2N7002P,235: MOSFET Trench N-channel 60 V, 360 mA, paket SOT23

Nexperia

2N7002P,235 oleh Nexperia adalah Field-Effect Transistor (FET) mode peningkatan saluran-N yang menggunakan teknologi Trench MOSFET. Dikemas dalam paket plastik surface-mounted device (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kecil, komponen ini menawarkan solusi ringkas untuk berbagai aplikasi. Komponen ini dirancang untuk beroperasi sebagai driver saluran berkecepatan tinggi, driver relai, sakelar beban sisi rendah, dan dalam sirkuit switching, di antara aplikasi lainnya.

Ini memiliki tegangan drain-source (VDS) 60 V, rentang tegangan gate-source (VGS) -20 hingga 20 V, dan arus drain kontinu (ID) hingga 360 mA pada 25°C. Perangkat ini ditandai dengan kemampuan switching yang cepat dan kompatibilitas level logika, membuatnya cocok untuk berbagai sirkuit elektronik. 2N7002P,235 juga memenuhi kualifikasi AEC-Q101, yang menunjukkan keandalannya untuk aplikasi otomotif.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60 V
• Tegangan Gate-Source (VGS): -20 hingga 20 V
• Arus Drain (ID): 360 mA pada VGS = 10 V; Tamb = 25 °C
• Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 1 hingga 1.6 Ω pada VGS = 10 V; ID = 500 mA
• Total Disipasi Daya (Ptot): 350 mW pada Tamb = 25 °C
• Suhu Junction (Tj): -55 hingga 150 °C

• Driver jalur kecepatan tinggi
• Driver relai
• Sakelar beban sisi rendah
• Sirkuit switching

MOSFET saluran-N adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang banyak digunakan dalam sirkuit elektronik untuk switching dan penguatan sinyal. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal drain dan source, yang dimodulasi oleh tegangan yang diterapkan ke terminal gate. Saluran-N mengacu pada jenis pembawa muatan (elektron) yang menghantarkan arus dalam perangkat.

Saat memilih N-channel MOSFET, beberapa parameter utama harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source (VDS), tegangan gate-source (VGS), dan arus drain (ID). Parameter ini menentukan kemampuan penanganan daya dan efisiensi MOSFET dalam suatu sirkuit. Resistansi on-state (RDSon) juga merupakan faktor penting, karena memengaruhi kehilangan daya dan pembangkitan panas saat MOSFET sedang menghantarkan arus.

Aplikasi MOSFET N-channel beragam, mulai dari manajemen daya di perangkat portabel hingga menggerakkan motor dalam aplikasi industri. Kemampuan switching cepat mereka membuatnya cocok untuk aplikasi switching berkecepatan tinggi, seperti pada konverter daya dan inverter.

Insinyur juga harus mempertimbangkan karakteristik termal MOSFET, termasuk resistansi termal dan suhu sambungan maksimum, untuk memastikan operasi yang andal dalam berbagai kondisi operasi. Opsi pengemasan, seperti paket SOT23, menawarkan solusi ringkas untuk aplikasi dengan ruang terbatas.