2N7002KT1G: MOSFET N-Channel SOT-23, 60V, 380mA, RDS(on) Rendah
onsemi

2N7002KT1G dari onsemi adalah MOSFET Saluran-N sinyal kecil yang dirancang untuk aplikasi efisiensi tinggi. Dikemas dalam faktor bentuk SOT-23 yang ringkas, MOSFET ini mendukung tegangan drain-to-source (VDSS) hingga 60V dan arus drain maksimum (ID) sebesar 380mA. MOSFET ini ditandai dengan resistansi-on (RDS(on)) rendah yang bervariasi antara 1.6Ω pada 10V dan 2.5Ω pada 4.5V, meningkatkan efisiensi komponen secara keseluruhan dalam desain sirkuit.

Komponen ini dirancang dengan perlindungan terhadap pelepasan muatan listrik statis (ESD), memastikan keandalan dan daya tahan dalam aplikasi sensitif. RDS(on)-nya yang rendah berkontribusi pada pengurangan disipasi daya, membuatnya cocok untuk aplikasi di mana efisiensi daya sangat penting. 2N7002KT1G memenuhi kualifikasi AEC-Q101 dan mampu PPAP, membuatnya cocok untuk aplikasi otomotif dan skenario lain yang memerlukan standar kualitas dan keandalan yang ketat.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-ke-Source (VDSS): 60V
  • Arus Drain (ID MAX): 380mA pada 25°C
  • RDS(on): 1.6Ω pada 10V, 2.5Ω pada 4.5V
  • Tegangan Gate-ke-Source (VGS): ±20V
  • Disipasi Daya (PD): 420mW
  • Perlindungan ESD: 2000V

Lembar Data 2N7002KT1G

2N7002KT1G lembar data (PDF)

2N7002KT1G Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002KT1G, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Sakelar Beban Sisi Rendah
  • Sirkuit Pergeseran Level
  • Konverter DC-DC
  • Aplikasi Portabel (misalnya, Kamera Digital, PDA, Ponsel)

Kategori

MOSFET

Informasi umum

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah komponen fundamental dalam sirkuit elektronik, bertindak sebagai sakelar atau penguat. Mereka disukai karena efisiensinya yang tinggi, kecepatan switching yang cepat, dan kemudahan integrasi ke dalam berbagai desain sirkuit. N-Channel MOSFET, khususnya, banyak digunakan dalam aplikasi konversi dan manajemen daya karena kemampuannya menangani tingkat daya yang signifikan secara efisien.

Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, insinyur mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-ke-source (VDSS), arus drain (ID), dan resistansi on (RDS(on)). Parameter VDSS menunjukkan tegangan maksimum yang dapat diblokir MOSFET saat mati, sedangkan parameter ID menentukan arus maksimum yang dapat ditanganinya saat hidup. Nilai RDS(on) sangat penting untuk menilai kehilangan daya selama operasi, dengan nilai yang lebih rendah menunjukkan efisiensi yang lebih tinggi.

Selain parameter ini, jenis paket dan karakteristik termal juga merupakan pertimbangan penting, karena mempengaruhi kemampuan MOSFET untuk membuang panas dan mempertahankan kinerja dalam berbagai kondisi operasi. Fitur perlindungan seperti resistansi ESD juga penting untuk memastikan keandalan dan umur panjang komponen dalam aplikasi sensitif.

MOSFET 2N7002KT1G oleh onsemi memberikan contoh pertimbangan ini, menawarkan keseimbangan kinerja, efisiensi, dan keandalan untuk berbagai aplikasi, termasuk perangkat otomotif dan portabel.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 3/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components