2N7002L: MOSFET Saluran-N, 60V, 200mA, SOT-23

onsemi

2N7002L adalah MOSFET N-Channel yang diproduksi menggunakan teknologi DMOS kepadatan sel tinggi dari onsemi. Komponen ini dirancang untuk menawarkan resistansi on-state yang rendah sambil memastikan kinerja switching yang tangguh, andal, dan cepat. Komponen ini sangat cocok untuk aplikasi tegangan rendah dan arus rendah, menjadikannya pilihan serbaguna untuk berbagai sirkuit elektronik.

Menampilkan desain sel kepadatan tinggi, 2N7002L mencapai RDS(on) rendah, menjadikannya pilihan yang efisien untuk tugas manajemen daya. Kemampuannya untuk bertindak sebagai sakelar sinyal kecil yang dikendalikan tegangan menambah fleksibilitasnya dalam desain sirkuit. Kemampuan arus saturasi tinggi dan ketangguhan komponen ini menjadikannya pilihan yang andal untuk lingkungan yang menuntut.

• Tegangan Drain-to-Source (VDSS): 60 V
• Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20 V, Non-Berulang (tp < 50 ms) ±40 V
• Arus Drain Maksimum (ID): 200 mA Kontinu, 500 mA Pulsa
• Disipasi Daya Maksimum (PD): 400 mW, Diturunkan di atas 25°C
• Resistansi Termal, Junction ke Ambient (RθJA): 625 °C/W
• Tegangan Ambang Gate (VGS(th)): 1 hingga 2.5 V
• Resistansi On Drain-Source Statis (RDS(on)): 1.2 hingga 7.5 Ω
• Tegangan On Drain-Source (VDS(on)): 0.6 hingga 3.75 V

• Kontrol motor servo kecil
• Penggerak gerbang MOSFET daya
• Berbagai aplikasi switching

MOSFET N-Channel seperti 2N7002L adalah komponen fundamental dalam desain elektronik, menawarkan cara untuk mengontrol distribusi daya secara efisien dalam sirkuit. Transistor ini beroperasi dengan membiarkan arus mengalir antara terminal drain dan source ketika tegangan diterapkan ke terminal gate, menjadikannya ideal untuk switching dan penguatan sinyal.

Saat memilih MOSFET N-Channel, pertimbangan penting meliputi tegangan drain-to-source, tegangan gate-source, arus drain maksimum, dan kemampuan disipasi daya. Karakteristik termal juga penting, karena mempengaruhi keandalan dan kinerja perangkat dalam kondisi operasi yang berbeda.

Resistansi on-state rendah 2N7002L bermanfaat untuk mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi dalam aplikasi. Paket SOT-23 yang ringkas cocok untuk desain dengan ruang terbatas. Insinyur juga harus mempertimbangkan kecepatan switching, muatan gerbang, dan karakteristik kapasitansi untuk memastikan kompatibilitas dengan persyaratan sirkuit mereka.

Singkatnya, 2N7002L menawarkan keseimbangan kinerja, keandalan, dan efisiensi, menjadikannya pilihan yang cocok untuk berbagai aplikasi tegangan rendah dan arus rendah. Memahami spesifikasinya dan bagaimana keselarasan dengan persyaratan aplikasi yang dituju adalah kunci untuk membuat pilihan yang tepat.