PMV90ENE oleh Nexperia adalah MOSFET Trench N-channel 30 V, dirancang untuk digunakan dalam berbagai aplikasi yang memerlukan kontrol dan konversi daya yang efisien. Komponen ini dikemas dalam paket plastik Surface-Mounted Device (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang ringkas, memanfaatkan teknologi Trench MOSFET canggih untuk mencapai kinerja tinggi dalam footprint yang kecil.
MOSFET ini dikarakterisasi oleh kompatibilitas level logikanya, memungkinkannya digerakkan langsung oleh sirkuit logika tanpa memerlukan komponen driver tambahan. Ini juga memiliki kemampuan switching yang sangat cepat, meningkatkan kesesuaiannya untuk aplikasi kecepatan tinggi dan frekuensi tinggi. Perangkat ini mencakup perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) yang melebihi 2 kV HBM, melindunginya dari kerusakan akibat pelepasan muatan listrik statis.
Transistor
MOSFET Trench N-channel adalah jenis Transistor Efek Medan (FET) yang memanfaatkan struktur gerbang parit (trench gate) untuk mencapai kepadatan dan efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan MOSFET planar tradisional. Komponen ini banyak digunakan dalam aplikasi konversi dan manajemen daya karena kemampuannya untuk mengontrol aliran daya secara efisien dalam sirkuit.
Saat memilih MOSFET Trench N-channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source (VDS), tegangan gate-source (VGS), arus drain (ID), dan resistansi on-state drain-source (RDSon). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya dan frekuensi switching yang diperlukan dalam aplikasi tertentu.
Selain itu, jenis paket dan karakteristik termal merupakan pertimbangan penting. Paket SOT23 populer karena ukurannya yang ringkas, menjadikannya cocok untuk aplikasi dengan ruang terbatas. Manajemen termal sangat penting dalam mencegah panas berlebih dan memastikan operasi yang andal dalam berbagai kondisi.
Terakhir, fitur-fitur seperti kompatibilitas level logika dan perlindungan ESD bermanfaat dalam menyederhanakan desain sirkuit dan meningkatkan daya tahan komponen.