SQ2364EES-T1_GE3: MOSFET Otomotif N-Channel 60 V, 175 °C, SOT-23
Vishay

SQ2364EES-T1_GE3 dari Vishay adalah MOSFET N-Channel yang dirancang untuk aplikasi otomotif, dikemas dalam paket SOT-23 yang ringkas. Komponen ini ditandai dengan kemampuannya beroperasi pada suhu tinggi hingga 175 °C, membuatnya cocok untuk lingkungan yang menuntut. Komponen ini memenuhi kualifikasi AEC-Q101, memastikan keandalan dan kinerja tingkat otomotif. MOSFET ini memiliki fitur teknologi TrenchFET®, yang memberikan peningkatan efisiensi dan pengurangan resistansi-on.

Atribut utama mencakup tegangan drain-source (VDS) sebesar 60 V dan arus drain kontinu (ID) sebesar 2 A pada 25 °C, dengan kemampuan menangani arus drain berdenyut hingga 8 A. Perangkat ini juga menawarkan perlindungan ESD yang kuat hingga 800 V. Resistansi-on (RDS(on)) yang rendah pada berbagai tegangan gate-source menyoroti efisiensinya dalam menghantarkan arus. Selain itu, perangkat ini 100% diuji Rg dan UIS, memastikan kinerja yang konsisten di semua unit.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDS): 60 V
  • Tegangan Gate-Source (VGS): ± 8 V
  • Arus Drain Kontinu (ID) @ 25 °C: 2 A
  • Arus Drain Pulsa (IDM): 8 A
  • RDS(on) @ VGS = 1.5 V: 0.245 Ω
  • Disipasi Daya Maksimum @ 25 °C: 3 W
  • Rentang Suhu Junction Operasi: -55 hingga +175 °C
  • Paket: SOT-23

Lembar Data SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 lembar data (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk SQ2364EES-T1_GE3, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Elektronik otomotif
  • Sistem manajemen daya
  • Aplikasi suhu tinggi

Kategori

MOSFET

Informasi umum

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka banyak digunakan dalam perangkat elektronik karena efisiensinya yang tinggi, keandalannya, dan kemampuan untuk menangani tingkat daya yang signifikan. N-Channel MOSFET, khususnya, lebih disukai karena mobilitas elektronnya yang tinggi dan kemudahan integrasi ke dalam berbagai sirkuit.

Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, beberapa faktor harus dipertimbangkan, termasuk tegangan drain-source (VDS), tegangan gate-source (VGS), arus drain kontinu (ID), dan resistansi on (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tingkat daya yang diperlukan dan efisiensinya dalam sirkuit. Jenis paket juga memainkan peran penting dalam manajemen termal perangkat.

MOSFET merupakan bagian integral dalam sistem konversi dan manajemen daya, menawarkan solusi untuk distribusi daya yang efisien. Mereka sangat berharga dalam aplikasi yang membutuhkan switching berkecepatan tinggi, konsumsi daya rendah, dan ukuran yang ringkas. Aplikasi otomotif sering menuntut MOSFET yang dapat beroperasi dengan andal dalam kondisi yang keras, termasuk suhu dan tegangan tinggi.

MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 oleh Vishay, dengan toleransi suhu tinggi dan kualifikasi otomotifnya, mencontohkan kemajuan dalam teknologi MOSFET, melayani tuntutan ketat elektronik otomotif dan sistem manajemen daya.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 2/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components