2N7002K adalah MOSFET Mode Peningkatan Saluran-N 60V yang dirancang untuk aplikasi switching kinerja tinggi. Ini menampilkan teknologi proses parit canggih yang memungkinkan resistansi-on ultra-rendah dan arus bocor yang sangat rendah dalam kondisi mati, membuatnya sangat efisien untuk tugas manajemen daya. MOSFET ini dilindungi ESD hingga 2KV HBM, memastikan ketahanan di lingkungan yang sensitif.
Komponen ini dirancang khusus untuk sistem yang dioperasikan dengan baterai dan ideal untuk menggerakkan relai solid-state, layar, dan modul memori. Paket SOT-23 yang ringkas memungkinkan desain hemat ruang, sementara desain sel kepadatan tinggi berkontribusi pada resistansi-on yang rendah. Dengan tegangan drain-source maksimum 60V dan kapasitas arus drain kontinu 300mA, MOSFET ini serbaguna untuk berbagai aplikasi.
MOSFET
MOSFET Saluran-N adalah komponen penting dalam sirkuit elektronik, berfungsi sebagai sakelar atau penguat untuk sinyal listrik. Mereka digunakan secara luas karena efisiensi, keandalan, dan kemampuannya untuk menangani tingkat daya yang signifikan. Saat memilih MOSFET Saluran-N, faktor-faktor seperti tegangan drain-source (VDS), tegangan gate-source (VGS), arus drain kontinu (ID), dan resistansi on drain-source statis (RDS(on)) adalah yang terpenting. Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk mengontrol aliran arus secara efisien dan tanpa menghasilkan panas berlebih.
MOSFET 2N7002K menggunakan teknologi proses parit canggih untuk resistansi-on ultra-rendah, yang sangat penting untuk meminimalkan kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi dalam aplikasi manajemen daya. Fitur perlindungan ESD-nya membuatnya cocok untuk digunakan di lingkungan di mana pelepasan muatan listrik statis dapat menimbulkan risiko bagi pengoperasian perangkat elektronik. Selain itu, paket SOT-23 yang ringkas bermanfaat untuk desain di mana ruang sangat terbatas.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, penting untuk mempertimbangkan lingkungan operasi, termasuk suhu dan potensi paparan pelepasan muatan listrik statis. Desain sel kepadatan tinggi 2N7002K dan arus bocor yang sangat rendah menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk sistem yang dioperasikan dengan baterai, di mana efisiensi daya sangat penting. Selain itu, kemampuannya untuk menggerakkan relai solid-state dan perangkat berdaya rendah lainnya menjadikannya komponen serbaguna untuk berbagai desain elektronik.
Singkatnya, MOSFET N-Channel 2N7002K adalah komponen yang sangat efisien dan terlindungi dari ESD yang cocok untuk berbagai aplikasi. Teknologi canggih dan kemasannya yang ringkas menawarkan keuntungan signifikan bagi para insinyur yang mencari solusi yang andal dan hemat ruang.