2N7002NXBKR: MOSFET Trench N-channel 60V, Logic-Level, Paket SOT23
Nexperia

2N7002NXBK adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan saluran-N yang dikemas dalam format SOT23 (TO-236AB) yang ringkas. Memanfaatkan teknologi Trench MOSFET, komponen ini dirancang untuk aplikasi efisiensi tinggi dan daya rendah. Kompatibilitas level logikanya memungkinkan antarmuka langsung dengan sistem berbasis mikrokontroler tanpa perlu perangkat keras penggeser level tambahan, menyederhanakan desain dan mengurangi jumlah komponen.

Fitur utama dari 2N7002NXBK mencakup kemampuan switching yang sangat cepat dan perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) bawaan yang melebihi 2 kV Human Body Model (HBM), menjadikannya cocok untuk aplikasi di mana ketahanan dan keandalan itu penting. Jejak perangkat yang kecil dan desain pemasangan permukaan (surface-mounted) menjadikannya ideal untuk rakitan elektronik kepadatan tinggi yang ringkas.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDS): 60V
  • Tegangan Gate-Source (VGS): ±20V
  • Arus Drain (ID): Hingga 330mA pada VGS=10V, Tsp=25°C
  • Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 2.2Ω hingga 2.8Ω pada VGS=10V, ID=200mA, Tj=25°C
  • Disipasi Daya Total (Ptot): Hingga 1670mW pada Tsp=25°C
  • Resistansi Termal, Junction ke Ambient (Rth(j-a)): 270 hingga 405 K/W
  • Tegangan Ambang Gate-Source (VGSth): 1.1V hingga 2.1V

2N7002NXBKR Pengganti
Komponen alternatif setara yang dapat berfungsi sebagai pengganti untuk 2N7002NXBKR, komponen paling populer terlebih dahulu

Aplikasi

  • Penggerak relai
  • Penggerak jalur kecepatan tinggi
  • Sakelar beban sisi rendah
  • Sirkuit switching

Kategori

Transistor

Informasi umum

MOSFET saluran-N adalah komponen fundamental dalam desain elektronik, memungkinkan manajemen daya dan kontrol yang efisien dalam berbagai aplikasi. Perangkat ini beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas saluran, memungkinkannya berfungsi sebagai sakelar atau penguat dalam sirkuit. Jenis saluran-N, khususnya, disukai karena efisiensinya yang tinggi dan kemampuannya menangani tingkat daya yang signifikan.

Saat memilih MOSFET saluran-N, pertimbangan utama meliputi tegangan dan arus drain-source maksimum yang dapat ditanganinya, tegangan gate-source yang diperlukan untuk menyalakan perangkat, dan resistansi on-state-nya, yang memengaruhi disipasi daya secara keseluruhan. Ukuran paket dan kemampuan manajemen termal juga penting, terutama untuk aplikasi dengan ruang terbatas atau suhu lingkungan yang tinggi.

2N7002NXBK, dengan teknologi Trench MOSFET-nya, menawarkan peningkatan kinerja dalam hal kecepatan switching dan efisiensi daya dibandingkan dengan MOSFET tradisional. Kompatibilitas level logika dan perlindungan ESD bawaannya menjadikannya pilihan serbaguna untuk berbagai aplikasi digital dan analog.

Bagi para insinyur, memahami aplikasi dan keterbatasan model MOSFET N-channel tertentu, seperti 2N7002NXBK, sangat penting untuk merancang sistem yang andal dan efisien. Ini termasuk mempertimbangkan karakteristik switching perangkat, kinerja termal, dan fitur perlindungan untuk memastikan operasi yang optimal dalam aplikasi yang dimaksud.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 2/10
  • Hobi: 1/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components