T2N7002BK,LM(T: MOSFET N-Channel, 60V, 400mA, SOT23, RDS(ON) 1,05Ω
Toshiba

T2N7002BK adalah MOSFET N-Channel Silikon yang dirancang untuk aplikasi switching berkecepatan tinggi. Komponen ini memiliki resistansi on drain-source (RDS(ON)) rendah sebesar 1,05 Ω (tipikal) pada VGS = 10V, membuatnya cocok untuk manajemen daya yang efisien di berbagai sirkuit. Komponen ini dikemas dalam bentuk SOT23 yang ringkas, memfasilitasi integrasi yang mudah ke dalam desain dengan ruang terbatas.

MOSFET ini mendukung tegangan drain-source (VDSS) hingga 60V dan dapat menangani arus drain kontinu (ID) hingga 400mA, dengan kemampuan arus drain berdenyut hingga 1200mA. Ini juga menggabungkan perlindungan ESD dengan level HBM 2 kV, meningkatkan keandalannya di lingkungan yang sensitif. T2N7002BK dioptimalkan untuk kinerja dengan berbagai tegangan gate-source, menunjukkan keserbagunaan dalam kondisi operasi yang berbeda.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 60V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 400mA
  • Arus Drain Pulsa (IDP): 1200mA
  • Resistansi On Drain-Source (RDS(ON)): 1.05 Ω (typ.) pada VGS = 10V
  • Disipasi Daya (PD): 320 mW hingga 1000 mW
  • Suhu Saluran (Tch): 150°C
  • Perlindungan ESD: HBM level 2 kV

T2N7002BK,LM(T Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk T2N7002BK,LM(T, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi switching kecepatan tinggi

Kategori

MOSFET

Informasi umum

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah komponen fundamental dalam desain elektronik, menawarkan efisiensi dan keandalan tinggi untuk tugas switching dan amplifikasi. Mereka beroperasi dengan mengontrol konduktivitas antara terminal drain dan source menggunakan tegangan, menjadikannya penting untuk manajemen daya, pemrosesan sinyal, dan banyak lagi.

Saat memilih MOSFET, parameter utama meliputi tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), tegangan gate-source (VGSS), dan resistansi on drain-source (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tegangan tinggi, arus, dan efisiensinya. Selain itu, pengemasan, manajemen termal, dan tingkat perlindungan ESD merupakan pertimbangan penting.

Untuk aplikasi switching berkecepatan tinggi, MOSFET dengan RDS(ON) rendah lebih disukai untuk meminimalkan kehilangan daya dan pembangkitan panas. Pilihan rentang tegangan gate-source (VGSS) juga memengaruhi kompatibilitas dengan sirkuit penggerak. Selain itu, memahami karakteristik termal dan memastikan pembuangan panas yang memadai sangat penting untuk operasi yang andal.

Singkatnya, memilih MOSFET yang tepat melibatkan analisis yang cermat terhadap karakteristik listrik, sifat termal, dan persyaratan aplikasi. MOSFET seperti T2N7002BK, dengan RDS(ON) rendah dan fitur perlindungan yang kuat, menawarkan opsi yang menarik bagi para insinyur yang ingin mengoptimalkan desain mereka untuk kinerja dan keandalan.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 2/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components