2N7002H6327XTSA2 dari Infineon adalah MOSFET N-channel mode penguatan yang dirancang untuk aplikasi switching kecepatan tinggi. Komponen ini beroperasi dengan tegangan drain-source maksimum (VDS) 60V dan dapat menangani arus drain kontinu (ID) hingga 0.3A pada 25°C. Dengan resistansi on-state maksimum (RDS(on)) 3Ω pada VGS=10V, ia menawarkan kemampuan penanganan daya yang efisien untuk ukurannya. Perangkat ini juga menampilkan kompatibilitas level logika, memungkinkannya untuk dijalankan langsung oleh sinyal logika tegangan rendah.
MOSFET ini memiliki peringkat avalanche, menunjukkan ketahanannya dalam menangani lonjakan energi selama operasi. Karakteristik sakelar cepatnya membuatnya cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi. 2N7002H6327XTSA2 dikemas dalam paket PG-SOT23 yang kompak, menjadikannya ideal untuk aplikasi dengan keterbatasan ruang. Ini juga mematuhi RoHS dan bebas halogen, mematuhi standar lingkungan saat ini.
Transistor
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka adalah komponen fundamental dalam perangkat elektronik modern, melayani berbagai aplikasi dari manajemen daya hingga pemrosesan sinyal. MOSFET saluran-N, seperti 2N7002H6327XTSA2, dirancang untuk menghantarkan antara terminal drain dan sumber ketika tegangan positif diterapkan ke gerbang relatif terhadap sumber.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, parameter kunci seperti tegangan drain-source (VDS), arus drain (ID), dan resistansi on-state (RDS(on)) penting untuk dipertimbangkan. Parameter ini menentukan kemampuan penanganan tegangan dan arus perangkat, serta efisiensinya. Kompatibilitas level logika adalah faktor penting lainnya, terutama dalam aplikasi tegangan rendah di mana MOSFET perlu dikendalikan langsung oleh mikrokontroler atau perangkat logika lainnya.
Kecepatan di mana MOSFET dapat beralih hidup dan mati sangat kritis dalam aplikasi frekuensi tinggi. Sakelar cepat mengurangi kerugian daya dan meningkatkan efisiensi. Selain itu, perangkat yang dinilai avalanche menawarkan keandalan yang ditingkatkan dalam kondisi di mana lonjakan tegangan dapat terjadi. Kemasan juga menjadi pertimbangan, dengan paket kompak seperti PG-SOT23 memungkinkan untuk desain yang hemat ruang.
Secara kesimpulan, pemilihan MOSFET melibatkan penilaian yang cermat terhadap karakteristik listriknya, kompatibilitas dengan sinyal penggerak, kinerja sakelar, dan ukuran fisik. Memahami aspek-aspek ini akan memastikan kinerja optimal dalam aplikasi yang dimaksud.