2N7002ET7G: MOSFET N-Channel, 60V, 310mA, SOT-23, RDS(on) Rendah
onsemi

2N7002ET7G adalah MOSFET N-Channel oleh onsemi, dirancang untuk manajemen daya yang efisien dan aplikasi switching. Komponen ini memiliki tegangan drain-to-source (VDS) sebesar 60V dan arus drain kontinu maksimum (ID) sebesar 310mA, sehingga cocok untuk berbagai aplikasi berdaya rendah. Komponen ini menggunakan teknologi trench untuk mencapai nilai on-resistance (RDS(on)) rendah sebesar 2.5Ω pada 10V dan 3.0Ω pada 4.5V, memastikan operasi yang efisien dan pengurangan disipasi daya.

Paket SOT-23 yang ringkas dioptimalkan untuk teknologi pemasangan permukaan (surface mount), memungkinkan tata letak PCB dengan kepadatan tinggi. 2N7002ET7G memenuhi kualifikasi AEC-Q101 dan mampu PPAP, menunjukkan keandalan dan kesesuaiannya untuk aplikasi otomotif. Selain itu, komponen ini bebas Pb, bebas halogen/bebas BFR, dan mematuhi RoHS, menjadikannya pilihan ramah lingkungan untuk desain elektronik.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-ke-Source (VDS): 60V
  • Arus Drain Kontinu (ID): 310mA
  • Resistansi-On (RDS(on)): 2.5Ω pada 10V, 3.0Ω pada 4.5V
  • Tegangan Gate-ke-Source (VGS): ±20V
  • Disipasi Daya: 300mW keadaan stabil, 420mW untuk <5s
  • Rentang Suhu Sambungan Operasi: -55°C hingga +150°C
  • Paket: SOT-23

Lembar Data 2N7002ET7G

2N7002ET7G lembar data (PDF)

2N7002ET7G Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002ET7G, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Sakelar beban sisi rendah
  • Sirkuit penggeser level
  • Konverter DC-DC
  • Aplikasi portabel (misalnya, kamera digital, PDA, ponsel)

Kategori

MOSFET

Informasi umum

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka adalah komponen penting dalam berbagai perangkat elektronik karena efisiensi tinggi dan kemampuan switching yang cepat. MOSFET N-Channel, seperti 2N7002ET7G, biasanya digunakan dalam aplikasi di mana arus beban perlu dikontrol oleh tegangan yang diterapkan ke terminal gate.

Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa parameter penting untuk dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-ke-source (VDS), tegangan gate-ke-source (VGS), arus drain kontinu (ID), dan resistansi-on (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya yang diperlukan dan efisiensinya dalam sirkuit.

Jenis kemasan juga memainkan peran penting dalam kinerja komponen, terutama dalam hal manajemen termal dan jejak (footprint) pada PCB. Untuk aplikasi yang membutuhkan keandalan tinggi, seperti otomotif atau industri, penting juga untuk mempertimbangkan kepatuhan komponen terhadap standar dan kualifikasi industri.

Secara keseluruhan, pilihan MOSFET akan berdampak signifikan pada kinerja, efisiensi, dan keandalan perangkat elektronik tempat ia digunakan. Oleh karena itu, pemahaman menyeluruh tentang spesifikasi komponen dan bagaimana keselarasan dengan persyaratan aplikasi sangat penting untuk desain yang optimal.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 1/10
  • Hobi: 0/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components