2N7002ET7G: MOSFET Saluran-N, 60V, 310mA, SOT-23, RDS(on) Rendah
onsemi

2N7002ET7G adalah MOSFET N-Channel oleh onsemi, dirancang untuk manajemen daya dan aplikasi sakelar yang efisien. Menampilkan tegangan drain-to-source (VDS) 60V dan arus drain maksimum terus-menerus (ID) 310mA, menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi daya rendah. Komponen ini menggunakan teknologi trench untuk mencapai nilai resistansi on-resistance (RDS(on)) yang rendah 2.5Ω pada 10V dan 3.0Ω pada 4.5V, memastikan operasi efisien dan pengurangan disipasi daya.

Paket SOT-23 yang kompaknya dioptimalkan untuk teknologi pemasangan permukaan, memungkinkan tata letak PCB berkepadatan tinggi. 2N7002ET7G memenuhi syarat AEC-Q101 dan mampu PPAP, menunjukkan keandalan dan kesesuaiannya untuk aplikasi otomotif. Selain itu, bebas Pb, bebas halogen/BFR, dan mematuhi RoHS, menjadikannya pilihan ramah lingkungan untuk desain elektronik.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-to-Source (VDS): 60V
  • Arus Drain Berkelanjutan (ID): 310mA
  • Resistansi On (RDS(on)): 2.5Ω pada 10V, 3.0Ω pada 4.5V
  • Tegangan Gate-to-Source (VGS): ±20V
  • Disipasi Daya: 300mW keadaan stabil, 420mW untuk <5s
  • Rentang Suhu Operasi Junction: -55°C sampai +150°C
  • Paket: SOT-23

2N7002ET7G Lembar Data

2N7002ET7G datasheet (PDF)

2N7002ET7G Pengganti
Komponen pengganti yang setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002ET7G, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Sakelar beban sisi rendah
  • Sirkuit pergeseran tingkat
  • Konverter DC-DC
  • Aplikasi portabel (mis., kamera digital, PDA, ponsel)

Kategori

MOSFET

Informasi Umum

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau memutus sinyal elektronik. Mereka adalah komponen penting dalam berbagai perangkat elektronik karena efisiensi tinggi dan kemampuan pemutusan cepat mereka. MOSFET N-Channel, seperti 2N7002ET7G, biasanya digunakan dalam aplikasi di mana arus beban perlu dikontrol oleh tegangan yang diterapkan pada terminal gerbang.

Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa parameter penting untuk dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-ke-sumber (VDS), tegangan gerbang-ke-sumber (VGS), arus drain terus-menerus (ID), dan resistansi on (RDS(on)). Parameter-parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya yang diperlukan dan efisiensinya dalam rangkaian.

Jenis paket juga memainkan peran penting dalam kinerja komponen, terutama dalam hal manajemen termal dan jejak di PCB. Untuk aplikasi yang memerlukan keandalan tinggi, seperti otomotif atau industri, juga penting untuk mempertimbangkan kepatuhan komponen terhadap standar industri dan kualifikasi.

Secara keseluruhan, pilihan MOSFET akan sangat mempengaruhi kinerja, efisiensi, dan keandalan perangkat elektronik yang digunakan. Oleh karena itu, pemahaman menyeluruh tentang spesifikasi komponen dan bagaimana mereka selaras dengan kebutuhan aplikasi sangat penting untuk desain optimal.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 0/10
  • Hobi: 0/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components