BSS138BKVL: MOSFET Parit N-channel, 60V, 360mA, paket SOT23

NXP Semiconductors

BSS138BKVL oleh NXP Semiconductors adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan N-channel yang menggunakan teknologi MOSFET Trench. Dikemas dalam paket plastik Perangkat Dipasang Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kecil, memberikan jejak kompak untuk desain di mana ruang sangat terbatas. Komponen ini dirancang untuk kompatibel dengan level logika, memungkinkan integrasi mudah ke dalam sirkuit digital.

Fitur kunci dari BSS138BKVL termasuk kemampuan sakelar yang sangat cepat dan perlindungan Elektrostatik Discharge (ESD) hingga 1,5 kV, melindungi perangkat selama penanganan dan operasi. Teknologi MOSFET Trench yang digunakan dalam komponen ini menawarkan karakteristik kinerja yang lebih baik daripada MOSFET tradisional, seperti resistansi on-state yang lebih rendah dan muatan gerbang yang berkurang, yang berkontribusi pada efisiensi yang lebih tinggi dalam aplikasi.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60 V
• Tegangan Gate-Source (VGS): ±20 V
• Arus Drain (ID): 360 mA pada VGS = 10 V, Tamb = 25°C
• Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 1 sampai 1.6 Ω pada VGS = 10 V, ID = 350 mA
• Disipasi Daya Total (Ptot): 350 mW pada Tamb = 25°C
• Suhu Sambungan (Tj): -55 sampai 150 °C

• Pengemudi relay
• Sakelar beban sisi rendah
• Pengemudi garis kecepatan tinggi
• Sirkuit sakelar

MOSFET Saluran-N adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang banyak digunakan dalam rangkaian elektronik untuk tujuan switching dan amplifikasi. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal drain dan sumber. Saluran-N merujuk pada jenis pembawa muatan (elektron) yang mengalir melalui perangkat.

Saat memilih MOSFET N-channel untuk aplikasi tertentu, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source, tegangan gate-source, arus drain, resistansi on-state, dan disipasi daya. Parameter-parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat tegangan dan arus yang dibutuhkan, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

MOSFET N-channel umumnya digunakan dalam aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien, seperti pasokan daya, pengontrol motor, dan sirkuit saklar. Kemampuan mereka untuk beralih cepat antara keadaan hidup dan mati dengan kerugian daya minimal membuat mereka ideal untuk aplikasi kecepatan tinggi dan efisiensi tinggi. Selain itu, integrasi fitur seperti perlindungan ESD dan kompatibilitas tingkat logika dapat menyederhanakan desain sirkuit dan meningkatkan keandalan.