IRLML2060TRPBF: HEXFET Power MOSFET, 60V, 1.2A, RDS(on) maks 480mΩ @ 10V
Infineon

IRLML2060TRPBF adalah MOSFET Daya HEXFET yang dirancang oleh Infineon untuk manajemen daya yang efisien dalam sirkuit elektronik. Ini beroperasi pada tegangan drain-source (VDS) 60V dan dapat menangani arus drain kontinu (ID) 1.2A pada tegangan gate-source (VGS) 10V. Perangkat ini memiliki resistansi on drain-to-source statis maksimum (RDS(on)) 480mΩ pada VGS = 10V, meningkat menjadi 640mΩ pada VGS = 4.5V, memastikan operasi yang efisien dengan kehilangan daya minimal.

MOSFET ini kompatibel dengan teknik pemasangan permukaan yang ada, sehingga mudah untuk dimasukkan ke dalam berbagai desain. Ini dirancang dengan pinout standar industri, memastikan kompatibilitas multi-vendor. Kepatuhan RoHS-nya menunjukkan bahwa ia tidak mengandung timbal, bromida, atau halogen, menjadikannya pilihan ramah lingkungan untuk aplikasi peralihan daya. IRLML2060TRPBF cocok untuk berbagai aplikasi, termasuk sakelar beban/sistem, karena kinerjanya yang kuat dan andal.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • VDS (Tegangan Drain-Source): 60V
  • ID (Arus Drain Kontinu) @ TA = 25°C: 1.2A
  • RDS(on) (Resistansi On Drain-ke-Source Statis) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (Tegangan Gate-ke-Source) Maks: ±16V
  • PD (Disipasi Daya Maksimum) @ TA = 25°C: 1.25W
  • TJ, TSTG (Rentang Suhu Junction dan Penyimpanan): -55 hingga +150°C

Lembar Data IRLML2060TRPBF

IRLML2060TRPBF lembar data (PDF)

IRLML2060TRPBF Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk IRLML2060TRPBF, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Sakelar Beban/Sistem

Kategori

MOSFET Daya

Informasi umum

Power MOSFET adalah komponen fundamental dalam sirkuit elektronik untuk mengontrol aliran daya listrik. Mereka beroperasi sebagai sakelar atau penguat, mengelola distribusi daya secara efisien dalam berbagai aplikasi, dari elektronik konsumen hingga sistem industri. Saat memilih Power MOSFET, pertimbangan penting meliputi tegangan drain-source maksimum (VDS), arus drain kontinu (ID), tegangan gate-source (VGS), dan resistansi on statis drain-to-source (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya yang diperlukan dengan kerugian minimal.

IRLML2060TRPBF, yang dirancang oleh Infineon, merupakan contoh Power MOSFET berkinerja tinggi yang cocok untuk aplikasi switching beban/sistem. Komponen ini memiliki resistansi-on yang rendah, memastikan manajemen daya yang efisien dan pembangkitan panas yang minimal. Insinyur juga harus mempertimbangkan jenis kemasan untuk manajemen termal dan kompatibilitas dengan proses manufaktur yang ada. Selain itu, kepatuhan lingkungan, seperti RoHS, sangat penting untuk memastikan kesesuaian komponen untuk pasar global. Singkatnya, memilih Power MOSFET yang tepat melibatkan penyeimbangan kinerja, efisiensi, manajemen termal, dan kepatuhan terhadap standar lingkungan.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 3/10
  • Hobi: 2/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components