PMV230ENEAR: 60V, MOSFET Trench Saluran-N, paket SOT23, Level logika, Switching cepat

Nexperia

PMV230ENEAR adalah N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) yang dienkapsulasi dalam paket plastik Surface-Mounted Device (SMD) SOT23 (TO-236AB) yang ringkas. Memanfaatkan teknologi Trench MOSFET, komponen ini menawarkan peningkatan kinerja dalam berbagai sirkuit elektronik. Desainnya dioptimalkan untuk switching cepat dan kompatibilitas level logika, menjadikannya cocok untuk aplikasi kecepatan tinggi.

MOSFET ini dilengkapi dengan perlindungan ElectroStatic Discharge (ESD) melebihi 2 kV HBM, memastikan daya tahan terhadap pelepasan elektrostatis mendadak. Selain itu, ia memenuhi kualifikasi AEC-Q101, yang menunjukkan keandalannya dalam aplikasi tingkat otomotif. Faktor bentuk kecil PMV230ENEAR dikombinasikan dengan karakteristik kinerjanya yang kuat menjadikannya pilihan yang sangat baik untuk aplikasi dengan ruang terbatas yang memerlukan switching yang efisien.

• Tegangan Drain-Source (VDS): 60V
• Tegangan Gate-Source (VGS): ±20V
• Arus Drain (ID): 1,5A pada VGS = 10V, Tamb = 25°C
• Resistansi On-State Drain-Source (RDSon): 176 - 222mΩ pada VGS = 10V, ID = 1,5A
• Total Disipasi Daya (Ptot): 480mW pada Tamb = 25°C
• Suhu Sambungan (Tj): -55 hingga 150°C
• Karakteristik Statis dan Dinamis: Termasuk tegangan ambang gate, arus bocor, transkonduktansi, dan parameter muatan.

• Penggerak relai
• Penggerak saluran berkecepatan tinggi
• Sakelar beban sisi rendah
• Sirkuit switching

MOSFET N-channel adalah komponen fundamental dalam teknik elektronik, yang berfungsi sebagai sakelar atau penguat yang efisien dalam sirkuit. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol konduktivitas saluran, memungkinkan atau mencegah aliran arus. Jenis N-channel, seperti PMV230ENEAR, memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi dibandingkan dengan jenis P-channel, menjadikannya lebih efisien untuk banyak aplikasi.

Saat memilih MOSFET N-channel, insinyur mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source, tegangan gate-source, arus drain, dan disipasi daya. Spesifikasi PMV230ENEAR, termasuk tegangan drain-source 60V dan kemampuan arus drain 1,5A, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi. Paket SOT23 yang ringkas menguntungkan untuk desain dengan ruang terbatas.

Teknologi Trench MOSFET, seperti yang digunakan dalam PMV230ENEAR, menawarkan pengurangan resistansi on-state dan peningkatan kinerja switching, yang sangat penting untuk aplikasi efisiensi tinggi. Selain itu, fitur seperti perlindungan ESD dan kualifikasi tingkat otomotif (AEC-Q101) penting untuk aplikasi yang membutuhkan keandalan dan ketahanan tinggi.

Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET kanal-N melibatkan keseimbangan antara spesifikasi listrik, kemasan, dan fitur tambahan seperti perlindungan ESD. Kombinasi kinerja tinggi, kemasan ringkas, dan fitur keandalan PMV230ENEAR menjadikannya pilihan yang sangat baik bagi insinyur yang merancang sistem elektronik.