SQ2364EES-T1_GE3: MOSFET N-Channel Otomotif 60 V, 175 °C, paket SOT-23

Vishay

SQ2364EES-T1_GE3 dari Vishay adalah MOSFET N-Channel yang dirancang untuk aplikasi otomotif, dikemas dalam paket SOT-23 yang kompak. Komponen ini ditandai dengan kemampuannya untuk beroperasi pada suhu tinggi hingga 175 °C, menjadikannya cocok untuk lingkungan yang menuntut. Ini memenuhi kualifikasi AEC-Q101, memastikan keandalan dan kinerja kelas otomotif. MOSFET menampilkan teknologi TrenchFET®, menyediakan efisiensi yang ditingkatkan dan resistansi on yang berkurang.

Atribut kunci termasuk tegangan drain-source (VDS) 60 V dan arus drain kontinu (ID) 2 A pada 25 °C, dengan kemampuan untuk menangani arus drain pulsed hingga 8 A. Ini juga menawarkan perlindungan ESD yang kuat hingga 800 V. Resistansi on-rendah (RDS(on)) pada berbagai tegangan gerbang-sumber menyoroti efisiensinya dalam mengalirkan arus. Selain itu, ini diuji 100% Rg dan UIS, memastikan kinerja yang konsisten di semua unit.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60 V
• Tegangan Gate-Source (VGS): ± 8 V
• Arus Drain Kontinu (ID) @ 25 °C: 2 A
• Arus Drain Terpulsasi (IDM): 8 A
• RDS(on) @ VGS = 1.5 V: 0.245 Ω
• Disipasi Daya Maksimum @ 25 °C: 3 W
• Rentang Suhu Operasi Junction: -55 sampai +175 °C
• Paket: SOT-23

• Elektronik otomotif
• Sistem manajemen daya
• Aplikasi suhu tinggi

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka banyak digunakan dalam perangkat elektronik karena efisiensi tinggi, keandalan, dan kemampuan menangani tingkat daya yang signifikan. MOSFET N-Channel, khususnya, lebih disukai karena mobilitas elektron yang tinggi dan kemudahan integrasi ke dalam berbagai rangkaian.

Ketika memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa faktor harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source (VDS), tegangan gate-source (VGS), arus drain kontinu (ID), dan resistansi on (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya yang diperlukan dan efisiensinya dalam sirkuit. Jenis paket juga memainkan peran penting dalam manajemen termal perangkat.

MOSFET sangat penting dalam sistem konversi dan manajemen daya, menawarkan solusi untuk distribusi daya yang efisien. Mereka sangat berharga dalam aplikasi yang memerlukan sakelar kecepatan tinggi, konsumsi daya rendah, dan ukuran kompak. Aplikasi otomotif sering menuntut MOSFET yang dapat beroperasi secara andal di bawah kondisi keras, termasuk suhu dan tegangan tinggi.

MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 oleh Vishay, dengan toleransi suhu tinggi dan kualifikasi otomotif, merupakan contoh kemajuan dalam teknologi MOSFET, melayani tuntutan ketat elektronik otomotif dan sistem manajemen daya.