PMV120ENEAR: MOSFET Trench saluran-N 60V, paket SOT23, Kompatibel dengan level logika

Nexperia

PMV120ENEA adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan saluran-N yang menggunakan teknologi Trench MOSFET, ditempatkan dalam paket plastik Surface-Mounted Device (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang ringkas. Komponen ini dirancang untuk manajemen daya yang efisien dalam sirkuit elektronik, menawarkan kemampuan switching cepat dan kompatibilitas level logika, sehingga cocok untuk berbagai aplikasi.

Fitur utama termasuk perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) melebihi 2 kV menurut Model Tubuh Manusia (HBM), memastikan ketahanan dan keandalan di lingkungan yang keras. Selain itu, PMV120ENEA memenuhi kualifikasi AEC-Q101, yang menunjukkan kesesuaiannya untuk aplikasi otomotif. Teknologi Trench MOSFET-nya memungkinkan peningkatan kinerja dalam hal efisiensi daya dan manajemen termal dibandingkan dengan MOSFET tradisional.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60V maks
• Tegangan Gate-Source (VGS): ±20V
• Arus Drain (ID): 2,1A pada VGS = 10V, 25°C
• Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 96 hingga 123mΩ pada VGS = 10V, ID = 2,1A, 25°C
• Total Gate Charge (QG(tot)): 5,9 hingga 7,4nC
• Perlindungan ESD: >2kV HBM

• Penggerak relai
• Penggerak saluran berkecepatan tinggi
• Sakelar beban sisi rendah
• Sirkuit switching

MOSFET N-channel adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang digunakan secara luas dalam sirkuit elektronik untuk switching dan penguatan sinyal. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal source dan drain. Penunjukan N-channel mengacu pada penggunaan elektron bermuatan negatif sebagai pembawa muatan.

Saat memilih MOSFET saluran-N, beberapa parameter utama harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source, tegangan gate-source, arus drain, dan resistansi on-state. Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani level tegangan dan arus, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

MOSFET adalah komponen penting dalam manajemen daya, penggerak beban, dan aplikasi switching sinyal. Kecepatan switching yang cepat, efisiensi tinggi, dan kemampuan untuk menangani tingkat daya yang signifikan menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi, dari elektronik konsumen hingga sistem otomotif.

Teknologi Trench MOSFET, seperti yang digunakan dalam PMV120ENEA, menawarkan peningkatan kinerja dengan mengurangi resistansi on-state dan meningkatkan karakteristik termal, yang mengarah pada penggunaan daya yang lebih efisien dan pengurangan panas yang dihasilkan. Teknologi ini sangat bermanfaat dalam aplikasi yang membutuhkan kepadatan daya dan efisiensi tinggi.