2N7002KT1G: MOSFET Saluran-N SOT-23, 60V, 380mA, RDS(on) Rendah

onsemi

2N7002KT1G dari onsemi adalah MOSFET N-Channel sinyal kecil yang dirancang untuk aplikasi efisiensi tinggi. Dikemas dalam faktor bentuk SOT-23 yang kompak, MOSFET ini mendukung tegangan sumber-ke-drain (VDSS) hingga 60V dan arus drain maksimum (ID) sebesar 380mA. Ini dicirikan oleh resistansi on-rendah (RDS(on)) yang bervariasi antara 1,6Ω pada 10V dan 2,5Ω pada 4,5V, meningkatkan efisiensi keseluruhan komponen dalam desain sirkuit.

Komponen ini dirancang dengan perlindungan terhadap pelepasan elektrostatik (ESD), memastikan keandalan dan ketahanan dalam aplikasi sensitif. RDS(on) rendahnya berkontribusi pada penurunan disipasi daya, menjadikannya cocok untuk aplikasi di mana efisiensi daya kritis. 2N7002KT1G memenuhi kualifikasi AEC-Q101 dan mampu PPAP, menjadikannya cocok untuk aplikasi otomotif dan skenario lain yang memerlukan standar kualitas dan keandalan yang ketat.

• Tegangan Drain-to-Source (VDSS): 60V
• Arus Drain (ID MAX): 380mA pada 25°C
• RDS(on): 1.6Ω pada 10V, 2.5Ω pada 4.5V
• Tegangan Gate-to-Source (VGS): ±20V
• Disipasi Daya (PD): 420mW
• Perlindungan ESD: 2000V

• Sakelar Beban Sisi Rendah
• Sirkuit Pergeseran Tingkat
• Konverter DC-DC
• Aplikasi Portabel (mis., Kamera Digital, PDA, Ponsel)

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah komponen fundamental dalam rangkaian elektronik, bertindak sebagai saklar atau penguat. Mereka disukai karena efisiensi tinggi, kecepatan saklar yang cepat, dan kemudahan integrasi ke dalam berbagai desain rangkaian. MOSFET N-Channel, khususnya, banyak digunakan dalam aplikasi konversi dan manajemen daya karena kemampuan mereka untuk menangani tingkat daya yang signifikan secara efisien.

Ketika memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, insinyur mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-to-source (VDSS), arus drain (ID), dan on-resistance (RDS(on)). Parameter VDSS menunjukkan tegangan maksimum yang dapat diblokir MOSFET saat mati, sementara parameter ID menentukan arus maksimum yang dapat ditangani saat hidup. Nilai RDS(on) kritis untuk menilai kerugian daya selama operasi, dengan nilai yang lebih rendah menunjukkan efisiensi yang lebih tinggi.

Selain parameter ini, jenis paket dan karakteristik termal juga merupakan pertimbangan penting, karena mempengaruhi kemampuan MOSFET untuk menghilangkan panas dan mempertahankan kinerja di bawah berbagai kondisi operasi. Fitur perlindungan seperti resistansi ESD juga sangat penting untuk memastikan keandalan dan umur panjang komponen dalam aplikasi sensitif.

MOSFET 2N7002KT1G oleh onsemi mencontohkan pertimbangan ini, menawarkan keseimbangan antara kinerja, efisiensi, dan keandalan untuk berbagai aplikasi, termasuk otomotif dan perangkat portabel.