PMV120ENEAR: 60V, MOSFET Trench N-channel, paket SOT23, kompatibel dengan level logika

Nexperia

PMV120ENEA adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan N-channel yang menggunakan teknologi MOSFET Parit, terpasang dalam paket plastik Perangkat Dipasang Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kompak. Komponen ini dirancang untuk manajemen daya yang efisien dalam rangkaian elektronik, menawarkan kemampuan pengalihan cepat dan kompatibilitas tingkat logika, menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi.

Fitur utama termasuk perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) yang melebihi 2 kV menurut Model Tubuh Manusia (HBM), memastikan ketangguhan dan keandalan dalam lingkungan yang keras. Selain itu, PMV120ENEA memenuhi kualifikasi AEC-Q101, menunjukkan kesesuaiannya untuk aplikasi otomotif. Teknologi MOSFET Paritnya memungkinkan peningkatan kinerja dalam hal efisiensi daya dan manajemen termal dibandingkan dengan MOSFET tradisional.

• Tegangan Drain-Source (VDS): Maks 60V
• Tegangan Gate-Source (VGS): ±20V
• Arus Drain (ID): 2.1A pada VGS = 10V, 25°C
• Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 96 sampai 123mΩ pada VGS = 10V, ID = 2.1A, 25°C
• Total Muatan Gerbang (QG(tot)): 5.9 sampai 7.4nC
• Perlindungan ESD: >2kV HBM

• Penggerak relay
• Penggerak garis kecepatan tinggi
• Sakelar beban sisi rendah
• Sirkuit switching

MOSFET N-channel adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang banyak digunakan dalam sirkuit elektronik untuk mengalihkan dan memperkuat sinyal. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal sumber dan drain. Penunjukan N-channel mengacu pada penggunaan elektron bermuatan negatif sebagai pembawa muatan.

Saat memilih MOSFET N-channel, beberapa parameter kunci yang harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source, tegangan gate-source, arus drain, dan resistansi on-state. Parameter-parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat tegangan dan arus, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

MOSFET adalah komponen esensial dalam manajemen daya, menggerakkan beban, dan aplikasi switching sinyal. Kecepatan switching cepat, efisiensi tinggi, dan kemampuan menangani tingkat daya yang signifikan membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi, dari elektronik konsumen hingga sistem otomotif.

Teknologi MOSFET Trench, seperti yang digunakan dalam PMV120ENEA, menawarkan peningkatan kinerja dengan mengurangi resistansi on-state dan meningkatkan karakteristik termal, mengarah pada penggunaan daya yang lebih efisien dan generasi panas yang berkurang. Teknologi ini sangat bermanfaat dalam aplikasi yang memerlukan kepadatan daya tinggi dan efisiensi.