2N7002P,235: MOSFET N-channel Trench 60 V, 360 mA, paket SOT23
Nexperia

2N7002P,235 oleh Nexperia adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan N-channel yang menggunakan teknologi MOSFET Trench. Dikemas dalam paket perangkat permukaan kecil SOT23 (TO-236AB) plastik, menawarkan solusi kompak untuk berbagai aplikasi. Komponen ini dirancang untuk beroperasi sebagai penggerak garis kecepatan tinggi, penggerak relay, saklar beban sisi rendah, dan dalam sirkuit pengalihan, di antara aplikasi lainnya.

Ini menampilkan tegangan drain-source (VDS) 60 V, rentang tegangan gate-source (VGS) -20 hingga 20 V, dan arus drain kontinu (ID) hingga 360 mA pada 25°C. Perangkat ini ditandai dengan kemampuan switching cepat dan kompatibilitas level logika, menjadikannya cocok untuk berbagai rangkaian elektronik. 2N7002P,235 juga memenuhi kualifikasi AEC-Q101, menunjukkan keandalannya untuk aplikasi otomotif.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDS): 60 V
  • Tegangan Gate-Source (VGS): -20 hingga 20 V
  • Arus Drain (ID): 360 mA pada VGS = 10 V; Tamb = 25 °C
  • Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 1 hingga 1.6 Ω pada VGS = 10 V; ID = 500 mA
  • Disipasi Daya Total (Ptot): 350 mW pada Tamb = 25 °C
  • Suhu Persimpangan (Tj): -55 hingga 150 °C

2N7002P,235 Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002P,235, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Penggerak garis kecepatan tinggi
  • Penggerak relay
  • Sakelar beban sisi rendah
  • Sirkuit sakelar

Kategori

Transistor

Informasi Umum

MOSFET N-channel adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang banyak digunakan dalam rangkaian elektronik untuk mengalihkan dan memperkuat sinyal. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal drain dan sumber, yang dimodulasi oleh tegangan yang diterapkan pada terminal gerbang. N-channel mengacu pada jenis pembawa muatan (elektron) yang menghantarkan arus dalam perangkat.

Saat memilih MOSFET N-channel, beberapa parameter kunci harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source (VDS), tegangan gerbang-source (VGS), dan arus drain (ID). Parameter ini menentukan kemampuan penanganan daya dan efisiensi MOSFET dalam sirkuit. Resistansi on-state (RDSon) juga merupakan faktor penting, karena mempengaruhi kerugian daya dan generasi panas saat MOSFET menghantarkan.

Aplikasi MOSFET N-channel sangat beragam, mulai dari manajemen daya dalam perangkat portabel hingga penggerak motor dalam aplikasi industri. Kemampuan beralih cepat mereka membuatnya cocok untuk aplikasi beralih kecepatan tinggi, seperti dalam konverter daya dan inverter.

Insinyur juga harus mempertimbangkan karakteristik termal MOSFET, termasuk resistansi termal dan suhu persimpangan maksimum, untuk memastikan operasi yang andal di bawah berbagai kondisi operasi. Opsi kemasan, seperti paket SOT23, menawarkan solusi kompak untuk aplikasi yang terbatas ruangnya.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 3/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components