2N7002K adalah MOSFET N-Channel Mode Peningkatan 60V yang dirancang untuk aplikasi switching berkinerja tinggi. Fitur teknologi proses parit lanjutan yang memungkinkan resistansi on yang sangat rendah dan arus bocor yang sangat rendah dalam kondisi mati, menjadikannya sangat efisien untuk tugas manajemen daya. MOSFET dilindungi ESD hingga 2KV HBM, memastikan ketangguhan dalam lingkungan yang sensitif.
Komponen ini dirancang khusus untuk sistem yang dioperasikan dengan baterai dan ideal untuk menggerakkan relay solid-state, tampilan, dan modul memori. Paket SOT-23 yang kompak memungkinkan desain hemat ruang, sementara desain sel padat berkontribusi pada resistansi on rendahnya. Dengan tegangan sumber-drain maksimum 60V dan kapasitas arus drain terus-menerus 300mA, MOSFET ini serbaguna untuk berbagai aplikasi.
MOSFET
MOSFET Saluran-N adalah komponen kritis dalam sirkuit elektronik, berfungsi sebagai saklar atau penguat untuk sinyal listrik. Mereka banyak digunakan karena efisiensi, keandalan, dan kemampuan untuk menangani tingkat daya yang signifikan. Saat memilih MOSFET Saluran-N, faktor-faktor seperti tegangan drain-source (VDS), tegangan gate-source (VGS), arus drain terus-menerus (ID), dan resistansi on-state drain-source statis (RDS(on)) sangat penting. Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk mengontrol aliran arus secara efisien dan tanpa generasi panas yang berlebihan.
MOSFET 2N7002K menggunakan teknologi proses parit lanjutan untuk resistansi on yang sangat rendah, yang sangat penting untuk meminimalkan kerugian daya dan meningkatkan efisiensi dalam aplikasi manajemen daya. Fitur perlindungan ESD membuatnya cocok untuk digunakan dalam lingkungan di mana pelepasan elektrostatik dapat menimbulkan risiko terhadap operasi perangkat elektronik. Selain itu, paket SOT-23 yang kompaknya bermanfaat untuk desain di mana ruang sangat terbatas.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, penting untuk mempertimbangkan lingkungan operasi, termasuk suhu dan potensi paparan terhadap pelepasan elektrostatik. Desain sel berkapasitas tinggi 2N7002K dan arus bocor yang sangat rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk sistem yang dioperasikan baterai, di mana efisiensi daya sangat kritis. Selain itu, kemampuannya untuk menggerakkan relay solid-state dan perangkat daya rendah lainnya menjadikannya komponen yang serbaguna untuk berbagai desain elektronik.
Secara keseluruhan, MOSFET N-Channel 2N7002K adalah komponen yang sangat efisien, dilindungi ESD, cocok untuk berbagai aplikasi. Teknologi canggih dan kemasan kompaknya menawarkan keuntungan signifikan bagi insinyur yang mencari solusi andal dan hemat ruang.