2N7002-T1-E3: N-Channel 60-V (D-S) MOSFET, VGS(th) 1-2.5V, ID 0.115A
Vishay

2N7002-T1-E3 adalah MOSFET Saluran-N yang diproduksi oleh Vishay, dirancang untuk manajemen daya yang efisien dan aplikasi switching berkecepatan tinggi. Komponen ini ditandai dengan kemampuannya untuk menangani tegangan drain-source (VDS) hingga 60V, dengan tegangan ambang gate-source (VGS(th)) mulai dari 1 hingga 2,5V. Arus drain kontinu maksimum (ID) yang dapat didukungnya adalah 0,115A, menjadikannya cocok untuk aplikasi arus rendah hingga sedang.

Fitur utama dari 2N7002-T1-E3 mencakup resistansi-on yang rendah dan kecepatan switching yang cepat, berkontribusi pada pengurangan kehilangan daya dan peningkatan efisiensi dalam sirkuit elektronik. Perangkat ini dikemas dalam faktor bentuk SOT-23 yang ringkas, menawarkan keseimbangan antara kinerja dan ukuran, menjadikannya ideal untuk aplikasi dengan ruang terbatas. Desainnya yang kokoh memastikan keandalan dan umur panjang, bahkan dalam kondisi operasi yang menantang.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDS): 60V
  • Tegangan Ambang Gate-Source (VGS(th)): 1 hingga 2,5V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 0,115A
  • Resistansi-On (rDS(on)): 7,5 Ohm @ VGS = 10V
  • Kapasitansi Input (Ciss): 22pF
  • Kecepatan Switching: 7ns
  • Rentang Suhu Operasi: -55 hingga 150°C

Lembar Data 2N7002-T1-E3

2N7002-T1-E3 lembar data (PDF)

2N7002-T1-E3 Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002-T1-E3, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Aplikasi switching kecepatan tinggi
  • Sirkuit manajemen daya
  • Sistem yang dioperasikan dengan baterai
  • Driver untuk relai, solenoida, lampu, dan transistor

Kategori

Transistor

Informasi umum

MOSFET N-Channel adalah jenis transistor efek medan (FET) yang banyak digunakan dalam sirkuit elektronik untuk switching dan penguatan sinyal. Mereka beroperasi dengan memanfaatkan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas saluran, memungkinkan manajemen daya yang efisien dan switching kecepatan tinggi. Penunjukan 'N-Channel' mengacu pada jenis pembawa muatan (elektron) yang mengalir melalui perangkat.

Saat memilih MOSFET Saluran-N, insinyur mempertimbangkan beberapa parameter utama termasuk tegangan drain-source (VDS), tegangan ambang gate-source (VGS(th)), dan arus drain kontinu (ID). Parameter ini menentukan kesesuaian MOSFET untuk aplikasi tertentu, dari konversi daya hingga penguatan sinyal.

Keuntungan menggunakan MOSFET N-Channel meliputi efisiensi tinggi, kecepatan switching yang cepat, dan resistansi on yang rendah, yang berkontribusi pada pengurangan kehilangan daya dan pembangkitan panas. Namun, penting untuk memastikan bahwa spesifikasi MOSFET sesuai dengan persyaratan aplikasi yang dimaksud, termasuk tegangan operasi, kapasitas arus, dan frekuensi switching.

Selain spesifikasi listrik, pengemasan dan manajemen termal juga merupakan pertimbangan penting. Jenis paket memengaruhi resistansi termal MOSFET dan, akibatnya, kemampuannya untuk membuang panas. Manajemen termal yang tepat sangat penting untuk mempertahankan kinerja dan keandalan perangkat dari waktu ke waktu.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 3/10
  • Hobi: 2/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components