PMV90ENE oleh Nexperia adalah MOSFET Trench N-channel 30 V, dirancang untuk digunakan dalam berbagai aplikasi yang memerlukan kontrol dan konversi daya yang efisien. Dikemas dalam paket plastik Perangkat Dipasang Permukaan (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kompak, menggunakan teknologi MOSFET Trench canggih untuk mencapai kinerja tinggi dalam jejak kecil.
MOSFET ini dicirikan oleh kompatibilitas level logika, memungkinkannya untuk langsung digerakkan oleh sirkuit logika tanpa memerlukan komponen driver tambahan. Ini juga menampilkan kemampuan switching yang sangat cepat, meningkatkan kesesuaiannya untuk aplikasi kecepatan tinggi dan frekuensi tinggi. Perangkat ini mencakup perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) yang melebihi 2 kV HBM, melindunginya dari kerusakan akibat pelepasan statis.
Transistor
MOSFET Trench N-channel adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang menggunakan struktur gerbang parit untuk mencapai kepadatan dan efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan MOSFET planar tradisional. Komponen ini banyak digunakan dalam aplikasi konversi dan manajemen daya karena kemampuan mereka untuk mengontrol aliran daya dalam sirkuit secara efisien.
Saat memilih MOSFET Trench N-channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan sumber-drain (VDS), tegangan gerbang-sumber (VGS), arus drain (ID), dan resistansi on-state sumber-drain (RDSon). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya dan frekuensi pemutusan yang diperlukan dalam aplikasi tertentu.
Selain itu, jenis paket dan karakteristik termal adalah pertimbangan penting. Paket SOT23 populer karena ukurannya yang kompak, menjadikannya cocok untuk aplikasi dengan keterbatasan ruang. Manajemen termal sangat penting dalam mencegah kepanasan dan memastikan operasi yang andal di bawah berbagai kondisi.
Terakhir, fitur seperti kompatibilitas tingkat logika dan perlindungan ESD bermanfaat dalam menyederhanakan desain sirkuit dan meningkatkan ketahanan komponen.