SSM3K2615R,LF oleh Toshiba adalah MOSFET Saluran-N yang dirancang untuk manajemen daya yang efisien dalam sirkuit elektronik. Komponen ini ditempatkan dalam paket SOT-23F yang ringkas, membuatnya cocok untuk aplikasi dengan ruang terbatas. Komponen ini mampu menangani tegangan drain-source hingga 60V dan arus drain kontinu 2A, dengan kemampuan arus drain pulsa hingga 6A. MOSFET ini memiliki resistansi on drain-source (RDS(ON)) yang rendah, dengan nilai tipikal mulai dari 230 mΩ pada tegangan gate-source 10V hingga 380 mΩ pada 3.3V, meningkatkan efisiensinya dalam operasi sirkuit.
SSM3K2615R,LF memenuhi syarat AEC-Q101, menunjukkan kesesuaiannya untuk aplikasi otomotif. Ini mendukung tegangan penggerak gerbang 3.3-V, membuatnya kompatibel dengan sinyal logika tegangan rendah. Komponen ini terutama digunakan dalam sakelar beban dan driver motor, menampilkan keserbagunaannya dalam berbagai aplikasi. RDS(ON) yang rendah memastikan kehilangan daya minimal selama operasi, berkontribusi pada efisiensi energi sistem secara keseluruhan.
Transistor
N-Channel MOSFET adalah komponen penting dalam sirkuit elektronik, berfungsi sebagai sakelar atau penguat yang efisien untuk arus listrik. Mereka beroperasi dengan membiarkan arus mengalir antara terminal drain dan source ketika tegangan diterapkan ke terminal gate, secara efektif mengontrol aliran daya listrik dalam sirkuit. N-Channel MOSFET lebih disukai dalam aplikasi di mana switching cepat, efisiensi tinggi, dan keandalan diperlukan.
Saat memilih MOSFET N-Channel, penting untuk mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source, arus drain, disipasi daya, dan resistansi on drain-source. Peringkat tegangan dan arus drain-source menentukan tegangan dan arus maksimum yang dapat ditangani MOSFET, sementara resistansi on memengaruhi efisiensi perangkat dengan memengaruhi kehilangan daya selama operasi.
Manajemen termal adalah aspek penting lainnya, karena panas berlebih dapat menurunkan kinerja dan keandalan MOSFET. Oleh karena itu, memahami karakteristik termal dan memastikan pembuangan panas yang memadai sangat penting. Selain itu, jenis dan ukuran paket dapat memengaruhi pilihan MOSFET berdasarkan ruang yang tersedia dan persyaratan termal aplikasi.
Terakhir, tegangan penggerak gerbang (gate drive voltage) adalah parameter kunci, karena menentukan kompatibilitas MOSFET dengan sinyal kontrol dalam suatu rangkaian. Memilih MOSFET dengan tegangan penggerak gerbang yang sesuai memastikan bahwa perangkat dapat dikontrol secara efisien oleh level logika rangkaian.