PMV230ENEAR adalah Transistor Efek Medan (FET) mode peningkatan N-channel yang dikemas dalam paket plastik Permukaan-Pasang Perangkat (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang kompak. Menggunakan teknologi MOSFET Trench, komponen ini menawarkan kinerja yang ditingkatkan dalam berbagai sirkuit elektronik. Desainnya dioptimalkan untuk sakelar cepat dan kompatibilitas tingkat logika, menjadikannya cocok untuk aplikasi kecepatan tinggi.
MOSFET ini dilengkapi dengan perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) yang melebihi 2 kV HBM, memastikan daya tahan terhadap pelepasan elektrostatik tiba-tiba. Selain itu, memenuhi syarat AEC-Q101, menunjukkan keandalannya dalam aplikasi otomotif-grade. Faktor bentuk kecil PMV230ENEAR dikombinasikan dengan karakteristik kinerja yang kuat membuatnya menjadi pilihan yang sangat baik untuk aplikasi yang terbatas ruang yang memerlukan switching yang efisien.
MOSFET
MOSFET N-channel adalah komponen fundamental dalam teknik elektronik, berfungsi sebagai saklar atau penguat yang efisien dalam sirkuit. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas sebuah saluran, memungkinkan atau mencegah aliran arus. Tipe N-channel, seperti PMV230ENEAR, memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi dibandingkan dengan tipe P-channel, membuatnya lebih efisien untuk banyak aplikasi.
Saat memilih MOSFET N-channel, insinyur mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source, tegangan gerbang-sumber, arus drain, dan disipasi daya. Spesifikasi PMV230ENEAR, termasuk tegangan drain-source 60V dan kemampuan arus drain 1.5A, menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi. Paket SOT23 yang kompaknya menguntungkan untuk desain yang terbatas ruangnya.
Teknologi MOSFET Trench, seperti yang digunakan dalam PMV230ENEAR, menawarkan penurunan resistansi keadaan on dan peningkatan kinerja saklar, yang kritis untuk aplikasi efisiensi tinggi. Selain itu, fitur seperti perlindungan ESD dan kualifikasi kelas otomotif (AEC-Q101) penting untuk aplikasi yang memerlukan keandalan dan ketangguhan tinggi.
Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET N-channel melibatkan keseimbangan antara spesifikasi listrik, kemasan, dan fitur tambahan seperti perlindungan ESD. Kombinasi kinerja tinggi, kemasan kompak, dan fitur keandalan dari PMV230ENEAR menjadikannya pilihan yang sangat baik bagi insinyur yang merancang sistem elektronik.