T2N7002BK,LM(T: MOSFET N-Channel, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1.05Ω
Toshiba

T2N7002BK adalah MOSFET N-Channel Silikon yang dirancang untuk aplikasi switching kecepatan tinggi. Fitur resistansi drain-source on rendah (RDS(ON)) sebesar 1.05 Ω (tipikal) pada VGS = 10V, membuatnya cocok untuk manajemen daya yang efisien dalam berbagai rangkaian. Komponen ini dikemas dalam bentuk SOT23 yang kompak, memudahkan integrasi ke dalam desain yang terbatas ruangnya.

MOSFET ini mendukung tegangan drain-source (VDSS) hingga 60V dan dapat menangani arus drain kontinu (ID) hingga 400mA, dengan kemampuan arus drain terpulsa hingga 1200mA. Ini juga menggabungkan perlindungan ESD dengan level HBM 2 kV, meningkatkan keandalannya dalam lingkungan sensitif. T2N7002BK dioptimalkan untuk kinerja dengan berbagai tegangan gerbang-sumber, menunjukkan keberagaman dalam kondisi operasi yang berbeda.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 60V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Arus Drain Berkelanjutan (ID): 400mA
  • Arus Drain Terpulsa (IDP): 1200mA
  • Resistansi On Drain-Source (RDS(ON)): 1.05 Ω (typ.) pada VGS = 10V
  • Disipasi Daya (PD): 320 mW hingga 1000 mW
  • Suhu Saluran (Tch): 150°C
  • Perlindungan ESD: level HBM 2 kV

T2N7002BK,LM(T Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk T2N7002BK,LM(T, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi switching kecepatan tinggi

Kategori

MOSFET

Informasi Umum

MOSFET (Transistor Medan-Efek Semikonduktor Logam-Oksida) adalah komponen fundamental dalam desain elektronik, menawarkan efisiensi dan keandalan tinggi untuk tugas switching dan penguatan. Mereka beroperasi dengan mengontrol konduktivitas antara terminal drain dan sumber melalui tegangan, menjadikannya penting untuk manajemen daya, pemrosesan sinyal, dan lainnya.

Saat memilih MOSFET, parameter kunci meliputi tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), tegangan gate-source (VGSS), dan resistansi on-resistance drain-source (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tegangan tinggi, arus, dan efisiensinya. Selain itu, pengemasan, manajemen termal, dan tingkat perlindungan ESD adalah pertimbangan penting.

Untuk aplikasi pengalihan kecepatan tinggi, MOSFET dengan RDS(ON) rendah lebih disukai untuk meminimalkan kehilangan daya dan generasi panas. Pilihan rentang tegangan gerbang-sumber (VGSS) juga mempengaruhi kompatibilitas dengan sirkuit penggerak. Selain itu, memahami karakteristik termal dan memastikan disipasi panas yang memadai sangat penting untuk operasi yang andal.

Secara ringkas, memilih MOSFET yang tepat melibatkan analisis cermat karakteristik listrik, sifat termal, dan kebutuhan aplikasi. MOSFET seperti T2N7002BK, dengan RDS(ON) rendah dan fitur perlindungan yang kuat, menawarkan opsi menarik bagi insinyur yang ingin mengoptimalkan desain mereka untuk kinerja dan keandalan.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 2/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components