BSS138BKVL: MOSFET Trench N-channel, 60V, 360mA, paket SOT23

NXP Semiconductors

BSS138BKVL oleh NXP Semiconductors adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan N-channel yang menggunakan teknologi Trench MOSFET. Ini dienkapsulasi dalam kemasan plastik Surface-Mounted Device (SMD) SOT23 (TO-236AB) kecil, yang menyediakan jejak ringkas untuk desain di mana ruang sangat berharga. Komponen ini dirancang agar kompatibel dengan level logika, memungkinkan integrasi yang mudah ke dalam sirkuit digital.

Fitur utama BSS138BKVL mencakup kemampuan switching yang sangat cepat dan perlindungan Electrostatic Discharge (ESD) bawaan hingga 1,5 kV, melindungi perangkat selama penanganan dan pengoperasian. Teknologi Trench MOSFET yang digunakan dalam komponen ini menawarkan karakteristik kinerja yang lebih baik dibandingkan MOSFET tradisional, seperti resistansi on-state yang lebih rendah dan muatan gerbang yang berkurang, yang berkontribusi pada efisiensi yang lebih tinggi dalam aplikasi.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60 V
• Tegangan Gate-Source (VGS): ±20 V
• Arus Drain (ID): 360 mA pada VGS = 10 V, Tamb = 25°C
• Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 1 hingga 1.6 Ω pada VGS = 10 V, ID = 350 mA
• Total Disipasi Daya (Ptot): 350 mW pada Tamb = 25°C
• Suhu Sambungan (Tj): -55 hingga 150 °C

• Driver relai
• Loadswitch sisi rendah
• Driver saluran kecepatan tinggi
• Sirkuit switching

MOSFET saluran-N adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang banyak digunakan dalam sirkuit elektronik untuk tujuan switching dan penguatan. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal drain dan source. Saluran-N mengacu pada jenis pembawa muatan (elektron) yang mengalir melalui perangkat.

Saat memilih MOSFET N-channel untuk aplikasi tertentu, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source, tegangan gate-source, arus drain, resistansi on-state, dan disipasi daya. Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani level tegangan dan arus yang diperlukan, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

MOSFET N-channel umumnya digunakan dalam aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien, seperti catu daya, pengontrol motor, dan sirkuit switching. Kemampuannya untuk beralih dengan cepat antara status hidup dan mati dengan kehilangan daya minimal menjadikannya ideal untuk aplikasi berkecepatan tinggi dan efisiensi tinggi. Selain itu, integrasi fitur seperti perlindungan ESD dan kompatibilitas level logika dapat menyederhanakan desain sirkuit dan meningkatkan keandalan.