan persyaratan spesifik aplikasi mereka, termasuk penanganan arus yang dibutuhkan, tingkat tegangan, dan kecepatan saklar, untuk memilih MOSFET yang sesuai.

Selain itu, manajemen termal merupakan pertimbangan signifikan karena panas yang dihasilkan selama operasi. Resistansi termal dan suhu persimpangan maksimum adalah spesifikasi kunci yang membantu memastikan MOSFET beroperasi dalam batas suhu yang aman, menjaga keandalan dan umur panjangnya.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 5/10
  • Hobi: 4/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components