2N7002ET1G: MOSFET Saluran-N, 60V, 310mA, SOT-23, RDS(on) Rendah
onsemi

2N7002ET1G adalah MOSFET N-Channel yang dirancang untuk manajemen daya dan pemrosesan sinyal yang efisien dalam berbagai aplikasi. Perangkat ini menggunakan teknologi parit untuk mencapai resistansi keadaan hidup rendah (RDS(on)) dan kinerja sakelar tinggi, menjadikannya cocok untuk konversi daya dan kontrol efisiensi tinggi. Paket SOT-23 kecil memungkinkan desain kompak dalam aplikasi yang terbatas ruangnya.

Dengan tegangan drain-to-source maksimum 60V dan arus drain kontinu 310mA, 2N7002ET1G mampu menangani tingkat daya sedang. Tegangan ambang rendahnya memastikan penggerakan yang mudah dari sirkuit logika, meningkatkan kompatibilitasnya dengan berbagai antarmuka kontrol. Perangkat ini memenuhi kualifikasi AEC-Q101 dan mampu PPAP, menjadikannya cocok untuk aplikasi otomotif dan lingkungan ketat lainnya.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-ke-Source (VDSS): 60V
  • Tegangan Gate-ke-Source (VGS): ±20V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 310mA
  • Disipasi Daya: 300mW
  • RDS(on): 2.5Ω pada 10V, 3.0Ω pada 4.5V
  • Resistansi Termal Junction-ke-Ambient (RθJA): 417°C/W keadaan stabil
  • Rentang Suhu Operasi Junction: -55°C hingga +150°C
  • Kapasitansi Input (CISS): 40pF
  • Muatan Gerbang Total (QG(TOT)): 0.81nC

2N7002ET1G Lembar Data

2N7002ET1G datasheet (PDF)

2N7002ET1G Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002ET1G, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Sakelar beban sisi rendah
  • Sirkuit pergeseran tingkat
  • Konverter DC-DC
  • Aplikasi portabel (mis., kamera digital, PDA, ponsel)

Kategori

Transistor

Informasi Umum

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah komponen fundamental dalam rangkaian elektronik, berfungsi sebagai sakelar atau penguat yang efisien. Mereka banyak digunakan dalam konversi dan manajemen daya, pemrosesan sinyal, dan sebagai pengemudi beban dalam berbagai aplikasi. MOSFET menawarkan impedansi masukan tinggi dan impedansi keluaran rendah, menjadikannya sangat efisien untuk aplikasi sakelar.

Saat memilih MOSFET, insinyur harus mempertimbangkan peringkat tegangan dan arus maksimum perangkat, RDS(on) untuk efisiensi daya, kecepatan switching, dan kinerja termal. Kemasan juga penting untuk integrasi fisik ke dalam rangkaian. MOSFET tersedia dalam berbagai jenis, seperti N-channel untuk switching kecepatan tinggi dan P-channel untuk kemampuan penggerak yang lebih mudah.

2N7002ET1G, dengan RDS(on) rendahnya dan paket SOT-23 yang kompak, adalah contoh MOSFET yang dirancang untuk sakelar efisien dan manajemen daya baik dalam aplikasi otomotif maupun perangkat portabel. Teknologi paritnya dan tegangan ambang rendah membuatnya cocok untuk aplikasi efisiensi tinggi.

Untuk aplikasi yang membutuhkan keandalan tinggi, seperti otomotif, memilih MOSFET yang memenuhi kualifikasi AEC-Q101 dan mampu PPAP, seperti 2N7002ET1G, memastikan bahwa komponen memenuhi standar kualitas yang ketat. Memahami karakteristik termal dan memastikan disipasi panas yang memadai juga sangat penting untuk mencegah panas berlebih dan memastikan keandalan jangka panjang.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 4/10
  • Hobi: 2/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components