2N7002LT1G dari onsemi adalah MOSFET N-Channel yang dirancang untuk aplikasi pengalihan sinyal kecil. Ditempatkan dalam paket SOT-23 yang kompak, MOSFET ini mendukung tegangan sumber-drain (VDSS) hingga 60V dan arus drain kontinu (ID) 115mA pada 25°C. Ini menampilkan resistansi on-state rendah (RDS(on)) 7.5 Ohm pada VGS = 10V, meningkatkan efisiensi dalam operasi rangkaian.
Perangkat ini juga menawarkan kinerja termal yang kuat dengan resistansi termal maksimum junction-to-ambient (RθJA) sebesar 556 °C/W pada papan FR-5. Untuk aplikasi yang memerlukan efisiensi termal lebih tinggi, kinerja perangkat pada substrat alumina menunjukkan RθJA yang lebih baik sebesar 417 °C/W. 2N7002LT1G dirancang untuk menangani arus drain pulsa (IDM) hingga 800mA, memberikan fleksibilitas untuk berbagai kebutuhan desain. Karakteristik dinamisnya mencakup kapasitansi masukan, keluaran, dan transfer balik, memfasilitasi pemodelan yang akurat dalam aplikasi switching.
MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka banyak digunakan dalam perangkat elektronik karena impedansi masukan tinggi mereka, yang meminimalkan arus tarik dari sumber masukan, dan kemampuan mereka untuk beroperasi pada kecepatan tinggi. MOSFET N-channel, seperti 2N7002LT1G, menghantarkan ketika tegangan positif diterapkan ke gerbang relatif terhadap sumber, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi termasuk manajemen daya, pengalihan beban, dan penguatan sinyal.
Ketika memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, parameter penting yang harus dipertimbangkan meliputi tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), resistansi on-state (RDS(on)), dan karakteristik termal. Peringkat VDSS menunjukkan tegangan maksimum yang dapat diblokir MOSFET saat mati, sementara peringkat ID menyediakan arus maksimum yang dapat dikonduksinya saat hidup. Nilai RDS(on) sangat penting untuk efisiensi daya, karena nilai yang lebih rendah menghasilkan dissipasi daya yang lebih sedikit. Karakteristik termal, seperti resistansi termal junction-to-ambient (RθJA), juga penting untuk memastikan perangkat beroperasi dalam batas suhu yang aman.
Selain parameter tersebut, karakteristik switching dari MOSFET, seperti waktu hidup dan mati, sangat penting untuk aplikasi yang memerlukan kecepatan switching cepat. Karakteristik diode tubuh, yang menjelaskan perilaku diode intrinsik antara drain dan sumber, relevan untuk aplikasi yang melibatkan aliran arus balik. Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET harus didasarkan pada evaluasi komprehensif terhadap kinerja elektrik dan termalnya untuk memenuhi kebutuhan spesifik dari aplikasi yang dimaksud.